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基于应力调控的二维过渡金属硫族化合物光学性质分析
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作者 李室昆 王强 《集成电路应用》 2024年第2期208-209,共2页
阐述应力对二维过渡金属硫族化合物光学性质的调控效应,分析晶格畸变对其的影响,以及应力引起的晶格畸变和相应的光学性质变化,为设计和制备特定光学性能的二维材料提供指导。
关键词 应力调控 二维过渡金属硫族化合物 光学性质
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我团队找到二维双层扭角过渡金属硫族化合物材料制备新方法
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《电子质量》 2024年第2期21-21,共1页
2024年1月21日从西北工业大学获悉,该校柔性电子研究院教授、博士生导师,中国科学院黄维院士团队王学文教授课题组,提出通过重构成核策略制备双层扭角过渡金属硫族化合物(TB-TMDCs)材料的新方法,实现了其层间扭转角度从0°~120°... 2024年1月21日从西北工业大学获悉,该校柔性电子研究院教授、博士生导师,中国科学院黄维院士团队王学文教授课题组,提出通过重构成核策略制备双层扭角过渡金属硫族化合物(TB-TMDCs)材料的新方法,实现了其层间扭转角度从0°~120°的制备,相关成果发表在《自然·通讯》上。 展开更多
关键词 中国科学院 过渡金属硫族化合物 柔性电子 扭角 博士生导师 团队
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过渡金属硫族化合物二维晶体基复合材料的研究进展 被引量:3
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作者 孙兰 张龙 马飞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期40-47,共8页
石墨烯的发现掀起了人们对二维晶体材料的探索热潮。单层或少数层过渡金属硫族化合物(TMDs)是二维晶体材料的典型代表,此类材料的带隙合适、电子迁移率和热导率高、光吸收强、比表面积大,在新型光电器件、光/电催化、锂离子电池电极、... 石墨烯的发现掀起了人们对二维晶体材料的探索热潮。单层或少数层过渡金属硫族化合物(TMDs)是二维晶体材料的典型代表,此类材料的带隙合适、电子迁移率和热导率高、光吸收强、比表面积大,在新型光电器件、光/电催化、锂离子电池电极、气体传感及生物医学等领域蕴藏着巨大的应用潜能。特别是,对于TMDs二维晶体与其他材料复合而成的纳米结构,强烈的界面耦合作用对材料物理和化学特性的调控至关重要,甚至可能导致新奇特性,预示着新功能和新应用。详细综述了TMDs二维晶体基复合材料的制备方法、结构与性能的界面调控及其潜在应用,并指出了该研究领域仍存在的问题及未来发展方向。 展开更多
关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 复合结构 耦合效应
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二维过渡金属硫族化合物的自旋-能谷特性研究进展 被引量:2
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作者 马雅婷 程湘爱 《光电技术应用》 2020年第6期32-35,42,共5页
二维过渡金属硫族化合物自旋-能谷特性是近年来国际研究热点之一。介绍了过渡金属硫族化合物材料以及其异质结中独特的自旋-能谷特性。阐述了这两大类材料中自旋-能谷特性的研究进展。最后对基于二维过渡金属硫族化合物自旋_能谷特性的... 二维过渡金属硫族化合物自旋-能谷特性是近年来国际研究热点之一。介绍了过渡金属硫族化合物材料以及其异质结中独特的自旋-能谷特性。阐述了这两大类材料中自旋-能谷特性的研究进展。最后对基于二维过渡金属硫族化合物自旋_能谷特性的未来光电器件进行了展望。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 自旋-能谷特性 异质结
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单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的磁场效应
5
作者 裴志成 丁朝华(导师) +1 位作者 耿艳波 肖景林 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期539-544,共6页
利用LLP幺正变换与线性组合算符相结合的方法研究了磁场作用下单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中弱耦合极化子基态能量的性质,获得了单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的基态能量与磁场、声子的德拜截止波数(DW)、内部距离和本征极化... 利用LLP幺正变换与线性组合算符相结合的方法研究了磁场作用下单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中弱耦合极化子基态能量的性质,获得了单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的基态能量与磁场、声子的德拜截止波数(DW)、内部距离和本征极化率参数之间的依赖关系。计算结果表明:单层过渡金属硫族化合物弱耦合极化子的基态能量为外加磁场和本征极化率参数的增函数、声子的德拜截止波数和内部距离的减函数。 展开更多
