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真空阴极电弧沉积(Ti,Al)N薄膜的应用研究 被引量:12
1
作者 付志强 蔡育平 +1 位作者 袁镇海 林松盛 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第8期25-26,42,共3页
为了提高TiN涂层刀具的耐磨性 ,采用钛铝合金靶 ,以真空阴极电弧沉积法制备了(Ti,Al)N涂层。对膜层形貌成分、组织结构及硬度进行了测试及研究 ,并试验了 (Ti,Al)N涂层高速钢钻头及YG6硬质合金刀具的使用寿命。结果表明 :(Ti ,Al)N涂层... 为了提高TiN涂层刀具的耐磨性 ,采用钛铝合金靶 ,以真空阴极电弧沉积法制备了(Ti,Al)N涂层。对膜层形貌成分、组织结构及硬度进行了测试及研究 ,并试验了 (Ti,Al)N涂层高速钢钻头及YG6硬质合金刀具的使用寿命。结果表明 :(Ti ,Al)N涂层硬度高达HV0 .1,15370 0 ,(Ti,Al)N涂层使高速钢钻头及YG6硬质合金刀具的使用寿命显著提高。 展开更多
关键词 真空阴极电弧沉积 涂层刀具 氮化铝 氮化钛
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阴极真空电弧沉积MgO薄膜的椭偏光谱研究 被引量:1
2
作者 刘毅 林晓东 +2 位作者 朱道云 陈弟虎 何振辉 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-30,共5页
采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。利用椭圆偏振光谱、原子力显微镜及扫描电子显微镜分别对不同氧流量下制备的MgO薄膜的厚度,光学常数,表面粗糙度及表面形貌进行了分析,并对椭圆偏振光谱的光学粗糙度结果和原... 采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。利用椭圆偏振光谱、原子力显微镜及扫描电子显微镜分别对不同氧流量下制备的MgO薄膜的厚度,光学常数,表面粗糙度及表面形貌进行了分析,并对椭圆偏振光谱的光学粗糙度结果和原子力显微镜的均方根粗糙度结果进行了对比和分析。结果表明,不同氧流量下制备出的MgO薄膜,表面粗糙度及薄膜颗粒随着氧流量的增加而增大。椭偏光谱与AFM得到的表面粗糙度存在线性一致关系,表明椭偏光谱可作为一种很好的无损分析手段。 展开更多
关键词 阴极真空电弧离子沉积 MgO薄膜 椭圆偏振光谱 表面粗糙度
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真空阴极电弧沉积碳氮膜的研究 被引量:1
3
作者 袁镇海 付志强 +3 位作者 邓其森 林松盛 郑健红 戴达煌 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期329-331,共3页
以氮气为反应气体 ,用真空阴极电弧沉积法沉积了CNx膜 ,并利用金相显微镜、Auger电子谱仪、FTIR及XRD对其进了分析。结果表明 :真空阴极电弧沉积法可以制备含N量高。
关键词 真空阴极电弧沉积 氮气 碳氮膜 制备 结构 化学成分
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过滤阴极真空电弧制备非晶金刚石红外保护膜 被引量:2
4
作者 韩杰才 朱嘉琦 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1795-1799,共5页
采用过滤阴极真空电弧技术,通过施加不同衬底偏压制备了非晶金刚石薄膜。利用纳米压痕仪和光谱椭偏仪测试薄膜的力学性能和光学性能,利用KLA-Tencor台阶仪测试硅衬底在薄膜沉积前后的曲率半径,并根据Stoney方程计算薄膜应力,利用可见光... 采用过滤阴极真空电弧技术,通过施加不同衬底偏压制备了非晶金刚石薄膜。利用纳米压痕仪和光谱椭偏仪测试薄膜的力学性能和光学性能,利用KLA-Tencor台阶仪测试硅衬底在薄膜沉积前后的曲率半径,并根据Stoney方程计算薄膜应力,利用可见光拉曼光谱和电子能量损耗谱研究了薄膜的微结构。实验表明:当衬底负偏压为80 V时,薄膜的硬度、弹性模量、光学带隙和折射率均达到最大值,随着偏压的升高或降低,各参量分别降低;此时,薄膜的sp3杂化含量最高,斜坡系数却最小;在宽红外波段范围内,薄膜的消光系数趋近于零,即红外透明;另外,薄膜具有接近金刚石的高硬度和高模量,并且其微结构以及光学和力学性能可调,因此是一种优异的红外光学窗口增透保护薄膜材料。 展开更多
关键词 非晶金刚石 过滤阴极真空电弧 红外保护膜
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磁过滤真空阴极电弧技术弧电流对四面体非晶碳薄膜性能的影响 被引量:2
5
作者 于振华 姜康 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期1206-1211,共6页
