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Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制被引量：1: 1; 作者汪建元陈松岩李成《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期660-664,共5页; 采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge... 展开更多; 关键词多层Ge量子点近红外光电探测器 UHV/CVD系统自组织生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SnSe_(2.37)薄膜材料的高性能近红外光电探测器: 2; 作者祝新发孟宪成 +5 位作者刘哲贺彪段伟帅孙春王蒙军范超《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期204-212,共9页; 二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用... 展开更多; 关键词二硒化锡(SnSe_(2)) 化学气相输运(CVT)法光刻图形转移法二维材料近红外光电探测; 在线阅读下载PDF 职称材料

二极管型近红外聚合物光电探测器研究进展被引量：2: 3; 作者肖建花蒋亚东 +2 位作者王洋黎威志太惠玲《红外技术》 CSCD 北大核心 2020年第10期917-926,共10页; 近红外聚合物光电探测器的光电特性灵活可调、与柔性基板兼容性好、制备工艺简单且成本低,在航空、军事、工业、医疗等领域具有较大应用前景。近红外聚合物光电探测器的结构类型包括光电导体、光电二极管及光电晶体管,其中光电二极管的... 展开更多; 关键词近红外光电探测器光电二极管聚合物窄带隙材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能石墨烯/金字塔硅异质结近红外光探测器被引量：1: 4; 作者周国方蓝镇立 +1 位作者余浪何峰《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期552-558,共7页; 石墨烯具有优异的光学性质和电学性质,在快速宽光谱光电探测方面有极大的潜力。本文设计并制备一种高性能石墨烯/n型金字塔硅异质结近红外光探测器。高质量石墨烯是采用化学气相沉积法制备的,通过湿法转移将其转移到n型金字塔硅表面,从... 展开更多; 关键词石墨烯近红外光电探测器金字塔硅异质结; 在线阅读下载PDF 职称材料

近红外光的可视化及其应用被引量：2: 5; 作者刘映雪朱福荣《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期78-104,共27页; 开发高性能的近红外可视化器件在生物成像、食物检测、健康监测和环境分析等领域有着重要意义。近红外可视化器件由光探测单元和发光单元组成,可将人眼不可视的近红外光转换为可见光。其工作机制是,光探测单元作为发光单元的载流子注入... 展开更多; 关键词近红外可视化器件近红外光电探测器近红外光电探测晶体管发光二极管光子上转换效率光亮度开关比; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于等离子体增强上转换发光的窄带1550 nm光探测: 6; 作者周博明覃子晟 +7 位作者王姝欢杨棕媛江苇瑶赵赫然曹鹏鲍民杰程惠宁季亚楠《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期139-148,共10页; 近红外光(NIR)探测技术在军事、通信和工业应用中发挥着重要的作用,巨大的市场需求带动了NIR光电探测器(PDs)研究的快速发展。具有双光子或多光子泵浦特性的稀土掺杂上转换纳米颗粒(UCNPs)可以将NIR光子转换为可见光子或紫外光子,并被... 展开更多; 关键词上转换发光局域表面等离子体共振局域场调制窄带近红外光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究: 7; 作者王领航介万奇《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期863-865,870,共4页; 以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对... 展开更多; 关键词碲铟汞晶体生长垂直Bridgman法半导体材料近红外光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制被引量：1: 1; 作者汪建元陈松岩李成; 机构厦门大学物理与机电工程学院; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期660-664,共5页; 基金国家重大科学研究计划(2012CB933503); 文摘采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6A/cm2),与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。; 关键词多层Ge量子点近红外光电探测器 UHV/CVD系统自组织生长; Keywords multilayer Ge QDs near-infrared photodetector UHV/CVD system self-assembled growth; 分类号 TN364.