关键词 光电子学 单层过渡金属硫族化合物 弱耦合 极化子 基态能量 磁场
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二维过渡金属硫族化合物在超级电容器中的研究进展
6
作者 陈明华 李宏武 +4 位作者 范鹤 李誉 刘威铎 夏新辉 陈庆国 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期539-555,共17页
近年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,因其独特的层状结构及电学特性成为超级电容器电极材料的理想候选者之一.本文介绍了二维TMDs的常用合成方法,阐述了钼基、钨基和钒基等TMDs在超级电容器中的研究进展,分析了形... 近年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,因其独特的层状结构及电学特性成为超级电容器电极材料的理想候选者之一.本文介绍了二维TMDs的常用合成方法,阐述了钼基、钨基和钒基等TMDs在超级电容器中的研究进展,分析了形貌、尺寸和改性方法等因素对TMDs材料电化学性能的影响,并对TMDs在超级电容器领域的工业化应用和挑战进行了总结与展望. 展开更多
关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 超级电容器
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过渡金属硫族化合物中电荷密度波和超导电性的调控
7
作者 曾令勇 李宽 +4 位作者 何溢懿 黄彦昊 张超 余沛峰 罗惠霞 《材料研究与应用》 CAS 2023年第3期455-468,共14页
过渡金属硫族化合物(Transition metal chalcogenides,TMCs)因具有丰富的晶体结构和不寻常的电子特性呈现出有趣的物理现象,引起了人们的持续关注。重点介绍了过渡金属二硫化物(Transition metal dichalcogenides,TMDCs)中电荷密度波(Ch... 过渡金属硫族化合物(Transition metal chalcogenides,TMCs)因具有丰富的晶体结构和不寻常的电子特性呈现出有趣的物理现象,引起了人们的持续关注。重点介绍了过渡金属二硫化物(Transition metal dichalcogenides,TMDCs)中电荷密度波(Charge density wave,CDW)和超导电性(Superconductivity,SC)的最新重要发现,系统分析和比较了TMDCs的晶体和能带结构,总结了掺杂和高压对TMDCs中CDW和SC的调控规律,探讨了TMDCs中CDW和SC之间的关系,展望了未来研究方向和机遇。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 超导材料 电荷密度波 化学掺杂 压力调控 能带结构
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类石墨烯硫族化合物纳米材料及其在能源领域中的应用
8
作者 沈永才 徐菲 吴义恒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期136-142,共7页
2004年以来,以石墨烯为代表的新型二维纳米材料引起了全球范围内的研究热潮,在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。过渡金属硫族化合物因平面内结合力较强、平面外结合力较弱以致可以将其剥离成单个细胞厚度的二维层状纳... 2004年以来,以石墨烯为代表的新型二维纳米材料引起了全球范围内的研究热潮,在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。过渡金属硫族化合物因平面内结合力较强、平面外结合力较弱以致可以将其剥离成单个细胞厚度的二维层状纳米材料,且该材料具备类石墨烯物理化学性质而被誉为"无机石墨烯"。关于二维过渡金属硫族化合物纳米材料的研究已有多年,众多研究表明,因其具有独特的结构和特性,在光电器件、催化及能源存储领域有着广阔的应用前景。基于该领域研究的最新进展,综述了二维过渡金属硫族化合物纳米材料在能源领域中的应用,并对目前相关研究领域的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 二维层状纳米材料 制备方法 能源存储
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氢诱导二维硫族化合物PtX2的电磁特性研究
9
作者 施婷婷 《电子科技》 2020年第1期73-76,共4页
为了充分研究二维重过渡金属硫族化合物材料在磁性器件中的潜在应用,基于自旋极化密度泛函理论,文中研究了氢化单层PtX 2(X=S,Se,Te)的稳定性和电磁特性。研究结果表明,单层PtX 2在氢化后具有较高的稳定性,且稳定性随硫族原子序数的增... 为了充分研究二维重过渡金属硫族化合物材料在磁性器件中的潜在应用,基于自旋极化密度泛函理论,文中研究了氢化单层PtX 2(X=S,Se,Te)的稳定性和电磁特性。研究结果表明,单层PtX 2在氢化后具有较高的稳定性,且稳定性随硫族原子序数的增加而下降;氢化使单层PtX 2出现了磁矩,使其从半导体变为铁磁性的金属,该磁矩主要来自于窄反键子能带自旋极化下的Pt 5d电子。此外,单层PtX 2的铁磁性也随着硫族原子序数的增加而出现了下降的趋势。因此,文中的研究成果为设计二维重过渡金属硫族化合物材料的铁磁性提供了参考。 展开更多