研究了磁过滤阴极真空电弧技术中不同弧电流(20~100 A),制备的四面体非晶碳薄膜性能的影响。通过对薄膜厚度、薄膜硬度、表面形貌以及sp3键含量随弧电流的变化结果进行了测试。结果表明,当弧电流从20增大至100 A,表征薄膜sp杂化碳含量的... 研究了磁过滤阴极真空电弧技术中不同弧电流(20~100 A),制备的四面体非晶碳薄膜性能的影响。通过对薄膜厚度、薄膜硬度、表面形貌以及sp3键含量随弧电流的变化结果进行了测试。结果表明,当弧电流从20增大至100 A,表征薄膜sp杂化碳含量的ID/IG从0.212增加到1.18,显示制备薄膜的sp3键含量逐渐减少,同时sp2键在逐渐增加。随着弧电流值上升,薄膜硬度增加,表明其值与弧电流值呈正相关性,高的弧电流使通过磁过滤器的大颗粒等离子体数增加,从而薄膜表面形貌易于沉积大颗粒,导致薄膜表面质量下降。因此,选择合适的弧电流值可优化Ta-C薄膜制备工艺,本文研究内容为工业应用中通过弧电流调整优化膜层综合性能提供参考。 展开更多
关键词 弧电流 Ta-C薄膜 过滤真空阴极电弧技术 表面质量
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无氢类金刚石薄膜的过滤式阴极电弧沉积
6
作者 朱纪军 陆祖宏 +1 位作者 左敦稳 王珉 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期125-126,共2页
研制了一套过滤式阴极电弧沉积设备 ,并利用该设备成功地获得了类金刚石薄膜。扫描电镜分析表明 :获得的薄膜在硅基片上是光滑和致密的。喇曼光谱研究表明 ,这种薄膜是典型的无氢类金刚石薄膜。膜层的摩擦试验表明 :无氢类金刚石薄膜的... 研制了一套过滤式阴极电弧沉积设备 ,并利用该设备成功地获得了类金刚石薄膜。扫描电镜分析表明 :获得的薄膜在硅基片上是光滑和致密的。喇曼光谱研究表明 ,这种薄膜是典型的无氢类金刚石薄膜。膜层的摩擦试验表明 :无氢类金刚石薄膜的摩擦系数较低 。 展开更多
关键词 无氢 类金刚石薄膜 过滤 阴极电弧沉积
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过滤管道作为第二阳极的磁过滤阴极真空弧沉积系统
7
作者 王广甫 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期775-778,共4页
建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30~ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增... 建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30~ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增大 .对此放电回路及其和MEVVA阳极 展开更多
关键词 阴极真空 等离子体沉积 过滤管道 第二阳极
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磁过滤阴极真空弧沉积装置研究中的等效电路方法
8
作者 王广甫 张荟星 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期16-18,共3页
提出了模拟磁过滤阴极真空弧放电等离子体沉积装置阴极弧放电过程的等效电路 ,并用此电路定性研究了各参数对弧放电的影响 。
关键词 过滤阴极 真空弧放电等离子体沉积装置 阴极弧放电过程 等效电路 薄膜 制备
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双弯管磁过滤阴极真空弧技术沉积超厚多层钛掺杂类金刚石膜 被引量:4
9
作者 姜其立 王浩琦 +3 位作者 周晗 庞盼 刘建武 廖斌 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期53-60,共8页
极端工况对关键部件涂层的性能要求较高,作为常用涂层,薄类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)膜因其厚度的局限性已不能满足日益增长的性能需求,因此超厚DLC膜的制备工艺具有较大的现实意义。采用双弯管磁过滤阴极真空弧沉积技术制备多... 极端工况对关键部件涂层的性能要求较高,作为常用涂层,薄类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)膜因其厚度的局限性已不能满足日益增长的性能需求,因此超厚DLC膜的制备工艺具有较大的现实意义。采用双弯管磁过滤阴极真空弧沉积技术制备多层Ti掺杂DLC膜,并通过显微维氏硬度计、摩擦磨损试验仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、X光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)等对膜的结构和性能进行表征。结果表明:薄膜的沉积速率最高可达0.40μm/min;随着沉积过程中C2H2流量的增加,Ti掺杂DLC膜中超硬Ti C相的相对含量降低,因此导致膜硬度降低,同时热稳定性变差;通过金属掺杂以及多层复合结构的方法能够有效制备低内应力的DLC膜,同时实现超厚DLC膜(最高可达42.3μm)的制备。 展开更多
关键词 超厚DLC膜 Ti掺杂 双弯管 过滤阴极真空沉积 C2H2
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基于磁过滤阴极真空弧沉积技术制备AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜及其性能研究
10
