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非晶硅短程序与电子结构关系的量子化学研究
1
作者
张瑞勤
戴国才
+1 位作者
关大任
蔡政亭
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
1988年第6期608-611,共4页
本支通过对Si_(29)无规网络原子簇模型的CNDO计算,探讨了非晶硅(a-Si)结构短程序对其电子态密度(DOS)分布的影响。结果表明,在与实验原子径向分布函数(RDF)基本相同的条件下,a-Si模型中的键角和二面角是影响电子态密度分布的主要参数。
关键词
连续无规网络
结构短程序
径向分布函数
非晶硅原子簇模型
电子态密度
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职称材料
题名
非晶硅短程序与电子结构关系的量子化学研究
1
作者
张瑞勤
戴国才
关大任
蔡政亭
机构
山东大学物理系
山东大学理论化学研究室
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
1988年第6期608-611,共4页
基金
国家教委高等学校科学基金。
文摘
本支通过对Si_(29)无规网络原子簇模型的CNDO计算,探讨了非晶硅(a-Si)结构短程序对其电子态密度(DOS)分布的影响。结果表明,在与实验原子径向分布函数(RDF)基本相同的条件下,a-Si模型中的键角和二面角是影响电子态密度分布的主要参数。
关键词
连续无规网络
结构短程序
径向分布函数
非晶硅原子簇模型
电子态密度
Keywords
Continuous random networks(CRN)
Structural short range order(SRO)
Radial distribution function(RDF)
Atomic cluster model for amorphous silicon
Electronic density of states(DOS).
分类号
TP3 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶硅短程序与电子结构关系的量子化学研究
张瑞勤
戴国才
关大任
蔡政亭
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
1988
0
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