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含水二氧化硅介质14 MeV中子慢化长度与中子迁移长度模拟计算 被引量:1
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作者 杨国召 张国光 +3 位作者 张帅 赵潇 苏丹 丰树强 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2016年第3期338-343,共6页
基于MCNP程序模拟计算了不同孔隙度二氧化硅介质地层14 Me V中子慢化长度与中子迁移长度。首先,模拟计算了241Am-Be中子源条件下不同孔隙度Si O2介质地层的中子通量空间分布,并利用源距均方值公式计算得到了对应的中子慢化长度LS和中子... 基于MCNP程序模拟计算了不同孔隙度二氧化硅介质地层14 Me V中子慢化长度与中子迁移长度。首先,模拟计算了241Am-Be中子源条件下不同孔隙度Si O2介质地层的中子通量空间分布,并利用源距均方值公式计算得到了对应的中子慢化长度LS和中子迁移长度LM。与文献结果对比:中子特征长度LS与LM结果相对误差均值分别为1.20%与-2.60%;该结果验证了源距均方值公式计算中子特征长度的有效性和可行性。同样地,计算得到了不同孔隙度Si O2介质地层14 Me V中子的中子特征长度LS和LM;计算结果表明:14 Me V中子的中子特征长度同样随地层孔隙度的增加而降低;其中水的14Me V中子特征长度为LS=12.73 cm、LM=13.00 cm,Si O2的14 Me V中子特征长度为LS=30.08 cm、LM=34.31 cm;中子慢化长度LS结果与文献结果的相对偏差≤±3.1%。 展开更多
关键词 二氧化硅 源距均方值公式 中子慢化长度 中子迁移长度
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非晶硒合金膜载流子特性研究 被引量:4
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作者 徐向晏 牛憨笨 王云程 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第10期895-900,共6页
在X射线医学成象和无损检测方面,非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一,其我流子特性对应用至关重要.本文描述了非晶硒(掺砷)合金材料的制备和合金膜的真空蒸镀制备方法,并用滚越时间方法测量了载流于的漂移迁移率和寿命.... 在X射线医学成象和无损检测方面,非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一,其我流子特性对应用至关重要.本文描述了非晶硒(掺砷)合金材料的制备和合金膜的真空蒸镀制备方法,并用滚越时间方法测量了载流于的漂移迁移率和寿命.讨论了一些对非晶硒合金膜性能有重要影响的因素.实验表明,制备方法对非晶硒合金膜的性能有显著影响.可以看到,在低电场下被陷讲捕获的我流子形成的空间电荷对测量我流永寿命和对光的敏感度有很大影响·实验得到了良好的结果,在10Wpm场强下,空穴迁移长度约150o尸m,电子迁移长度约1200μm.该结果表明,可以用几百微米厚的非晶硒合金膜作为X射线探测或成象的光电导接受器. 展开更多
关键词 非晶硒 渡越时间 漂移迁移 迁移长度 载流子
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光化学汽相沉积中光激活物质的理论解析 被引量:3
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作者 李培咸 孙建诚 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第1期78-81,共4页
基于光激活物质空间迁移长度的概念,推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式,对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟和分析. 模拟结果同实验结果符合良好.
关键词 迁移长度 半导体 光激活物质 光化学汽相沉积
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