常压化学气相输运法合成Zn_(1-x)Co_xO晶体 被引量：1

1

作者 蔡淑珍 李志强 +2 位作者 徐丽云 郑一博 韦志仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期565-568,共4页

本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{... 本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{0001-}和正极面c{0001},晶体表面光滑。在石英基片上得到的Zn1-xCoxO晶体生长的棱面较模糊,基片的部分晶体非定向密集生长,连续形成薄膜结构。X衍射证实晶体为ZnO纤锌矿结构。X光能谱(EDS)测量表明ZnO晶体有钴离子的存在,且浓度随原料中的Co2O3:ZnO的比值增大而增加。 展开更多

关键词 化学气相输运法 蓝宝石 石英 Zn1-xCoxO晶体

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Co掺杂对化学气相输运法合成ZnO形貌影响

2

作者 李志强 徐丽云 +3 位作者 赵起 郑一博 韦志仁 侯志青 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1211-1214,共4页

采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌。分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{... 采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌。分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{0001}和正极面c{0001},随着Co掺入量的增加得到的Zn1-xCoxO晶体表面趋于光滑,晶体六棱结构趋于不对称,锥面面积减小,极性生长特性减弱。Zn1-xCoxO晶体的X射线能谱图显示Co的掺入量与原料配比中Co的量几乎成正比,Co可以大比例掺入ZnO晶体中。 展开更多

关键词 化学气相输运法 蓝宝石 Zn1-xCoxO晶体

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改进两温区气相输运法合成磷锗锌多晶材料

3

作者 赵欣 朱世富 吴小娟 《人工晶体学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第12期3473-3478,共6页

按富P 0.5%配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP_2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,提高了合成产量。经XRD,SEM,EDS分析结果表明:新方法合成的ZnGeP_2多晶原料纯度高,具有黄铜矿结构,空间... 按富P 0.5%配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP_2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,提高了合成产量。经XRD,SEM,EDS分析结果表明:新方法合成的ZnGeP_2多晶原料纯度高,具有黄铜矿结构,空间群为42m,晶格常数a=b=0.5456 nm,c=1.0691 nm,多晶料的组成元素原子比Zn∶Ge∶P=1∶0.95∶2.06,接近ZnGeP_2的理想化学配比Zn∶Ge∶P=1∶1∶2。以此为原料,用坩埚下降法生长出等径尺寸约为Φ25 mm×50 mm的ZnGeP_2单晶体。 展开更多

关键词 磷锗锌 多晶合成 双层安瓿 两温区气相输运法

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CZTS基单晶材料研究进展和展望 被引量：1

4

作者 傅文峰 朱旭鹏 +3 位作者 廖峻 汝强 薛书文 张军 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期12-24,共13页

Ⅰ_(2)-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_(4)型半导体铜锌锡硫(CZTS)在成本、组成元素丰度、毒性和稳定性等方面具有突出优势,被认为是一种很有前途的太阳能吸收材料,应用于绿色和经济的光伏领域。尽管Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)拥有与黄铜矿相似的晶体结构和光电性... Ⅰ_(2)-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_(4)型半导体铜锌锡硫(CZTS)在成本、组成元素丰度、毒性和稳定性等方面具有突出优势,被认为是一种很有前途的太阳能吸收材料,应用于绿色和经济的光伏领域。尽管Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)拥有与黄铜矿相似的晶体结构和光电性能,但其转换效率却远远低于Cu(In,Ga)Se_(2)(23.5%)。传统研究多数集中在多晶薄膜材料和器件的光电性能,导致材料关键缺陷态甄别及其能带调控规律尚不清晰,成为限制CZTS基光电器件性能的瓶颈。本文综述了CZTS基单晶材料,详细介绍了其晶体结构和物理性质,概述了移动加热器法、碘输运法和熔盐法制备高质量单晶的工艺,多型纳米晶库的研究,以及天然锌黄锡矿的物性研究。根据制备的CZTS基单晶材料讨论了其光学和电学性能。最后总结了CZTS基单晶材料在半导体器件的应用及目前存在的问题,为提高Ⅰ_(2)-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_(4)型半导体材料器件的性能提供可能的发展方向。 展开更多