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SnSe_(2.37)薄膜材料的高性能近红外光电探测器: 2; 作者祝新发孟宪成刘哲贺彪段伟帅孙春王蒙军范超; 机构河北工业大学电子信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期204-212,共9页; 文摘二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用化学气相输运(CVT)法制备硒过量的二硒化锡(SnSe_(2.37))单晶,X射线光电子能谱(XPS)结果表明,Sn和Se的原子数比约为1∶2.37。然后通过机械剥离法从高品质的单晶上分离出横向尺寸为14μm×37μm且厚度为2 nm的SnSe_(2.37)薄膜材料。最后使用光刻图形转移法制备高性能的NIR光电探测器。经过测试,该NIR光电探测器对850 nm的近红外光表现出优异的光电探测性能,其中响应度可达2820 A·W^(-1),归一化探测率为1.02×10^(13)Jones,外量子效率为4.12×10^(5)%,响应时间为15 ms。; 关键词二硒化锡(SnSe_(2)) 化学气相输运(CVT)法光刻图形转移法二维材料近红外光电探测; Keywords tin diselenide(SnSe_(2)) chemical vapor transportation(CVT)method photolithographic patterned transfer method two-dimensional material near-infrared photodetection; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名二极管型近红外聚合物光电探测器研究进展被引量：2: 3; 作者肖建花蒋亚东王洋黎威志太惠玲; 机构电子科技大学; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2020年第10期917-926,共10页; 基金国家自然科学优秀青年基金(61822106)。; 文摘近红外聚合物光电探测器的光电特性灵活可调、与柔性基板兼容性好、制备工艺简单且成本低,在航空、军事、工业、医疗等领域具有较大应用前景。近红外聚合物光电探测器的结构类型包括光电导体、光电二极管及光电晶体管,其中光电二极管的研究最为广泛。本文对近红外聚合物光电二极管(near-infrared polymer photodiodes,NIR PPD)的研究进展进行综述:首先,介绍了NIR PPD的光电转换原理;其次,分别从新材料合成和器件结构设计角度,详细讨论了在改善NIR PPD性能方面取得的重要进展;最后,总结全文并提出当前NIR PPD研究存在的挑战及其发展前景。; 关键词近红外光电探测器光电二极管聚合物窄带隙材料; Keywords near-infrared photodetector photodiode polymer low band gap materials; 分类号 TN362 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能石墨烯/金字塔硅异质结近红外光探测器被引量：1: 4; 作者周国方蓝镇立余浪何峰; 机构中国电子科技集团公司第四十八研究所薄膜传感技术湖南省国防重点实验室高性能智能传感器及检测系统湖南省重点实验室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期552-558,共7页; 文摘石墨烯具有优异的光学性质和电学性质,在快速宽光谱光电探测方面有极大的潜力。本文设计并制备一种高性能石墨烯/n型金字塔硅异质结近红外光探测器。高质量石墨烯是采用化学气相沉积法制备的,通过湿法转移将其转移到n型金字塔硅表面,从而获得具有垂直结构的石墨烯/金字塔硅异质结器件。测试结果表明,在无光照条件下,器件的整流比达到了6.9×10^(5);在970 nm近红外光的照射下,电流开关比高达5.3×10^(4),电流响应度、外量子效率、光电压响应度和比探测率分别可达577.6 mA·W^(-1)、73.97%、1.26×10^(6)V·W^(-1)和4.92×10^(12)Jones。此外,器件具有快的响应速度,上升和下降时间分别为22μs和14.5μs。最后,还对器件稳定性进行研究,在空气环境中放置3个月后,光电流基本没有衰减,表明了器件具有优异的空气稳定性。; 关键词石墨烯近红外光电探测器金字塔硅异质结; Keywords graphene near infrared photoelectric detector pyramid silicon heterojunction; 分类号 TN294 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近红外光的可视化及其应用被引量：2: 5; 作者刘映雪朱福荣; 机构香港浸会大学物理系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期78-104,共27页; 基金香港研究资助局项目(No.GRF/12302817,No.12303920)。; 文摘开发高性能的近红外可视化器件在生物成像、食物检测、健康监测和环境分析等领域有着重要意义。近红外可视化器件由光探测单元和发光单元组成,可将人眼不可视的近红外光转换为可见光。其工作机制是,光探测单元作为发光单元的载流子注入层,在近红外光下产生光电流,因而被近红外光照射的区域会产生电荷注入,在发光单元的对应区域复合发光,发射可见光。没有近红外光照射时,光探测单元中不产生光电流,将抑制发光单元中的电荷注入,因而不发光。因此,近红外可视化器件可用于对辐射、反射或吸收近红外光的物质成像。