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快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象
被引量:
13
1
作者
周怀安
杜正伟
龚克
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期783-787,共5页
为了研究瞬态电磁脉冲对PIN二极管的干扰,利用基于扩散漂移模型的基本半导体方程,采用半导体器件一维瞬态数值仿真的方法,对快上升沿阶跃电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流密度和电荷密度分布的变化进行了研究,分别观察了正反偏电压脉冲...
为了研究瞬态电磁脉冲对PIN二极管的干扰,利用基于扩散漂移模型的基本半导体方程,采用半导体器件一维瞬态数值仿真的方法,对快上升沿阶跃电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流密度和电荷密度分布的变化进行了研究,分别观察了正反偏电压脉冲作用下过冲电流的产生过程并进行了分析。分析表明,过冲电流是和PIN二极管在高频下的容性表现相关的,无论是在正电压还是负电压情况下,脉冲上升沿时间越短、初始正偏压越高,则过冲电流密度的峰值越高。
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关键词
快上升沿电磁脉冲
PIN二极管
干扰
过冲电流
器件数值仿真
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职称材料
电磁脉冲作用下PIN二极管的响应
被引量:
27
2
作者
李勇
宣春
+2 位作者
谢海燕
夏洪富
王建国
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期2061-2066,共6页
采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时...
采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著。
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关键词
电磁脉冲
PIN二极管
过冲电流
限幅器
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职称材料
CTIA线列型读出电路输出异常问题研究
被引量:
1
3
作者
王静
刘兴新
+1 位作者
李冬冰
袁媛
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期914-917,共4页
CTIA电路结构由于其高注入效率和线性度在小信号探测器读出电路设计中广泛应用。然而,采用该结构作为输入级的TDI线列型读出电路,在使用中处理信号足够大时,帧与帧之间输出电平出现高低差异,最大可达2 V。表现在图像则为明暗条纹交替出...
CTIA电路结构由于其高注入效率和线性度在小信号探测器读出电路设计中广泛应用。然而,采用该结构作为输入级的TDI线列型读出电路,在使用中处理信号足够大时,帧与帧之间输出电平出现高低差异,最大可达2 V。表现在图像则为明暗条纹交替出现,无法正常探测。积分电容越小,该现象越容易出现。并且,通过改善供电、调节偏置电压和参考电压等措施对该现象均无明显改善。本文针对这一现象,通过深入仿真和理论分析,最终实现问题定位,同时提出解决措施,有效地消除该现象。
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关键词
CTIA
输出异常
明暗行
过冲电流
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职称材料
一种高速低过冲电荷泵电路的设计(英文)
4
作者
唐世民
陈吉华
何小威
《电子器件》
CAS
2009年第1期35-37,40,共4页
为了有效降低传统电荷泵电路的充放电过冲电流,提高电荷泵输出控制电压的稳定性,提出、设计并实现了一种高速低过冲的电荷泵结构,该电路适用于高速锁相环及时钟数据恢复电路。电路在电源电压为1.2 V的0.13μm CMOS工艺下设计实现,并对...
为了有效降低传统电荷泵电路的充放电过冲电流,提高电荷泵输出控制电压的稳定性,提出、设计并实现了一种高速低过冲的电荷泵结构,该电路适用于高速锁相环及时钟数据恢复电路。电路在电源电压为1.2 V的0.13μm CMOS工艺下设计实现,并对版图数据进行了HSPICE模拟,其结果表明,电路在2.5 GHz的速度下能很好的工作,同时电流过冲相比传统电荷泵下降了70%。
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关键词
CMOS集成电路
电荷泵
过冲电流
VCO
时钟数据恢复
锁相环
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职称材料
题名
快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象
被引量:
13
1
作者
周怀安
杜正伟
龚克
机构
清华大学电子工程系微波与数字通信技术国家重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期783-787,共5页
基金
国家863计划项目资助课题
文摘
为了研究瞬态电磁脉冲对PIN二极管的干扰,利用基于扩散漂移模型的基本半导体方程,采用半导体器件一维瞬态数值仿真的方法,对快上升沿阶跃电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流密度和电荷密度分布的变化进行了研究,分别观察了正反偏电压脉冲作用下过冲电流的产生过程并进行了分析。分析表明,过冲电流是和PIN二极管在高频下的容性表现相关的,无论是在正电压还是负电压情况下,脉冲上升沿时间越短、初始正偏压越高,则过冲电流密度的峰值越高。
关键词
快上升沿电磁脉冲
PIN二极管
干扰
过冲电流
器件数值仿真
Keywords
Computer simulation
Current density
Electric potential
Electromagnetic pulse
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
电磁脉冲作用下PIN二极管的响应
被引量:
27
2
作者
李勇
宣春
谢海燕
夏洪富
王建国
机构
西北核技术研究所
西安交通大学电子信息学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期2061-2066,共6页
基金
国家自然科学基金项目(61231003
61201090)
文摘
采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著。
关键词
电磁脉冲
PIN二极管
过冲电流
限幅器
Keywords
electromagnetic pulse
PIN diode
overshoot current
limiter
分类号
O441.4 [理学—电磁学]
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职称材料
题名
CTIA线列型读出电路输出异常问题研究
被引量:
1
3
作者
王静
刘兴新
李冬冰
袁媛
机构
中国电子科技集团公司第十一研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期914-917,共4页
文摘
CTIA电路结构由于其高注入效率和线性度在小信号探测器读出电路设计中广泛应用。然而,采用该结构作为输入级的TDI线列型读出电路,在使用中处理信号足够大时,帧与帧之间输出电平出现高低差异,最大可达2 V。表现在图像则为明暗条纹交替出现,无法正常探测。积分电容越小,该现象越容易出现。并且,通过改善供电、调节偏置电压和参考电压等措施对该现象均无明显改善。本文针对这一现象,通过深入仿真和理论分析,最终实现问题定位,同时提出解决措施,有效地消除该现象。
关键词
CTIA
输出异常
明暗行
过冲电流
Keywords
CTIA
output abnormal
light-dark stripes
overshoot current
分类号
TN216 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种高速低过冲电荷泵电路的设计(英文)
4
作者
唐世民
陈吉华
何小威
机构
西南电子电信技术研究所
国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所
出处
《电子器件》
CAS
2009年第1期35-37,40,共4页
文摘
为了有效降低传统电荷泵电路的充放电过冲电流,提高电荷泵输出控制电压的稳定性,提出、设计并实现了一种高速低过冲的电荷泵结构,该电路适用于高速锁相环及时钟数据恢复电路。电路在电源电压为1.2 V的0.13μm CMOS工艺下设计实现,并对版图数据进行了HSPICE模拟,其结果表明,电路在2.5 GHz的速度下能很好的工作,同时电流过冲相比传统电荷泵下降了70%。
关键词
CMOS集成电路
电荷泵
过冲电流
VCO
时钟数据恢复
锁相环
Keywords
CMOS integrated circuits
charge pump
overshoot current
VCO
CDR
PLL
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象
周怀安
杜正伟
龚克
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
13
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
电磁脉冲作用下PIN二极管的响应
李勇
宣春
谢海燕
夏洪富
王建国
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
27
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
CTIA线列型读出电路输出异常问题研究
王静
刘兴新
李冬冰
袁媛
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
一种高速低过冲电荷泵电路的设计(英文)
唐世民
陈吉华
何小威
《电子器件》
CAS
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
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