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基于钙钛矿单晶片表面周期性结构的高性能近红外光探测器
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作者 张振宇 汪国平 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期124-132,共9页
借助空间限域法制备了毫米级的甲基碘化铅铵(MAPbI_(3))单晶片,并利用聚焦离子束刻蚀(FIB)技术在其表面加工周期性结构,使其共振吸收峰调节至近红外波段,基于此有源层构筑了纵向结构的光探测器.相比于MAPbI_(3)单晶片基器件,该器件对双... 借助空间限域法制备了毫米级的甲基碘化铅铵(MAPbI_(3))单晶片,并利用聚焦离子束刻蚀(FIB)技术在其表面加工周期性结构,使其共振吸收峰调节至近红外波段,基于此有源层构筑了纵向结构的光探测器.相比于MAPbI_(3)单晶片基器件,该器件对双光子近红外光(1064 nm)的探测能力有近2个数量级的显著提高,响应度达0.6 A/W,开关比可达1.7×10^(4)(动态线性区约84.6 dB),外量子效率为58.2%,比探测率约为6.3×10^(12) Jones(1 Jones=1 cm·Hz^(1/2)·W^(-1)).研究结果证实了利用FIB技术加工MAPbI_(3)单晶片表面周期性结构的高度可行性,这将促进钙钛矿单晶片基高性能近红外光探测器的设计和制备. 展开更多
关键词 钙钛矿单晶片 近红外光探测器 聚焦离子束刻蚀 共振吸收
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基于石墨烯/硅微米孔阵列异质结的高性能近红外光探测器 被引量:3
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作者 何峰 徐波 +2 位作者 蓝镇立 宋轶佶 曾庆平 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第11期1236-1242,共7页
本文报道了一种由石墨烯和硅微米孔阵列构筑的异质结探测器,具备高性能近红外光探测能力。通过光刻和反应离子刻蚀技术制备的硅微米孔阵列具有整齐光滑的表面,保证了较低的表面载流子复合速率。同时,孔阵列结构能有效地抑制入射光的反射... 本文报道了一种由石墨烯和硅微米孔阵列构筑的异质结探测器,具备高性能近红外光探测能力。通过光刻和反应离子刻蚀技术制备的硅微米孔阵列具有整齐光滑的表面,保证了较低的表面载流子复合速率。同时,孔阵列结构能有效地抑制入射光的反射,增加了有效光照面积,提高了石墨烯/硅异质结的吸收效率,从而提高了器件的光响应度。器件在±3 V偏压下表现出明显的电流整流特性,整流比为4.30×10^(5),在功率密度为4.25 m W/cm^(2)的810 nm入射光照射下器件的开关比达到了9.20×10^(5)。在入射光强为118.00μW/cm^(2)的810 nm光照下,光探测器的电流响应度可达到679.70mA/W,探测率为3.40×10^(12)Jones;入射光强为7.00μW/cm^(2)电压响应度为1.79×10^(6)V/W。更重要的是,该器件具有20.00/21.30μs的升/降响应速度。相比于商业化硅光电二极管,石墨烯/硅微米孔阵列光电探测器结构简单、制备工艺简便,有望大幅降低制备成本。研究结果显示了石墨烯/硅微米孔阵列异质结探测器在未来低成本、稳定和高效近红外光探测应用方面的巨大潜力。 展开更多
关键词 石墨烯 近红外光探测器 异质结 微结构
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硅肖特基结自滤波窄带近红外光探测器的研究
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作者 刘浩 徐艳 +2 位作者 宋龙梅 夏宇 于永强 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第3期342-346,共5页
窄带近红外光探测器因对特定波长有很高的灵敏度,在临床诊断、治疗设备或可穿戴的功能性监测设备等生物医学领域具有广阔的应用前景。文章基于硅基光吸收及肖特基结光生载流子收集特性的分析,首次采用Silvaco TCAD设计了光谱可调的硅/... 窄带近红外光探测器因对特定波长有很高的灵敏度,在临床诊断、治疗设备或可穿戴的功能性监测设备等生物医学领域具有广阔的应用前景。文章基于硅基光吸收及肖特基结光生载流子收集特性的分析,首次采用Silvaco TCAD设计了光谱可调的硅/石墨烯肖特基二极管窄带近红外光探测器。利用湿法转移石墨烯电极制备了硅/石墨烯肖特基二极管,光电特性表征发现,器件具有自滤光的、可见光盲的近红外窄带响应,中心波长为1010 nm,半峰宽为180 nm,成功验证了硅基肖特基窄带近红外光探测器的设计。研究结果为窄带近红外光探测器等新型光电探测器的设计提供一定的理论支持和实验参考。 展开更多
关键词 肖特基结 TCAD仿真 近红外光探测器 窄带
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高性能石墨烯/金字塔硅异质结近红外光探测器 被引量:1
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作者 周国方 蓝镇立 +1 位作者 余浪 何峰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期552-558,共7页
石墨烯具有优异的光学性质和电学性质,在快速宽光谱光电探测方面有极大的潜力。本文设计并制备一种高性能石墨烯/n型金字塔硅异质结近红外光探测器。高质量石墨烯是采用化学气相沉积法制备的,通过湿法转移将其转移到n型金字塔硅表面,从... 石墨烯具有优异的光学性质和电学性质,在快速宽光谱光电探测方面有极大的潜力。本文设计并制备一种高性能石墨烯/n型金字塔硅异质结近红外光探测器。高质量石墨烯是采用化学气相沉积法制备的,通过湿法转移将其转移到n型金字塔硅表面,从而获得具有垂直结构的石墨烯/金字塔硅异质结器件。测试结果表明,在无光照条件下,器件的整流比达到了6.9×10^(5);在970 nm近红外光的照射下,电流开关比高达5.3×10^(4),电流响应度、外量子效率、光电压响应度和比探测率分别可达577.6 mA·W^(-1)、73.97%、1.26×10^(6)V·W^(-1)和4.92×10^(12)Jones。此外,器件具有快的响应速度,上升和下降时间分别为22μs和14.5μs。最后,还对器件稳定性进行研究,在空气环境中放置3个月后,光电流基本没有衰减,表明了器件具有优异的空气稳定性。 展开更多