关键词 密度泛函理论 氢化 二维重过渡金属硫族化合物 电磁特性
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基于过渡金属二硫族化物析氢催化的研究进展 被引量:1
10
作者 何倩倩 王哲 +2 位作者 孟令佳 陈乾 宫勇吉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期523-538,共16页
解决全球气候变化和能源危机的有效途径之一是用氢能源(H2)代替传统的化石能源.析氢反应(Electro-chemical hydrogen evolution reaction,HER)被认为是绿色环保的可持续产氢途径,通常电解过程需要催化剂以降低电化学电位,提高能量利用效... 解决全球气候变化和能源危机的有效途径之一是用氢能源(H2)代替传统的化石能源.析氢反应(Electro-chemical hydrogen evolution reaction,HER)被认为是绿色环保的可持续产氢途径,通常电解过程需要催化剂以降低电化学电位,提高能量利用效率.目前最先进的催化剂仍然依赖于贵金属,但是研究表明,过渡金属二硫族化物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)同样具有优异的催化活性,与贵金属相比,TMDs产量大、价格低、催化活性好、便于调控和修饰,有望替代贵金属在催化领域的应用.基于此,本文讨论了近年来TMDs在析氢方面的研究情况以及TMDs材料的性能调控,包含原子工程、相工程和异质结.并总结和展望了TMDs催化材料的挑战与机遇. 展开更多
关键词 过渡金属化合物 析氢反应 原子工程 相工程 异质结
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硫族元素取代法制备原子层厚的MoS2-MoSe2平面异质结
11
作者 高万冬 黄威 +1 位作者 郑遗凡 金传洪 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期706-710,745,共6页
本研究采用两步化学气相沉积法首先制备单层MoSe2材料,然后对其进行硫化,结合原子分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)定量表征了不同硫化时间下样品中替代硫原子的分布。研究表明:硫原子取代优先发生在MoSe2晶畴边缘,形成MoS2-Mo... 本研究采用两步化学气相沉积法首先制备单层MoSe2材料,然后对其进行硫化,结合原子分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)定量表征了不同硫化时间下样品中替代硫原子的分布。研究表明:硫原子取代优先发生在MoSe2晶畴边缘,形成MoS2-MoSe2异质结构,该异质界面进一步作为取代反应中心逐渐向MoSe2晶畴内部扩展,最终形成具有原子级平整界面的MoS2-MoSe2平面异质结。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 取代 扫描透射电子显微镜 平面异质结
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2维材料中极化激元激光的研究进展
12
作者 张睿洋 保文睿 +1 位作者 杜静 王卫 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期876-883,共8页
极化激元激光是一种新型激光,以半导体中激子-极化激元的玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的相干性实现超低阈值激光。不同于传统3维有机无机材料,2维过渡金属硫族化合物与2维钙钛矿以其高激子结合能、高振子强度、直接带隙、范德华特性、谷极化... 极化激元激光是一种新型激光,以半导体中激子-极化激元的玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的相干性实现超低阈值激光。不同于传统3维有机无机材料,2维过渡金属硫族化合物与2维钙钛矿以其高激子结合能、高振子强度、直接带隙、范德华特性、谷极化特性,有利于实现激子与腔模式的强耦合以及激子-极化激元的BEC,在极化激元激光的进一步发展中表现出巨大的潜力。介绍了2维材料中的极化激元激光的原理和进展,分别从2维过渡金属硫族化合物和2维钙钛矿的特性出发,重点综述了其中激子与腔模式的强耦合,极化激元的相干性的调控以及BEC的实现,并对2维材料中的极化激元激光的未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 激光技术 极化激元激光 强耦合 2维过渡金属硫族化合物 2维钙钛矿 玻色-爱因斯坦凝聚
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二维TMC忆阻器在神经形态计算中的研究进展 被引量:1