作者 陈淑年 廖斌 欧阳晓平 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期674-680,共7页
基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制.通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验... 基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制.通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验结果表明:不同沉积离子能量条件下,薄膜具有优异的表面品质;随着沉积离子能量的不断增加,薄膜厚度随之减小;同时,沉积离子能量对高熵晶相的调控有明显效果,沉积离子能量的增加使AlCrTiZrMo高熵合金薄膜微结构从非晶相(am)转变为相稳定的am+FCC纳米复合结构. 展开更多
关键词 过滤阴极真空 非晶高熵合金薄膜 沉积离子能量
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过滤电弧沉积非晶金刚石薄膜的光谱椭偏研究 被引量:4
11
作者 朱嘉琦 韩杰才 +1 位作者 陶艳春 姜春竹 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期203-207,共5页
为了深入理解过滤阴极电弧沉积非晶金刚石薄膜的光学性质,利用光谱椭偏仪研究了薄膜光学常数随测试偏振光波长变化的谱学关系,进而分析了薄膜折射率、消光系数和光学带隙与沉积能量之间的变化规律。实验表明,非晶金刚石薄膜的折射率高... 为了深入理解过滤阴极电弧沉积非晶金刚石薄膜的光学性质,利用光谱椭偏仪研究了薄膜光学常数随测试偏振光波长变化的谱学关系,进而分析了薄膜折射率、消光系数和光学带隙与沉积能量之间的变化规律。实验表明,非晶金刚石薄膜的折射率高于金刚石晶体的折射率,薄膜的吸收光谱在高吸收区可以用抛物线型函数描述,并由此计算Tauc带隙。随着波长向红外延伸,非晶金刚石薄膜的消光系数渐次降低并趋近于零,光学常数因沉积能量变化而实现的调整幅度也逐渐缩小。随着衬底偏压的增加,折射率和光学带隙都是先升高后减小,并在负偏压为80 V时有最大值;而消光系数却是先减小再升高,在负偏压为80 V时有最小值。 展开更多
关键词 非晶金刚石 光谱椭偏 过滤阴极真空电弧 光学性能
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阴极电弧沉积TiN薄膜研究 被引量:5
12
作者 谢致薇 罗广南 +1 位作者 袁镇海 戴达煌 《真空科学与技术》 CSCD 1992年第5期403-407,共5页
对真空阴极电弧沉积TiN装饰膜的沉积工艺和膜层性能的关系进行了研究。结果表明:适当选择N_2分压和负偏压对于改善基体表面离子轰击清洗效果、减少液滴分布、保证膜层颜色和提高膜层耐蚀性至关重要。另外,X射线织构分析表明:(220)织构... 对真空阴极电弧沉积TiN装饰膜的沉积工艺和膜层性能的关系进行了研究。结果表明:适当选择N_2分压和负偏压对于改善基体表面离子轰击清洗效果、减少液滴分布、保证膜层颜色和提高膜层耐蚀性至关重要。另外,X射线织构分析表明:(220)织构随负偏压加大而增加,而(111)织构则随N_2分压增大而增加,这可由离子轰击诱导织构效应解释。 展开更多
关键词 薄膜 氮化钛 阴极电弧沉积 真空
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磁过滤阴极真空弧法制备类金刚石膜的场致发射特性研究 被引量:3
13
作者 李建 童洪辉 +2 位作者 王坤 但敏 金凡亚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期8204-8209,共6页
采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类... 采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类金刚石膜的键合结构和微观形貌进行了表征。研究发现,利用磁过滤阴极真空弧沉积法可以在沉积温度100℃下制备膜基结合力较好的类金刚石膜。沉积速率为15 nm/min。类金刚石膜具有较好的场致发射特性,开启电压约为40 V/μm。Raman分析得到不同基底偏压下的类金刚石膜的ID/IG为1.19~1.57;SEM分析显示薄膜的微观结构上具有微米级突起结构。实验表明,应用磁过滤阴极真空弧方法可以制备出高sp3含量、表面具有微米级突起的类金刚石膜,这种类金刚石膜具有有利于场致发射的特性。 展开更多
关键词 类金刚石膜 场致发射 过滤阴极真空沉积 脉冲偏压 过渡层
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过滤管道磁场在改进真空弧沉积系统中的作用
14
作者 王广甫 张荟星 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2001年第3期229-233,共5页