关键词 石墨烯 红外光探测器 金字塔硅 异质结
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Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制 被引量:1
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作者 汪建元 陈松岩 李成 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期660-664,共5页
采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge... 采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6A/cm2),与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。 展开更多
关键词 多层Ge量子点 红外光探测器 UHV/CVD系统 自组织生长
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二极管型近红外聚合物光电探测器研究进展 被引量:2
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作者 肖建花 蒋亚东 +2 位作者 王洋 黎威志 太惠玲 《红外技术》 CSCD 北大核心 2020年第10期917-926,共10页
近红外聚合物光电探测器的光电特性灵活可调、与柔性基板兼容性好、制备工艺简单且成本低,在航空、军事、工业、医疗等领域具有较大应用前景。近红外聚合物光电探测器的结构类型包括光电导体、光电二极管及光电晶体管,其中光电二极管的... 近红外聚合物光电探测器的光电特性灵活可调、与柔性基板兼容性好、制备工艺简单且成本低,在航空、军事、工业、医疗等领域具有较大应用前景。近红外聚合物光电探测器的结构类型包括光电导体、光电二极管及光电晶体管,其中光电二极管的研究最为广泛。本文对近红外聚合物光电二极管(near-infrared polymer photodiodes,NIR PPD)的研究进展进行综述:首先,介绍了NIR PPD的光电转换原理;其次,分别从新材料合成和器件结构设计角度,详细讨论了在改善NIR PPD性能方面取得的重要进展;最后,总结全文并提出当前NIR PPD研究存在的挑战及其发展前景。 展开更多
关键词 红外光探测器 光电二极管 聚合物 窄带隙材料
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p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化 被引量:5
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作者 朱敏 陈俊 +2 位作者 吕加兵 唐恒敬 李雪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期117-121,共5页
利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的... 利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层厚度的增加而增大;当吸收层掺杂浓度不断上升时,器件暗电流不断降低,当掺杂浓度上升到2×1017/cm3时,暗电流达到最低值.本文还研究了p-i-n型探测器的瞬态响应,探究了响应速度与反偏电压之间的关系,发现提高反偏电压能减小探测器响应时间. 展开更多
关键词 INGAAS/INP 近红外光探测器 暗电流 光响应 瞬态响应
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高性能石墨烯/硅纳米线阵列异质结光探测器 被引量:1
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作者 蓝镇立 何峰 +2 位作者 宋轶佶 丁玎 周国方 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1671-1677,共7页
设计了基于石墨烯/硅纳米线阵列异质结的高灵敏度自驱动光探测器。该探测器中的纳米线阵列为直径约为100 nm的周期性结构,表面纳米结构的光捕获效应可以有效地抑制入射光的反射,增加了有效光照面积,增强了异质结的吸收,从而提高了器件... 设计了基于石墨烯/硅纳米线阵列异质结的高灵敏度自驱动光探测器。该探测器中的纳米线阵列为直径约为100 nm的周期性结构,表面纳米结构的光捕获效应可以有效地抑制入射光的反射,增加了有效光照面积,增强了异质结的吸收,从而提高了器件的光电检测性能。实验制备出的异质结在±3 V偏压下表现出明显的电流整流特性,整流比为6.93×10^(5)。此外,由于纳米线阵列的光捕获效应增强了探测器在紫外到近红外的吸收,所以该探测器的探测范围可以从紫外到近红外光。在入射波长810 nm、光强为90μW/cm^(2)的光照下,光探测器的光电流响应度可以达到0.56 A·W^(-1),光电压响应度达1.24×10^(6)V·W^(-1),探测率为1.18×10^(12)Jones。更重要的是,该器件具有30/32μs的快速升/降响应速度。 展开更多
关键词 纳米线阵列 近红外光探测器 光捕获效应 异质结
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近红外光的可视化及其应用 被引量:2
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作者 刘映雪 朱福荣 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期78-104,共27页
开发高性能的近红外可视化器件在生物成像、食物检测、健康监测和环境分析等领域有着重要意义。近红外可视化器件由光探测单元和发光单元组成,可将人眼不可视的近红外光转换为可见光。其工作机制是,光探测单元作为发光单元的载流子注入... 开发高性能的近红外可视化器件在生物成像、食物检测、健康监测和环境分析等领域有着重要意义。近红外可视化器件由光探测单元和发光单元组成,可将人眼不可视的近红外光转换为可见光。其工作机制是,光探测单元作为发光单元的载流子注入层,在近红外光下产生光电流,因而被近红外光照射的区域会产生电荷注入,在发光单元的对应区域复合发光,发射可见光。没有近红外光照射时,光探测单元中不产生光电流,将抑制发光单元中的电荷注入,因而不发光。因此,近红外可视化器件可用于对辐射、反射或吸收近红外光的物质成像。本综述介绍了近红外可视化器件的工作原理和最新进展,包括基于无机、有机半导体等不同材料的近红外可视化器件。研究发现,近红外可视化器件的光子转换效率由近红外光探测单元和发光单元的光电转换效率决定。本文归纳了提高近红外可视化器件的光子-光子转换效率的方法和相关工作,探讨和展望了近红外光的可视化技术在三维图像分析、近红外检测卡、生物成像、健康和环境监测与检测的应用前景。 展开更多