本综述介绍了近红外可视化器件的工作原理和最新进展,包括基于无机、有机半导体等不同材料的近红外可视化器件。研究发现,近红外可视化器件的光子转换效率由近红外光探测单元和发光单元的光电转换效率决定。本文归纳了提高近红外可视化器件的光子-光子转换效率的方法和相关工作,探讨和展望了近红外光的可视化技术在三维图像分析、近红外检测卡、生物成像、健康和环境监测与检测的应用前景。; 关键词近红外可视化器件近红外光电探测器近红外光电探测晶体管发光二极管光子上转换效率光亮度开关比; Keywords NIR visualization device NIR photodetector NIR phototransistor light-emitting diode photon-to-photon upconversion efficiency luminance on-off ratio; 分类号 TN383+.1 [电子电信—物理电子学] TN383+.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于等离子体增强上转换发光的窄带1550 nm光探测: 6; 作者周博明覃子晟王姝欢杨棕媛江苇瑶赵赫然曹鹏鲍民杰程惠宁季亚楠; 机构大连民族大学物理与材料工程学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期139-148,共10页; 基金国家自然科学基金(12104084) 辽宁省教育厅基本科研项目(LJKQR20222484) +1 种基金区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室开放基金(2023GZKF06)。; 文摘近红外光(NIR)探测技术在军事、通信和工业应用中发挥着重要的作用,巨大的市场需求带动了NIR光电探测器(PDs)研究的快速发展。具有双光子或多光子泵浦特性的稀土掺杂上转换纳米颗粒(UCNPs)可以将NIR光子转换为可见光子或紫外光子,并被禁带宽度更宽的半导体吸收,进而制备出性能优异的上转换PDs。然而,NIR窄带上转换PDs的实现仍然面临一些困难,例如稀土离子荧光量子效率低、需要高泵浦阈值才能实现可探测的上转换发光。在此,我们利用NaYF4∶4%Er UCNPs与钙钛矿半导体层相结合,实现了1550 nm的窄带上转换PDs。通过使用具有局域表面等离子体共振效应的银纳米棒层(Ag NRs)增强了UCNPs的上转换发光,从而降低了上转换PDs的泵浦阈值。基于Ag NRs/NaYF4∶4%Er UCNPs/MAPbI3复合结构的PDs的最佳响应度(R)和探测率(D*)分别约为48.5 mA/W和5.7×10^(8) Jones。与纯UNCP/MAPbI3 PDs相比,R和D*均提高了一个数量级。我们成功地构建了一种简单的策略来制造出稳定的近红外窄带PDs。; 关键词上转换发光局域表面等离子体共振局域场调制窄带近红外光电探测器; Keywords upconversion luminescence localized surface plasmon resonance local field modulation narrowband near-infrared photodetectors; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究: 7; 作者王领航介万奇; 机构西安交通大学电子材料研究所西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期863-865,870,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50336040); 文摘以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.; 关键词碲铟汞晶体生长垂直Bridgman法半导体材料近红外光电探测器; Keywords mercury indium telluride crystal growth vertical Bridgman method semiconductor materials NIR photovohaic detector; 分类号 O782 [理学—晶体学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制	汪建元陈松岩李成	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于SnSe_(2.37)薄膜材料的高性能近红外光电探测器	祝新发孟宪成刘哲贺彪段伟帅孙春王蒙军范超	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	二极管型近红外聚合物光电探测器研究进展	肖建花蒋亚东王洋黎威志太惠玲	《红外技术》 CSCD 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高性能石墨烯/金字塔硅异质结近红外光探测器	周国方蓝镇立余浪何峰	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	近红外光的可视化及其应用	刘映雪朱福荣	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于等离子体增强上转换发光的窄带1550 nm光探测	周博明覃子晟王姝欢杨棕媛江苇瑶赵赫然曹鹏鲍民杰程惠宁季亚楠	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究	王领航介万奇	《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料