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题名一种CMOS过热保护电路
被引量：8
- 1
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作者
游轶雄
刘正
徐永晋
王健
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机构
上海大学机械电子工程与自动化学院
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出处
《上海大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2002年第4期293-296,共4页
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文摘
提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路 .采用 0 .6 μm n阱互补金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的spectre仿真结果表明 ,此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力 .
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关键词
PTAT
绝对温度
比例
集成电路
金属氧化物半导体
电路结构
CMOS
过热保护电路
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Keywords
thermal shutdown
CMOS
proportional to absolute temperature (PTAT)
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名功率集成电路中过热保护电路的设计
被引量：9
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作者
徐卿
许维胜
吴启迪
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机构
同济大学电子与信息工程学院信控系
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出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第2期47-49,共3页
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基金
2001年度AM基金项目<灵巧功率集成电路在自动控制中的应用研究>资助(02104)。
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文摘
过热保护电路对于功率集成电路而言无疑是十分重要的。在集成电路中的过热保护电路一般利用二极管、三极管的温度特性来做传感器。阐明这种电路的优缺点、工作原理,并对其进行分析。该保护电路主要应用于功率集成电路中,也可以应用于一般的数字或模拟芯片中。
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关键词
功率集成电路
过热保护电路
电路设计
工作原理
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Keywords
diode
mirror current source
Schmidt trigger
integrated circuit(IC)
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种带热滞回功能的低功耗CMOS过热保护电路
被引量：1
- 3
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作者
孙俊岳
刘军
蒋国平
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机构
大连理工大学
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出处
《现代电子技术》
2008年第1期168-171,共4页
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文摘
采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有热滞回功能的过热保护电路,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真。结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3.5 V以上的电源电压工作下,过热温度点基本保持不变,正向约为155℃,负向约为105℃,同时,在27℃,5 V电源电压工作下,电路功耗约为0.25 mW。由于其高稳定和低功耗的特性,可广泛应用在各种集成电路内部。
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关键词
CMOS
过热保护电路
低功耗
热滞回
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Keywords
CMOS
thermal - shutdown circuit
low
power consumption
hysteresis
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TP34
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名一种带保护电路的低功耗LDO
被引量：5
- 4
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作者
杨利君
陈治明
龚正
石寅
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机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
苏州中科半导体集成技术研发中心
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出处
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2011年第3期261-265,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划(863计划)基金资助项目(2009AA011610)
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文摘
为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。
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关键词
低压降线性调节器
过流保护电路
过热保护电路
相位裕度
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Keywords
low dropout regulator（LDO）
over current protection（OCP） circuit
over temperature protection（OTP） circuit
phase margin（PM）
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分类号
F830.5
[经济管理—金融学]
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