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基于连续双脉冲测试的GaN HEMT动态导通电阻变化及测量方法
被引量：
1
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作者
陈耀峰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第10期920-925,共6页
实际应用中,GaN HEMT的动态导通电阻会随着工作电压、工作温度等因素的变化而改变,相同温度下的实际值常与静态测量结果有所差异。由于实验条件及测量方法不同,同一型号的器件往往会出现不一致的测试结果,对应用工况的设计与监测带来了...
实际应用中,GaN HEMT的动态导通电阻会随着工作电压、工作温度等因素的变化而改变,相同温度下的实际值常与静态测量结果有所差异。由于实验条件及测量方法不同,同一型号的器件往往会出现不一致的测试结果,对应用工况的设计与监测带来了困难。针对这一问题,提出了基于连续双脉冲的测试方法,并提出了一种基于差分计算的动态导通电阻提取方法,以更准确地提取器件的动态导通电阻。进一步讨论了母线电压和温度对器件动态导通电阻的影响,当母线电压增大时,GaN HEMT的动态导通电阻表现出先增大后减小的非单调的变化特性,动态导通电阻的标准值基本不随温度变化而改变。最后,探究了GaN HEMT动态导通电阻变化的机理,进一步加深了对器件动态导通电阻变化的理解。
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关键词
GaN
HEMT
动态导通电阻
连续双脉冲测试
差分计算
机理分析
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职称材料
题名
基于连续双脉冲测试的GaN HEMT动态导通电阻变化及测量方法
被引量：
1
1
作者
陈耀峰
机构
国家电投集团河北电力有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第10期920-925,共6页
基金
集电线路智能化辅助巡检关键技术研究与应用项目(042300006427)。
文摘
实际应用中,GaN HEMT的动态导通电阻会随着工作电压、工作温度等因素的变化而改变,相同温度下的实际值常与静态测量结果有所差异。由于实验条件及测量方法不同,同一型号的器件往往会出现不一致的测试结果,对应用工况的设计与监测带来了困难。针对这一问题,提出了基于连续双脉冲的测试方法,并提出了一种基于差分计算的动态导通电阻提取方法,以更准确地提取器件的动态导通电阻。进一步讨论了母线电压和温度对器件动态导通电阻的影响,当母线电压增大时,GaN HEMT的动态导通电阻表现出先增大后减小的非单调的变化特性,动态导通电阻的标准值基本不随温度变化而改变。最后,探究了GaN HEMT动态导通电阻变化的机理,进一步加深了对器件动态导通电阻变化的理解。
关键词
GaN
HEMT
动态导通电阻
连续双脉冲测试
差分计算
机理分析
Keywords
GaN HEMT
dynamic on-resistance
continuous double pulse test
differential computation
mechanism analysis
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
基于连续双脉冲测试的GaN HEMT动态导通电阻变化及测量方法
陈耀峰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
1
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