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作者 毛成烈 高小玉 南海燕 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期109-122,共14页
忆阻器和突触器件作为一种有潜力的神经形态器件,近年来得到了广泛的研究。二维过渡金属硫族化合物(2D TMC)由于其独特的性能,使基于其的电子器件制造工艺具有高集成度、高兼容性和高扩展性等优势。对基于2D TMC的高性能忆阻器在神经形... 忆阻器和突触器件作为一种有潜力的神经形态器件,近年来得到了广泛的研究。二维过渡金属硫族化合物(2D TMC)由于其独特的性能,使基于其的电子器件制造工艺具有高集成度、高兼容性和高扩展性等优势。对基于2D TMC的高性能忆阻器在神经形态计算中的应用进行了全面的综述。首先介绍了2D TMC及其异质结在忆阻器中的应用潜力,然后基于该类材料的基本结构和物理性能,对近年来报道的器件进行了分类介绍,接着讨论了这些新兴材料和器件在神经形态计算中的应用,最后基于目前存在的问题,提出了解决方案,并对该类器件在其他场景的应用进行了展望。 展开更多
关键词 二维过渡金属硫族化合物(2D TMC) 异质结 忆阻器 人工突触 神经形态计算
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自支撑NiSe/CoCr-LDH双功能电催化剂的制备及其裂解海水性能研究
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作者 何作明 蒲睿熙 +1 位作者 贺文 刘韵丹 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第3期35-44,共10页
硒化镍(NiSe)得益于其优异的电催化性能,如:高导电性、丰富的晶相及电子结构、合成方式多样便捷等,成为大多数电催化水分解研究者的首选材料.在探究电催化活性的过程中,NiSe不可避免地存在活性低、稳定性差等问题.这意味着:一方面,需要... 硒化镍(NiSe)得益于其优异的电催化性能,如:高导电性、丰富的晶相及电子结构、合成方式多样便捷等,成为大多数电催化水分解研究者的首选材料.在探究电催化活性的过程中,NiSe不可避免地存在活性低、稳定性差等问题.这意味着:一方面,需要额外提供更高的能量才可以实现水的分解,大大降低了电催化水分解的效率;另一方面,较差的稳定性难以应用于电催化电解海水,无法解决未来实现能量转换的关键问题.为了提高NiSe的稳定性及电催化活性以实现高效长期电解海水,该文将钴铬层状双金属氢氧化物(CoCr-LDH)通过电沉积的方式覆盖在NiSe表面,对NiSe进行保护的同时,与其构成异质结构,显著降低了电催化析氢析氧所需的能量,所制备的生长在泡沫镍上的NiSe和CoCr-LDH异质结构(NiSe/CoCr-LDH/NF)应用于模拟碱性海水环境下的全解水系统,仅需要提供1.59 V电压,电流密度即可达到40 mA·cm^(-2),稳定工作16 h且无氯气产生,实现绿色高效的电解海水.该文为制备高效稳定电催化剂提供了新思路. 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 层状双金属氢氧化物 双功能 电催化水分解 碱性模拟海水
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Energy Transfer and Photoluminescence Enhancement in WS_(2)/hBN/MoS_(2) Heterostructures
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作者 CHEN Pengyao REN Bingyan +4 位作者 ZHANG Chengyu LI Boyuan WANG Jiaxi ZHANG Kaixuan ZHAO Weijie 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期2021-2029,共9页
Two-dimensional(2D)transition metal dichalcogenides(TMDs)and their heterostructures(HSs)exhibit unique optical properties and show great promise for developing next-generation optoelectronics.However,the photo-lumines... Two-dimensional(2D)transition metal dichalcogenides(TMDs)and their heterostructures(HSs)exhibit unique optical properties and show great promise for developing next-generation optoelectronics.However,the photo-luminescence(PL)quantum yield of monolayer(1L)TMDs is still quite low at room temperature,which severely lim-its their practical applications.Here we report a PL enhancement effect of 1L WS_(2) at room temperature when con-structing