-
题名TFT-LCD过孔接触电阻研究
被引量：7
- 1
-
-
作者
白金超
王玉堂
郭总杰
丁向前
袁剑峰
邵喜斌
-
机构
北京京东方显示技术有限公司
-
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期432-436,共5页
-
文摘
研究了过孔接触电阻变化规律,并进行机理分析,为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先,运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后,通过扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱仪和聚焦离子束显微镜对过孔内部形貌进行表征。最后,对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明:过孔面积越大,接触电阻越小;过孔面积相同时,长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻,多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻,栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻,过孔面积尽可能最大化,采用长方形过孔优于正方形过孔,多小过孔优于单大孔设计,同时优化过孔刻蚀工艺,减少过孔内顶层钼的损失。
-
关键词
薄膜晶体管阵列工艺
接触电阻
过孔设计优化
-
Keywords
thin film transistor array process
contact resistance
via hole design optimization
-
分类号
TN141.9
[电子电信—物理电子学]
-