在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加 30~ 60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用。在此情况下 ,就磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极和磁过滤管道 阴极两个回路弧放电和磁过滤管道等离子体传输效率的影响进... 在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加 30~ 60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用。在此情况下 ,就磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极和磁过滤管道 阴极两个回路弧放电和磁过滤管道等离子体传输效率的影响进行了实验研究。研究结果表明 :随磁过滤磁场升高 ,磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模降低 ,系统的等离子体传输效率升高 。 展开更多
关键词 阴极真空弧放电 过滤管道 第二阳极作用 薄膜 过滤管道磁场 制备 真空沉积系统
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磁过滤阴极真空弧法制备纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜
15
作者 周奎 张旭 +2 位作者 覃礼钊 廖斌 吴先映 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期487-490,共4页
采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在... 采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在无定形碳和碳氮化合物基体中;膜中的化合键主要以Zr—C,C C(sp2)和C—C(sp3)形式存在;随着混合气体流量的增加,薄膜的锆原子分数减小,而N和C的原子分数逐渐增大. 展开更多
关键词 过滤阴极真空弧法(fcva) 纳米nc ZrCN/a—C:H(N)复合膜 气体流量
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沉积气压对电弧离子镀制备MgO薄膜的结构及性能的影响 被引量:2
16
作者 朱道云 郑昌喜 +2 位作者 王明东 陈弟虎 何振辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1316-1319,共4页
采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃及Si衬底上成功地制备了具有择优结晶取向的透明MgO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及紫外-可见吸收光谱仪分别对MgO薄膜微观结构、表面形貌及可见光透过率进行了测试与分析。XRD... 采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃及Si衬底上成功地制备了具有择优结晶取向的透明MgO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及紫外-可见吸收光谱仪分别对MgO薄膜微观结构、表面形貌及可见光透过率进行了测试与分析。XRD结果表明,所制备的MgO薄膜具有NaCl型立方结构的(100)、(110)和(111)3种结晶取向,在沉积气压为0.7~3.0Pa的范围内,薄膜的择优结晶取向随沉积气压的升高先由(100)转变为(110),最后变为(111)。SEM图表明随着沉积气压的升高,MgO薄膜的晶粒逐渐变小,薄膜结晶质量变差。在380~900nm范围内,沉积气压为0.7Pa下制备的MgO薄膜其可见光透过率高于90%,随着沉积气压的升高,薄膜的可见光透过率有所下降。 展开更多
关键词 阴极真空电弧离子沉积 沉积气压 MgO薄膜 等离子体显示板
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磁过滤阴极弧法制备CrCN薄膜结构与组分研究 被引量:2
17
作者 王浩琦 覃礼钊 +5 位作者 官家建 李彬 林华 李元 梁宏 廖斌 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期9-14,共6页
目的通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层。研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响。方法采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 m L/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜。通过... 目的通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层。研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响。方法采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 m L/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜。通过X射线衍射、场发射电子显微镜、扫描探针显微镜、X射线光电子能谱仪、透射电镜,对薄膜的物相结构和形貌进行分析。结果随着气体流量的增加,CrCN复合薄膜的晶粒逐渐减小最终向非晶化转变。TEM结果表明,在CrCN复合薄膜中有大量几纳米到十几纳米的纳米晶浸没在非晶成分中。SPM表明,随着基底偏压由–200 V增大到–150 V,CrCN薄膜的表面粗糙度Sa由0.345 nm上升至4.38 nm。XPS、TEM和XRD数据表明,薄膜中Cr元素主要以单质Cr、Cr N以及Cr3C2的形式存在。结论采用磁过滤真空阴极弧沉积技术制备的CrCN复合薄膜具有纳米晶-非晶镶嵌结构。该方法沉积的CrCN薄膜的表面粗糙度与基底负偏压有关。混合气体的流量变化对薄膜组分的变化几乎无影响。 展开更多