it into 1L-WS_(2)/hBN/1L-MoS_(2) vertical HSs.The PL enhancement factors(EFs)can be up to 4.2.By using transient absorption(TA)spectroscopy,we demonstrate that the PL enhancement effect is due to energy transfer from 1L MoS_(2) to 1L WS_(2).The energy transfer process occurs on a picosecond timescale and lasts more than one hundred picoseconds which indicates a prominent contribution from exciton-exciton annihilation.Furthermore,the PL en-hancement effect of 1L WS_(2) can be observed in 2L-MoS_(2)/hBN/1L-WS_(2) and 3L-MoS_(2)/hBN/1L-WS_(2) HSs.Our study provides a comprehensive understanding of the energy transfer process in the PL enhancement of 2D TMDs and a fea-sible way to optimize the performance of TMD-based optoelectronic devices. 展开更多
关键词 transition metal dichalcogenide van der Waals heterostructures PHOTOLUMINESCENCE Förster resonance energy transfer exciton-exciton annihilation
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基于范德瓦尔斯材料的红外光电探测器研究进展 被引量:1
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作者 陈昊 黎德龙 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第S02期48-60,共13页
近年来,基于二维范德瓦尔斯材料的本征吸收、能带调制、结构设计以及新原理的红外光电探测器展现了巨大的潜力,并取得了突出的研究成果。对该领域的研究进展进行系统总结和分析,有助于进一步促进范德瓦尔斯材料在红外光探测领域的应用... 近年来,基于二维范德瓦尔斯材料的本征吸收、能带调制、结构设计以及新原理的红外光电探测器展现了巨大的潜力,并取得了突出的研究成果。对该领域的研究进展进行系统总结和分析,有助于进一步促进范德瓦尔斯材料在红外光探测领域的应用。基于此,本文首先概述了红外光电探测器的发展历程和分类。进而,重点总结并分析了范德瓦尔斯材料在红外光电探测器的红外光响应机制。在此基础上,进一步阐述了范德瓦尔斯材料红外光电探测器的性能优化方法、机制和进展。最后,对二维范德瓦尔斯材料在红外光探测器领域存在的问题和未来发展方向作了系统总结和展望。 展开更多
关键词 范德瓦尔斯材料 红外光电探测器 能带工程 过渡金属硫族化合物 层间激子
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基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟 被引量:2
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作者 张义超 赵付来 +4 位作者 王宇 王亚玲 沈永涛 冯奕钰 封伟 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期166-176,共11页
采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe_(2)纳米片的场效应晶体管(WSe_(2)-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe_(2)纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe_(2)-FETs的最佳电学性能.最... 采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe_(2)纳米片的场效应晶体管(WSe_(2)-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe_(2)纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe_(2)-FETs的最佳电学性能.最终,基于7层WSe_(2)纳米片的场效应晶体管表现出最优异的电学性能,室温下载流子迁移率可达93.17 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1);在78 K低温下,载流子迁移率高达482.78 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1). 展开更多