关键词 铜锌锡硫 天然锌黄锡矿 缺陷态 光电性质 移动加热器法 碘输运法 熔盐法

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活鱼运输的几种方法 被引量：5

5

作者 张卫 苏南 《湖南农业》 2004年第4期21-21,共1页

关键词 活鱼运输 传统运法 活水船运法 充氧密封运法 车运法

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高效制氢装置阴极结构设计及性能分析

6

作者 刘颖 于童 +1 位作者 陆鑫 孙江 《机械设计》 CSCD 北大核心 2024年第S02期110-113,共4页

使用化学气相输运法(CVT)制备了高质量Sc掺杂SiP晶体,并探究了Sc掺杂对SiP HER活性的影响。结果显示,掺杂Sc后的SiP具有更优异的HER性能,在电流密度为10 mA/cm2时的过电位为112.8 mV,Tafel斜率为85.09 mV/dec,电化学活性表面积为245 cm2... 使用化学气相输运法(CVT)制备了高质量Sc掺杂SiP晶体,并探究了Sc掺杂对SiP HER活性的影响。结果显示,掺杂Sc后的SiP具有更优异的HER性能,在电流密度为10 mA/cm2时的过电位为112.8 mV,Tafel斜率为85.09 mV/dec,电化学活性表面积为245 cm2,并具有优异的稳定性。该研究为开发具有高效活性的新型催化剂在HER和其他储能领域的应用提供了深入的见解。 展开更多

关键词 储能材料 电催化析氢反应 化学气相输运法 Sc-SiP阴极催化剂

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ZnSe单晶的生长 被引量：5

7

作者 顾庆天 魏景谦 +3 位作者 吕孟凯 史伟 王继扬 房昌水 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期147-,共1页

ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第... ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第一只蓝绿光半导体激光器后 ,各国纷纷开展深入研究。目前 ,已经得到在室温下连续工作 40 0h的激光器。但是由于GaAs和ZnSe热膨胀系数和晶格常数的差异引起的缺陷 ,严重影响器件的寿命 ,为了克服这个问题 ,现正研究在ZnSe衬底上进行同质外延生长。这就需要大块的优质单晶 ,因此 ,我们对ZnSe单晶的生长展开了研究。我们采用物理气相输运法 (PVT)和化学气相输运法 (CVT)生长 ,均得到ZnSe单晶。CVT法采用I2 作输运剂 ,生长温度 85 0℃左右 ,温度梯度 2℃ ,晶体由于I2 进入晶相显桔黄色 ,生长面为 ( 1 0 0 )和 ( 1 1 1 )。PVT法生长温度在 1 0 5 0℃左右 ,温度梯度为 2℃ ,晶体只有 ( 1 1 0 )面自然显露 ,由于Zn含量的不同而呈现不同的颜色 ,我们研究了Zn/Se比例对晶体质量及性能的影响。用 30 %NaOH溶液对晶体 ( 1 1 1 )晶片进行腐蚀 ,蚀坑密度低于 2× 1 0 4/cm2 ;采用高分辨X射线衍射仪对 ( 1 0 0 )晶片进行了一系列测试。结果表明我们生长的单晶具有良好的结晶性质 ,无孪? 展开更多

关键词 ZnSe晶体 激光材料 物理气相输运法 化学气相输运法

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超导临界电流测量方法与原理 被引量：17

8

作者 郭志超 索红莉 +2 位作者 刘志勇 刘敏 马麟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2041-2044,共4页

超导材料的临界电流特性是材料最主要的特性之一,总结了在工程测量中临界电流的定义与判别方法;简要概括了目前5种超导临界电流的测量方法与原理;讨论了各种方法的适用范围、测量条件、测量参量、测量结果以及测量精度和测量过程能得到... 超导材料的临界电流特性是材料最主要的特性之一,总结了在工程测量中临界电流的定义与判别方法;简要概括了目前5种超导临界电流的测量方法与原理;讨论了各种方法的适用范围、测量条件、测量参量、测量结果以及测量精度和测量过程能得到的材料的其它信息;把几种测量方法作了总结对比,为选择超导材料电流测量方案提供参考。 展开更多