关键词 红外可视化器件 红外光探测器 红外光探测晶体管 发光二极管 光子上转换效率 光亮度开关比
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基于等离子体增强上转换发光的窄带1550 nm光探测
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作者 周博明 覃子晟 +7 位作者 王姝欢 杨棕媛 江苇瑶 赵赫然 曹鹏 鲍民杰 程惠宁 季亚楠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期139-148,共10页
近红外光(NIR)探测技术在军事、通信和工业应用中发挥着重要的作用,巨大的市场需求带动了NIR光电探测器(PDs)研究的快速发展。具有双光子或多光子泵浦特性的稀土掺杂上转换纳米颗粒(UCNPs)可以将NIR光子转换为可见光子或紫外光子,并被... 近红外光(NIR)探测技术在军事、通信和工业应用中发挥着重要的作用,巨大的市场需求带动了NIR光电探测器(PDs)研究的快速发展。具有双光子或多光子泵浦特性的稀土掺杂上转换纳米颗粒(UCNPs)可以将NIR光子转换为可见光子或紫外光子,并被禁带宽度更宽的半导体吸收,进而制备出性能优异的上转换PDs。然而,NIR窄带上转换PDs的实现仍然面临一些困难,例如稀土离子荧光量子效率低、需要高泵浦阈值才能实现可探测的上转换发光。在此,我们利用NaYF4∶4%Er UCNPs与钙钛矿半导体层相结合,实现了1550 nm的窄带上转换PDs。通过使用具有局域表面等离子体共振效应的银纳米棒层(Ag NRs)增强了UCNPs的上转换发光,从而降低了上转换PDs的泵浦阈值。基于Ag NRs/NaYF4∶4%Er UCNPs/MAPbI3复合结构的PDs的最佳响应度(R)和探测率(D*)分别约为48.5 mA/W和5.7×10^(8) Jones。与纯UNCP/MAPbI3 PDs相比,R和D*均提高了一个数量级。我们成功地构建了一种简单的策略来制造出稳定的近红外窄带PDs。 展开更多
关键词 上转换发光 局域表面等离子体共振 局域场调制 窄带红外光探测器
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Visible to near-infrared photodetector based on organic semiconductor single crystal
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作者 LI Xiang HU Jin-Han +7 位作者 ZHONG Zhi-Peng CHEN Yu-Zhong WANG Zhi-Qiang SONG Miao-Miao WANG Yang ZHANG Lei LI Jian-Feng HUANG Hai 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第1期46-51,共6页
Organic semiconductor materials have shown unique advantages in the development of optoelectronic devices due to their ease of preparation,low cost,lightweight,and flexibility.In this work,we explored the application ... Organic semiconductor materials have shown unique advantages in the development of optoelectronic devices due to their ease of preparation,low cost,lightweight,and flexibility.In this work,we explored the application of the organic semiconductor Y6-1O single crystal in photodetection devices.Firstly,Y6-1O single crystal material was prepared on a silicon substrate using solution droplet casting method.The optical properties of Y6-1O material were characterized by polarized optical microscopy,fluorescence spectroscopy,etc.,confirming its highly single crystalline performance and emission properties in the near-infrared region.Phototransistors based on Y6-1O materials with different thicknesses were then fabricated and tested.It was found that the devices exhibited good visible to near-infrared photoresponse,with the maximum photoresponse in the near-infrared region at 785 nm.The photocurrent on/off ratio reaches 10^(2),and photoresponsivity reaches 16 mA/W.It was also found that the spectral response of the device could be regulated by gate voltage as well as the material thickness,providing important conditions for optimizing the performance of near-infrared photodetectors.This study not only demonstrates the excellent performance of organic phototransistors based on Y6-1O single crystal material in near-infrared detection but also provides new ideas and directions for the future development of infrared detectors. 展开更多