关键词 微机械剥离法 二维材料 二维过渡金属硫族化合物 载流子迁移率 开关比
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基于TMD材料的CMOS反相器电路研究现状 被引量:1
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作者 张璐 张亚东 殷华湘 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第3期185-195,共11页
对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS_(2)、WSe_(2)等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述。总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶体管器件的研究进展。对基于TMD的集成电路技术研究进... 对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS_(2)、WSe_(2)等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述。总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶体管器件的研究进展。对基于TMD的集成电路技术研究进行了介绍与分析。分别在结构设计、集成工艺、性能优化及电路集成等方面对基于TMD材料的CMOS反相器电路进行了总结与分析。介绍了两种集成结构及对应的工艺流程,详细分析了CMOS反相器电路性能优化的方法。最后指出了目前的关键挑战及未来的发展趋势。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物(TMD) MoS_(2) WSe_(2) 场效应晶体管 互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器
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超级电容器中的二维材料 被引量:7
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作者 唐捷 华青松 +2 位作者 元金石 张健敏 赵玉玲 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期26-35,共10页
以石墨烯为代表的具有层状结构的二维材料因具有大比表面积等特性成为超级电容器电极材料的热门候选。文章着眼于针对诸如石墨烯、过渡金属二硫族化合物、过渡金属碳/氮化物、层状过渡金属氧化物/氢氧化物等二维材料在超级电容器领域应... 以石墨烯为代表的具有层状结构的二维材料因具有大比表面积等特性成为超级电容器电极材料的热门候选。文章着眼于针对诸如石墨烯、过渡金属二硫族化合物、过渡金属碳/氮化物、层状过渡金属氧化物/氢氧化物等二维材料在超级电容器领域应用的研究,尝试总结了其制备方法、产物形貌特征以及作为电极的性能等,并对这一领域的未来发展和面临的挑战提出了看法与预测。 展开更多
关键词 超级电容器 双电层电容器 赝电容电容器 二维材料 石墨烯 过渡金属化合物(TMDCs) 过渡金属碳/氮化物(MXenes) 层状过渡金属氧化物(TMOs) 层状过渡金属氢氧化物(TMHs)
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二维界面修饰对全无机CsPbBr_(3)薄膜光电性能的调控
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作者 周青伟 吴凡 +3 位作者 罗芳 黄先燕 郭楚才 朱志宏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第6期294-303,共10页
全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池中的电荷传输层与钙钛矿层界面的载流子复合是制约其光电转换效率进一步提升的关键因素。文中采用带隙和带边可调控的二维过渡金属硫族化合物(MoS_(2)、MoSe_(2)、WS_(2)和WSe_(2))材料作为电子传输层和... 全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池中的电荷传输层与钙钛矿层界面的载流子复合是制约其光电转换效率进一步提升的关键因素。文中采用带隙和带边可调控的二维过渡金属硫族化合物(MoS_(2)、MoSe_(2)、WS_(2)和WSe_(2))材料作为电子传输层和钙钛矿层之间的界面修饰材料和载流子传输材料,利用晶格匹配的范德华外延生长高质量的钙钛矿薄膜,同时通过界面能级补偿和势垒消减,降低钙钛矿层与电子传输层之间的界面电荷损失,促进全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池器件中载流子的提取与传输,使器件光电转换效率由初始的7.94%提高到10.02%,同时开路电压从1.474 V提升至1.567 V。该研究为制备高质量的钙钛矿薄膜同时实现界面能级匹配的高性能光电器件提供了一条新途径。 展开更多
关键词 太阳能电池 光电性能 二维界面修饰 钙钛矿 过渡金属硫族化合物
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