关键词 CrCN 结构分析 过滤真空阴极沉积 X射线光电子能谱
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磁过滤沉积TiAlSiN纳米薄膜的摩擦磨损与腐蚀磨损行为 被引量:1
18
作者 蒋琴 孙丽 张旭 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期214-224,共11页
目的研究磁过滤沉积方法制备的TiAlSiN纳米薄膜的结构及力学性能对摩擦学性能及腐蚀磨损行为的影响。方法采用磁过滤阴极真空弧沉积技术,在6×10^(-2)~15×10^(-2)Pa的N_(2)气压条件下,将316L不锈钢作为基底,制备出TiAlSiN薄膜... 目的研究磁过滤沉积方法制备的TiAlSiN纳米薄膜的结构及力学性能对摩擦学性能及腐蚀磨损行为的影响。方法采用磁过滤阴极真空弧沉积技术,在6×10^(-2)~15×10^(-2)Pa的N_(2)气压条件下,将316L不锈钢作为基底,制备出TiAlSiN薄膜。利用SEM、XRD、XPS对薄膜的结构成分形貌进行表征分析,使用摩擦磨损仪分析测试薄膜的摩擦磨损行为,并且使用电化学工作站分析测试薄膜在3.5%(质量分数)人工海水环境下的摩擦磨损及开路电位变化曲线,通过台阶仪测得磨损后磨痕轮廓曲线,并计算磨损率。结果TiAlSiN薄膜具有典型的非晶包覆纳米晶的复合结构,薄膜表面细致光滑,截面无明显柱状晶结构。随着气压的增大,薄膜晶粒尺寸从26 nm降至12 nm。在0.08 Pa气压下制备的TiAlSiN薄膜的力学性能最佳,纳米硬度为22 GPa,基膜结合力达到28 N,干摩擦系数为0.412,磨损率为0.5×10^(-6)mm^(3)/(N·m)。在3.5%人工海水介质中,TiAlSiN薄膜的摩擦系数为0.36,磨损率为2.5×10^(-6)mm^(3)/(N·m),腐蚀和磨损的交互作用使磨损率增大。结论磁过滤阴极真空弧沉积技术制备的TiAlSiN纳米薄膜表现出良好的力学性能,兼具耐摩擦和耐磨蚀性能,具有宽广的应用前景。 展开更多
关键词 TiAlSiN薄膜 过滤阴极真空沉积技术 耐磨性 磨损腐蚀
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非晶四面体碳膜对2Cr3WMoV合金钢表面耐磨性能的影响
19
作者 李远洁 赵玉清 +1 位作者 王炎武 董乃强 《润滑与密封》 北大核心 2025年第4期1-8,共8页
为提高2Cr3WMoV合金钢的表面摩擦性能,利用磁控溅射沉积技术与过滤阴极真空电弧技术分别在未经过渗碳和渗碳热处理后的2Cr3WMoV合金结构钢试样表面制备TiN过渡层及非晶四面体碳的多层结构复合膜。采用球-盘摩擦磨损试验仪、三维形貌仪... 为提高2Cr3WMoV合金钢的表面摩擦性能,利用磁控溅射沉积技术与过滤阴极真空电弧技术分别在未经过渗碳和渗碳热处理后的2Cr3WMoV合金结构钢试样表面制备TiN过渡层及非晶四面体碳的多层结构复合膜。采用球-盘摩擦磨损试验仪、三维形貌仪、表面磨痕测量仪等对比分析不同合金结构钢试样镀膜前后的摩擦磨损性能。结果表明:渗碳热处理工艺对2Cr3WMoV合金钢制备非晶四面体碳基多层复合膜后试样的摩擦磨损性能影响较大,在渗碳2Cr3WMoV试样表面制备多层复合膜结构后,表面摩擦因数由0.54降低到0.077,磨损率由3.03×10^(-9)cm^(3)/(N·m)降低到9.44×10^(-10)cm^(3)/(N·m)。由于表面渗碳及抛光工艺提升了合金试样的表面硬度,并降低表面粗糙度,从而使该试样制备非晶四面体碳基复合膜后具有最为优异的摩擦磨损性能及膜层与基体的结合强度。 展开更多
关键词 非晶四面体碳膜 合金结构钢 表面渗碳处理 摩擦磨损性能 过滤阴极真空电弧
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FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析 被引量:2
20
作者 王广甫 刘玉龙 +1 位作者 田人和 张荟星 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期608-611,共4页
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80~ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .
关键词 过滤阴极真空沉积 沉积能量 sp^3键所占比例 fcvaD 钽-碳薄膜
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