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题名硅衬底化学机械抛光后去除有机物残留的研究
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作者
刘楠
檀柏梅
高宝红
田巧伟
杨志欣
黄妍妍
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期928-933,共6页
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基金
国家科技重大专项(2009ZX02308)
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文摘
化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效。针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O I型活性剂溶液进行预清洗,去除表面颗粒的同时降低了表面粗糙度。此外,过氧焦磷酸盐被还原成的焦磷酸盐具有很强的络合力,它能与Cu等金属离子络合,达到同时去除金属杂质的目的。研究了氧化液的体积分数对有机物清洗效果的影响,发现氧化液的体积分数为60%～100%时残留有机物去除效果最佳。作为一种新型的清洗方法,清洗效率高且成本低,操作简单可控且环保,符合新时期半导体清洗工艺的要求。
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关键词
化学机械抛光(CMP)后清洗
电化学
有机物
过氧焦磷酸盐
氧化液
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Keywords
post-CMP cleaning
electrochemical
organic
pyrophosphate peroxide
oxidation solution
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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