关键词 临界电流 电输运法 磁测量法 直流交流叠加法

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ZnSe单晶生长及性能研究 被引量：6

9

作者 卢利平 刘景和 +3 位作者 李建立 万玉春 张亮 曾繁明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期215-218,共4页

采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测... 采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。 展开更多

关键词 ZnSe单晶 物理气相输运法 高压坩埚下降法 透过率 吸收系数 发光效率

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磷锗锌多晶合成过程的中间生成物研究 被引量：4

10

作者 曹新玲 朱世富 +5 位作者 赵北君 陈宝军 何知宇 王志超 张建强 杨登辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期558-562,共5页

两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶过程中,易生成一些高熔点的杂质,导致合成材料的纯度较低。选取ZnGeP2多晶合成过程中几个重要温度的合成产物,进行X射线衍射(XRD)和能谱色散分析(EDS),结果表明:ZnGeP2多晶合成过程的中间生成物主要为Zn... 两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶过程中,易生成一些高熔点的杂质,导致合成材料的纯度较低。选取ZnGeP2多晶合成过程中几个重要温度的合成产物,进行X射线衍射(XRD)和能谱色散分析(EDS),结果表明:ZnGeP2多晶合成过程的中间生成物主要为Zn3P2、ZnP2和GeP等。根据分析结果,对合成工艺进行了改进,合成出外观完整、内部致密的ZnGeP2多晶锭。用XRD进行分析,结果表明:改进工艺后合成的是高纯单相ZnGeP2多晶材料,为高质量单晶体生长奠定了可靠基础。 展开更多

关键词 磷锗锌 气相输运法 中间生成物

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Cr2＋：ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能 被引量：3

11

作者 刘长友 介万奇 +3 位作者 张滨滨 査钢强 王涛 谷智 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1382-1386,共5页

采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019... 采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度。荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s。数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18 cm2和2.3×10-18 cm2。 展开更多

关键词 硒化锌 Cr2+掺杂 物理气相输运法

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ZnSe晶体的气相法制备和性能研究 被引量：3

12

作者 刘翠霞 坚增运 朱满 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期20-22,共3页

采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体。比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析。结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,... 采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体。比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析。结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,具有较好的结晶性能,晶格常数为5.668nm,Zn与Se的化学成分比为1∶1,没有其它杂质峰;未加碘的产物为多孔状陶瓷,说明加碘可以明显提高ZnSe的结晶性能,解决了一致升华范围较窄的限制条件,避免了ZnSe生长动力学的限制,因此可以获得理想化学计量比的ZnSe晶体。 展开更多

关键词 ZnSe晶体 化学气相输运法 晶体结构 形貌

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垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体 被引量：2

13

作者 赵欣 金应荣 朱兴华 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期428-431,共4页

碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种... 碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体.研究表明:晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响,适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置,可有效地避免或减轻晶体富碘现象,从而生长出优质的黄色PbI2单晶体. 展开更多

关键词 碘化铅 气相输运法 垂直布里奇曼法 多晶体 单晶体生长

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CdSe单晶体的生长研究 被引量：1

14

作者 朱世富 赵北君 +7 位作者 于丰亮 李正辉 李其峰 邵双运 朱兴华 王学敏 何苗 林剑 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期148-,共1页

