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雪崩光电二极管过剩噪声的测量和抑制方法被引量：2: 1; 作者李再波李云雪 +2 位作者马旭田亚芳史衍丽《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第4期343-350,共8页; 雪崩光电二极管(APD)因为其高灵敏度和高增益带宽的优势已被广泛应用在高比特率、远程光纤通信系统中,而雪崩过程中产生的过剩噪声直接影响到APD的信噪比,因此,研究过剩噪声对APD性能的提升具有重要意义。目前,国内外测试雪崩光电二极... 展开更多; 关键词雪崩光电二极管过剩噪声因子相敏探测法碰撞电离工程; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲镉汞雪崩焦平面器件被引量：5: 2; 作者李浩林春 +7 位作者周松敏郭慧君王溪陈洪雷魏彦锋陈路丁瑞军何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期587-590,共4页; 碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小... 展开更多; 关键词碲镉汞雪崩光电二极管焦平面噪声等效光子数过剩噪声因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管被引量：2: 3; 作者李浩林春 +2 位作者周松敏王溪孙权志《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期223-227,共5页; 碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反... 展开更多; 关键词 HGCDTE 雪崩光电二极管离子束刻蚀增益过剩噪声因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲镉汞雪崩光电二极管的发展被引量：4: 4; 作者王忆锋陈洁 +1 位作者余连杰胡为民《红外》 CAS 2011年第10期1-11,共11页; 雪崩光电二极管（APD）工作在足够的反偏下，光生载流子到达耗尽区并诱发放大过程。碲镉汞（MCT）电子和重空穴有效质量之间的非对称性会产生不相等的电子电离系数和空穴电离系数，提供一个由单独一类载流子诱发的碰撞电离过程，从而形... 展开更多; 关键词红外探测器碲镉汞雪崩光电二极管雪崩增益带宽过剩噪声因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名雪崩光电二极管过剩噪声的测量和抑制方法被引量：2: 1; 作者李再波李云雪马旭田亚芳史衍丽; 机构云南大学物理与天文学院云南大学量子信息重点实验室昆明理工大学理学院; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第4期343-350,共8页; 基金云南大学研究生科研创新基金项目(2020290) 云南省重大科技项目(2018ZI002)。; 文摘雪崩光电二极管(APD)因为其高灵敏度和高增益带宽的优势已被广泛应用在高比特率、远程光纤通信系统中,而雪崩过程中产生的过剩噪声直接影响到APD的信噪比,因此,研究过剩噪声对APD性能的提升具有重要意义。目前,国内外测试雪崩光电二极管过剩噪声的方法主要有直接功率测量法和相敏探测法,本文对这两种测试方法和其优缺点进行了分析,并介绍了最新的改进测试思路。同时,还总结了降低过剩噪声的3种方法:选择低碰撞电离系数比的材料,降低倍增层厚度和采用APD碰撞电离工程来降低噪声。; 关键词雪崩光电二极管过剩噪声因子相敏探测法碰撞电离工程; Keywords avalanche photodiodes excess noise factor phase-sensitive detection method impact ionization engineering; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲镉汞雪崩焦平面器件被引量：5: 2; 作者李浩林春周松敏郭慧君王溪陈洪雷魏彦锋陈路丁瑞军何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室中国科学院大学上海科技大学; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期587-590,共4页; 基金国家自然科学基金(61705247)~~; 文摘碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2.; 关键词碲镉汞雪崩光电二极管焦平面噪声等效光子数过剩噪声因子; Keywords HgCdTe APD FPA NEPh excess noise factor.; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管被引量：2: 3; 作者李浩林春周松敏王溪孙权志; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室中国科学院大学; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期223-227,共5页; 基金国家自然科学基金(61705247)~~; 文摘碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反向偏置下增益可达1 000.对器件进行了噪声频谱测试,计算了其过剩噪声因子.; 关键词 HGCDTE 雪崩光电二极管离子束刻蚀增益过剩噪声因子; Keywords HgCdTe avalanche photo diode(APD) ion beam etching(IBE) gain escess noise factor; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲镉汞雪崩光电二极管的发展被引量：4: 4; 作者王忆锋陈洁余连杰胡为民; 机构昆明物理研究所; 出处《红外》 CAS 2011年第10期1-11,共11页; 文摘雪崩光电二极管（APD）工作在足够的反偏下，光生载流子到达耗尽区并诱发放大过程。碲镉汞（MCT）电子和重空穴有效质量之间的非对称性会产生不相等的电子电离系数和空穴电离系数，提供一个由单独一类载流子诱发的碰撞电离过程，从而形成具有包括接近无噪声增益在内的“理想”APD特征的电子雪崩光电二极管（EAPD）。对于包括低光子数在内的各种探测器应用，国外已经实现了高增益（-7×10^3）、过剩噪声因子接近于1、THz增益带宽积、皮秒级快速响应的MCT／EAPD器件。在对国外部分文献进行归纳与分析的基础上，主要介绍了近年来有关MCT／EAPD的基础问题、器件结构、技术发展以及性能指标等方面的现状。; 关键词红外探测器碲镉汞雪崩光电二极管雪崩增益带宽过剩噪声因子; Keywords infrared detector mercury cadmium telluride avalanche photodiode avalanche gain band width： excess noise factor; 分类号 TN312.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	雪崩光电二极管过剩噪声的测量和抑制方法	李再波李云雪马旭田亚芳史衍丽	《红外技术》 CSCD 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	碲镉汞雪崩焦平面器件	李浩林春周松敏郭慧君王溪陈洪雷魏彦锋陈路丁瑞军何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2019	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管	李浩林春周松敏王溪孙权志	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	碲镉汞雪崩光电二极管的发展	王忆锋陈洁余连杰胡为民	《红外》 CAS	2011	4	在线阅读下载PDF 职称材料