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碳化硅MOSFET用于500V低压直流断路器的可行性研究
被引量：
4
1
作者
丁锐
石新春
《电测与仪表》
北大核心
2017年第14期64-69,共6页
碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择。从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件...
碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择。从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件参数。在此基础上对断路器正常和短路两种状态下的过电压进行计算,同时根据厂家提供的碳化硅MOSFET参数及特性曲线,利用仿真软件saber建立模型,进行操作过电压分析。并设计两种过电压保护电路使Si C-MOSFET更加安全可靠工作,证明碳化硅MOSFET用于500 V直流断路器的可行性。
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关键词
碳化硅MOSFET
直流断
路
器
直流
电
路
模型
操作
过电压
过电压保护电路
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职称材料
题名
碳化硅MOSFET用于500V低压直流断路器的可行性研究
被引量：
4
1
作者
丁锐
石新春
机构
华北电力大学新能源与电力系统国家重点实验室
出处
《电测与仪表》
北大核心
2017年第14期64-69,共6页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2016MS85)
文摘
碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择。从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件参数。在此基础上对断路器正常和短路两种状态下的过电压进行计算,同时根据厂家提供的碳化硅MOSFET参数及特性曲线,利用仿真软件saber建立模型,进行操作过电压分析。并设计两种过电压保护电路使Si C-MOSFET更加安全可靠工作,证明碳化硅MOSFET用于500 V直流断路器的可行性。
关键词
碳化硅MOSFET
直流断
路
器
直流
电
路
模型
操作
过电压
过电压保护电路
Keywords
silicon carbide MOSFET, DC circuit breaker, DC circuit model, operating over voltage, overvoltage pro-tection circuit
分类号
TM933 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳化硅MOSFET用于500V低压直流断路器的可行性研究
丁锐
石新春
《电测与仪表》
北大核心
2017
4
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