硒化镉 (CdSe)晶体有两种结构 ,一种是六方结构 ,6mm点群 ;另一种是立方结构 ,43m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温半导体探测器材料。其能隙较大 (Eg =1 .75eV) ,电阻率较高 ( 1 0 12 Ω·cm) ,在室温高... 硒化镉 (CdSe)晶体有两种结构 ,一种是六方结构 ,6mm点群 ;另一种是立方结构 ,43m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温半导体探测器材料。其能隙较大 (Eg =1 .75eV) ,电阻率较高 ( 1 0 12 Ω·cm) ,在室温高偏压下 ,漏电流很小 ,电子和空隙迁移率较大 ( μc=72 0cm2 /V·s,μh=75cm2 /V·s) ,电子俘获浓度大 (Nt=1 0 14 /cm3 ) ,电荷收集效率高 ,稳定性好 ,没有像在CdTe和HgI2 晶体中观测到的极化现象 ,力学、热学和化学稳定性能也优于HgI2 晶体。因此 ,CdSe晶体是一种有希望替代CdTe和HgI2 的室温核辐射探测器新材料 ,用其制作的探测器和各种谱仪可广泛用于探矿、无损检测、核医学、环境监测、军事和空间宇航技术等领域。CdSe晶体熔点高达 1 2 39℃ ,在熔点附近平衡蒸汽压高达十几个大气压 ,因此其单晶体难以用常规的熔体法生长。我们采用水平气相输运法进行了CdSe单晶体生长试验 ,对其在不同温度和温度梯度下的结晶特性进行了研究 ,确定出生长六方CdSe单晶的较好工艺参量为 :源区蒸发温度 1 1 0 0℃ ,生长界面附近温度梯度为 6℃ /cm ,生长区与源区的距离大约为 1 2cm。在此条件下 ,生长出1 0× 1 2mm外观完整 ,有自然显露晶面的CdSe晶锭。 展开更多

关键词 CdSe晶体 晶体结构 温度梯度 水平气相输运法

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“健、运、清、消”调治小儿病 被引量：7

15

作者 侯江红 《辽宁中医杂志》 CAS 2018年第10期2071-2073,共3页

健、运、清、消四法之健为益气健脾,温中暖胃之义,健法同中医八法之补、温二法;运为助、行、理之义,运法同八法之和法;清为清热泻火、清热利湿、清泻导下、清热凉血、清热解表、清热解毒、清热利尿之义,清法同八法之清、下二法;消为消... 健、运、清、消四法之健为益气健脾,温中暖胃之义,健法同中医八法之补、温二法;运为助、行、理之义,运法同八法之和法;清为清热泻火、清热利湿、清泻导下、清热凉血、清热解表、清热解毒、清热利尿之义,清法同八法之清、下二法;消为消食导滞、消痰利水之义,消法同八法之吐、消、下三法。四法合参可用于小儿滞、疳、吐、泻诸多脾系疾病,久咳、哮喘、乳蛾、易感冒诸多肺系疾病,小儿迟软、生长缓慢、夜啼诸疾和非疾非健康之小儿亚健康诸症,为小儿常见病的治疗提供参考。 展开更多

关键词 健法 运法 清法 消法 八法

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室温核辐射探测材料碘化铟多晶合成及结构分析

16

作者 徐朝鹏 王倩 +3 位作者 张磊 陈飞鸿 王永贞 纪亮亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1460-1464,共5页

以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原... 以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定。研究结果表明:合成的In I多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1。 展开更多

关键词 碘化铟 多晶合成 两温区气相输运法 结构分析

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制备CdSiP_2单晶体的研究进展

17

作者 杨辉 王茂州 曾体贤 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期202-206,共5页

磷硅镉(CdSiP_2)晶体是一种性能优异的新型红外非线性光学晶体材料。自上世纪60年代末期,人们尝试采用卤素辅助气相输运和锡熔液生长法生长CdSiP_2晶体,但得到的晶体尺寸小、质量差,不能满足器件制备的要求。水平梯度冷凝法虽然可以生... 磷硅镉(CdSiP_2)晶体是一种性能优异的新型红外非线性光学晶体材料。自上世纪60年代末期,人们尝试采用卤素辅助气相输运和锡熔液生长法生长CdSiP_2晶体,但得到的晶体尺寸小、质量差,不能满足器件制备的要求。水平梯度冷凝法虽然可以生长较大尺寸晶体,对生长技术和设备条件的要求较高,生长环境不稳定,无法解决化学计量偏离和孪晶缺陷等的问题。近年来,采用布里奇曼法获得了尺寸较大、质量较好的CdSiP_2单晶体,为激光频率转换器件的制备奠定了基础,但晶体性质参数的缺乏、生长工艺的不成熟与难以避免的宏观缺陷严重制约了器件的应用,也是亟待解决的问题。 展开更多