关键词 near-infrared photodetector organic semiconductor Y6-1O single crystal spectral response
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Ultrafast Self-powered Near-infrared Photodetectors and Imaging Array Based on Tin-lead Mixed Perovskites
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作者 LIU Jingjing YANG Zhichun +7 位作者 BAO Haotian MENG Xinqin QI Minru YANG Changgang ZHANG Guofeng QIN Chengbing XIAO Liantuan JIA Suotang 《发光学报》 北大核心 2025年第6期1037-1047,共11页
Tin-lead(Sn-Pb)mixed perovskites are extensively investigated in near-infrared(NIR)photodetectors(PDs)owing to their excellent photoelectric performance.However,achieving high-performance Sn-Pb mixed PDs remains chall... Tin-lead(Sn-Pb)mixed perovskites are extensively investigated in near-infrared(NIR)photodetectors(PDs)owing to their excellent photoelectric performance.However,achieving high-performance Sn-Pb mixed PDs remains challenging,primarily because of the rapid crystallization and the susceptibility of Sn^(2+) to oxidation.To ad⁃dress these issues,this study introduces the multifunctional molecules 2,3-difluorobenzenamine(DBM)to modulate the crystallization of Sn-Pb mixed perovskites and retard the oxidation of Sn^(2+),thereby significantly enhancing film quality.Compared with the pristine film,Sn-Pb mixed perovskite films modulated by DBM molecules exhibit a high⁃ly homogeneous morphology,reduced roughness and defect density.The self-powered NIR PDs fabricated with the improved films have a spectral response range from 300 nm to 1100 nm,a peak responsivity of 0.51 A·W^(-1),a spe⁃cific detectivity as high as 2.46×10^(11)Jones within the NIR region(780 nm to 1100 nm),a linear dynamic range ex⁃ceeding 152 dB,and ultrafast rise/fall time of 123/464 ns.Thanks to the outstanding performance of PDs,the fabri⁃cated 5×5 PDs array demonstrates superior imaging ability in the NIR region up to 980 nm.This work advances the development of Sn-Pb mixed perovskites for NIR detection and paves the way for their commercialization. 展开更多
关键词 tin-lead mixed perovskites near-infrared photodetectors imaging array oxidation crystallization modulation
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碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究
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作者 王领航 介万奇 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期863-865,870,共4页
以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对... 以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象. 展开更多
关键词 碲铟汞 晶体生长 垂直Bridgman法 半导体材料 红外光探测器
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