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题名交流特高压支柱瓷绝缘子的自然积污特性研究
被引量：18
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作者
张锐
黄道春
吴光亚
袁田
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机构
中国电力科学研究院
武汉大学电气工程学院
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出处
《电网技术》
EI
CSCD
北大核心
2014年第11期3217-3223,共7页
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基金
国家电网公司重点科技项目(SGTGY[2009]671)~~
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文摘
为研究特高压支柱瓷绝缘子的自然积污规律,重点对荆门特高压变电站运行的支柱瓷绝缘子进行了连续3 a的积污检测。测量了盐密(equivalent salt deposit density,ESDD)、灰密(non soluble deposit density,NSDD)及污秽成分,对比分析了伞裙上表面与下表面、迎风面与背风面、平均直径、连续积污等对支柱绝缘子自然积污特性的影响规律。结果表明,1 a的积污期条件下(2010年4月至2011年4月):1)单个1000k V支柱瓷绝缘子整柱污秽分布较不均匀,高压端与其他部位的ESDD平均比值为3.4,NSDD平均比值为2.3。2)绝缘子伞裙上表面污秽度普遍高于下表面。上下表面ESDD不均匀积污比平均为1.8,上下表面NSDD不均匀积污比平均为1.6。3)绝缘子伞裙背风面污秽度普遍高于迎风面。ESDD迎风面与背风面不均匀积污比平均为0.64,NSDD迎风面与背风面不均匀积污比平均为0.55。4)饱和ESDD与连续积污时间不成正比关系,而NSDD基本与连续积污时间成正比关系。5)ESDD和NSDD随平均直径的增大呈下降趋势。6)绝缘子表面污秽物中CaS O4含量平均为68%。研究结果可为我国特高压工程外绝缘设计、产品制造和运行检修提供参考。
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关键词
特高压支柱瓷绝缘子
污秽度测量
自然积污特性
盐密
灰密
上下表面不均匀积污比(T/B)
迎风面与背风面积污比(w/l)
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Keywords
UHV post porcelain insulator
pollution severity measurement
natural contamination characteristics
ESDD
NSDD
uneven contaminant accumulation ratio of ESDD of the top surface of the shed to that on the bottom surface of the shed（T/B）
uneven contaminant accumulation ratio of NSDD at the windward side of insulator to that at the leeward side of insulator（w/l）
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分类号
TM86
[电气工程—高电压与绝缘技术]
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题名1000kV支柱瓷绝缘子自然积污规律试验研究
被引量：9
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作者
张锐
黄道春
吴光亚
袁田
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机构
中国电力科学研究院
武汉大学电气工程学院
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出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3679-3686,共8页
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基金
国家电网公司重点科技项目(SGTGY[2009]671)~~
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文摘
研究1 000 kV支柱瓷绝缘子的自然积污规律可为我国特高压工程外绝缘设计和运行检修提供参考。为此,通过对荆门特高压变电站运行的支柱瓷绝缘子进行了连续3 a的积污观察和检测,测量了等值附盐密度（缩写为ESDD,简称为盐密）、不溶物密度（缩写为NSDD,简称为灰密）及污秽成分,分析了1 000 kV支柱瓷绝缘子污秽不均匀分布特性以及与传统瓷绝缘子积污特性的差异,评估了现阶段绝缘子污秽水平。研究结果表明：11 000kV支柱瓷绝缘子沿面盐密和灰密分布较不均匀,高压端最高,其他部位逐渐走低。绝缘子上表面积污重于下表面,上表面与下表面积污比为1.7~4.4;背风面积污重于迎风面,迎风面与背风面积污比为0.17~0.90;2绝缘子表面污秽物中Ca SO4质量分数为65%~70%,高于线路绝缘子现有测量数据;3随着运行时间的延长,上表面与下表面盐密积污比变化较小,灰密积污比增幅较大;迎风面与背风面积污比呈下降趋势;4对于1 000 kV支柱瓷绝缘子的单个元件,可考虑采取＂前后2点简化法＂测量污秽度;5同一运行环境、不同电压等级的支柱瓷绝缘子积污特性存在一定差异;6基于＂一年一清扫＂的前提,支柱瓷绝缘子的污秽水平现仍处于设计范围,并有一定裕度。
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关键词
1
000
KV
支柱瓷绝缘子
污秽度测量
自然积污规律
等值附盐密度
不溶物密度
上表面与下表面积污比
迎风面与背风面积污比
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Keywords
1 000 kV
post porcelain insulator
pollution severity measurement
natural contamination rules
ESDD
NSDD
deposition ratio of the top surface to bottom surface of insulator
deposition ratio of the windward side to leeward side of insulator
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分类号
TM216
[一般工业技术—材料科学与工程]
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