关键词 CdSiP2晶体 卤素辅助气相输运法 锡熔液生长法 水平梯度冷凝法

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衬底温度对碲化镉薄膜性质及太阳电池性能的影响 被引量：5

18

作者 曹胜 武莉莉 +6 位作者 冯良桓 王文武 张静全 郁骁骑 李鑫鑫 李卫 黎兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期141-147,共7页

蒸汽输运法是制备高质量且大面积均匀的Cd Te薄膜的一种优良的方法。采用自主研发的一套蒸汽输运沉积系统制备了Cd Te多晶薄膜,并研究了衬底温度对Cd Te薄膜性质及太阳电池性能的影响。利用XRD、SEM、UV-Vis和Hall等测试手段研究了衬底... 蒸汽输运法是制备高质量且大面积均匀的Cd Te薄膜的一种优良的方法。采用自主研发的一套蒸汽输运沉积系统制备了Cd Te多晶薄膜,并研究了衬底温度对Cd Te薄膜性质及太阳电池性能的影响。利用XRD、SEM、UV-Vis和Hall等测试手段研究了衬底温度对薄膜的结构、光学性质和电学性质的影响。结果表明,蒸汽输运法制备的Cd Te薄膜具有立方相结构,且沿（111）方向高度择优。随着衬底温度的升高（520℃~640℃）,Cd Te薄膜的平均晶粒尺寸从2μm增大到约6μm,Cd Te薄膜的载流子浓度也从1.93×10^10 cm–3提高到2.36×10^13 cm–3,说明提高衬底温度能够降低Cd Te薄膜的缺陷复合,使薄膜的p型更强。实验进一步研究了衬底温度对Cd Te薄膜太阳电池性能的影响,结果表明适当提高衬底温度,能够大幅度提高电池的效率、开路电压和填充因子,但是过高的衬底温度又会降低电池的长波光谱响应,导致电池转换效率的下降。经过参数优化,在衬底温度为610℃、无背接触层小面积Cd Te薄膜太阳电池的转换效率达到11.2%。 展开更多

关键词 蒸汽输运法 CD Te薄膜 衬底温度 转换效率

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CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究 被引量：2

19

作者 李寒松 李焕勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期290-293,297,共5页

本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析。研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40%～42%,具有较高的结晶质量。该ZnSe单晶可与In电极形成良好... 本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析。研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40%～42%,具有较高的结晶质量。该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3×109Ω.cm。 展开更多

关键词 化学气相输运法 ZnSe单晶 光电特性 透过率 电阻率

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非对称扩散工艺制备近化学计量比钽酸锂晶体的研究 被引量：1

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作者 杨金凤 商继芳 +4 位作者 李清连 杨亚林 徐军 付主木 孙军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1141-1146,共6页

利用气相平衡输运法制备的近化学计量比钽酸锂晶体质量好,制备工艺简单,但受固体扩散速率低的影响,该方法较难制备大厚度晶体。本文基于钽酸锂晶体的扩散机制,采用待扩散晶片一侧为富锂气氛,另一侧为同成分气氛的非对称扩散工艺,对钽酸... 利用气相平衡输运法制备的近化学计量比钽酸锂晶体质量好,制备工艺简单,但受固体扩散速率低的影响,该方法较难制备大厚度晶体。本文基于钽酸锂晶体的扩散机制,采用待扩散晶片一侧为富锂气氛,另一侧为同成分气氛的非对称扩散工艺,对钽酸锂晶体进行了扩散处理,并对组分和畴反转电场进行表征。结果表明,非对称扩散工艺为反位钽离子的扩散提供了通道,提高了晶体中反位钽离子和锂离子的扩散速率,有利于制备大厚度近化学计量比钽酸锂晶体。 展开更多

关键词 近化学计量比 钽酸锂晶体 气相平衡输运法 非对称扩散工艺 富锂气氛 扩散速率 同成分

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