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辐照对β-Ga_(2)O_(3)材料中点缺陷迁移行为的理论研究
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作者 苗瑞霞 晏杰 +1 位作者 牛佳美 贾小坛 《光子学报》 北大核心 2025年第5期124-134,共11页
高能粒子在β-Ga_(2)O_(3)中产生的点缺陷可通过迁移聚集形成低应变能团簇,对器件性能有显著影响。基于第一性原理计算,利用广义梯度近似下的PBE泛函,结合攀爬图像推动弹性带方法计算,研究β-Ga_(2)O_(3)材料中关于辐照缺陷迁移的机理... 高能粒子在β-Ga_(2)O_(3)中产生的点缺陷可通过迁移聚集形成低应变能团簇,对器件性能有显著影响。基于第一性原理计算,利用广义梯度近似下的PBE泛函,结合攀爬图像推动弹性带方法计算,研究β-Ga_(2)O_(3)材料中关于辐照缺陷迁移的机理。结果表明:O原子比Ga原子更容易脱离晶格位置,形成VO和Oi;O原子的三个位点在形成V_(O)时,V_(O1)、V_(O_(2))、V_(O3)最小迁移势垒分别为0.48 eV、0.015 eV、0.39 eV,其最佳迁移路径为VO1_3、VO_(2)_11、V_(O3)_18;Ga原子两个位点形成VGa时,VGa1、VGa2最小迁移势垒分别是0.33 eV、0.35 eV,其最佳迁移路径为V_(Ga1_4)、V_(Ga2_4);Oi形成时最小迁移势垒是0.13 eV,迁移路径为O_(2)→Oi,Ga_(i)最小迁移势垒是0.84 eV,迁移路径为Ga_(i1)→Ga_(i6)。研究结果将有助于进一步了解辐照下β-Ga_(2)O_(3)材料中缺陷迁移的微观机理,为辐照加固提供理论参考。 展开更多
关键词 辐照 缺陷 迁移势垒 第一性原理 β-Ga_(2)O_(3)
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RRAM阻变效应的物理机制 被引量:1
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作者 杨金 代月花 +3 位作者 陈军宁 徐太龙 蒋先伟 许会芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期666-671,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理对阻变随机存取存储器(RRAM)器件的阻变物理机制进行了分析研究。对比计算了氧空位缺陷或掺杂(Al,Ti和La)HfO2体系的形成能、能带结构、态密度以及迁移势垒能,结果表明,掺杂后体系的氧空位形成能明显减... 采用基于密度泛函理论的第一性原理对阻变随机存取存储器(RRAM)器件的阻变物理机制进行了分析研究。对比计算了氧空位缺陷或掺杂(Al,Ti和La)HfO2体系的形成能、能带结构、态密度以及迁移势垒能,结果表明,掺杂后体系的氧空位形成能明显减小,掺杂促进了氧空位的形成;无论掺杂和未掺杂的体系,当氧空位存在时禁带宽度会明显减小,且禁带中多出一个占据态的峰,材料的导电能力明显增强。表明氧空位是材料导电的主要因素,杂质起到辅助作用。计算结果与相关实验结果相符合。进一步分析迁移势垒能,说明金属杂质对氧空位产生缔合作用而促使形成团簇,从而对器件的操作电压、工作速度等产生影响。 展开更多
关键词 阻变机制 氧空位 掺杂 迁移势垒 第一性原理
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Si中30°部分位错弯结-重构缺陷运动特性的分子模拟
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作者 孟庆元 王庆盛 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期124-127,132,共5页
通过基于EDIP(Environment-Dependent Interatomic Potential)势函数的分子动力学模拟,得到了左弯结-重构缺陷(LC)和右弯结-重构缺陷(RC)在1个周期内通过稳定状态之间的相互转化来实现运动的具体过程,同时给出了LC和RC在不同温度和剪应... 通过基于EDIP(Environment-Dependent Interatomic Potential)势函数的分子动力学模拟,得到了左弯结-重构缺陷(LC)和右弯结-重构缺陷(RC)在1个周期内通过稳定状态之间的相互转化来实现运动的具体过程,同时给出了LC和RC在不同温度和剪应力作用下的运动速度曲线.通过NEB(Nudged Elastic Band)方法结合紧束缚势函数,计算出了LC和RC在1个周期内的迁移势垒,验证了分子动力学结果的正确性.计算结果表明,含有重构缺陷(RD)的LC和RC相对于左弯结和右弯结具有较快的运动速度,验证了之前得出的RD对30°部分位错的运动具有加速作用的结论,并且通过对弯结运动过程中微观结构的分析,从微观尺度上对这一结论进行了解释. 展开更多
关键词 部分位错 分子动力学 弯结-重构缺陷 迁移势垒
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Cr在Cr_(2)O_(3)晶体中的扩散性质研究 被引量:1
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作者 于鸿莉 马张博 +4 位作者 杨宏昊 李刚 李凯迪 姚庆 杨雯 《热加工工艺》 北大核心 2023年第2期116-119,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过VASP程序建立了Cr_(2)O_(3)晶体的间隙缺陷结构模型,对Cr原子在Cr_(2)O_(3)晶体中占据不同间隙位置时进行了结构优化,并结合NEB(nudged elastic band)方法计算并分析了Cr_(2)O_(3)晶体中... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过VASP程序建立了Cr_(2)O_(3)晶体的间隙缺陷结构模型,对Cr原子在Cr_(2)O_(3)晶体中占据不同间隙位置时进行了结构优化,并结合NEB(nudged elastic band)方法计算并分析了Cr_(2)O_(3)晶体中间隙Cr原子在不同晶向的迁移路径和迁移势垒。结果表明:Cr原子在Cr_(2)O_(3)晶体中的最稳定间隙位置是氧八面体间隙中心,并发现Cr原子在[110]、[100]、[001]晶向上的迁移势垒分别为1.03、2.22、7.68 eV。揭示了Cr在Cr_(2)O_(3)晶体中扩散的取向性,可为相关实验提供理论指导,有利于推动铁素体合金连接体材料在中低温固体氧化物燃料电池中的应用。 展开更多
关键词 Cr_(2)O_(3) 第一性原理计算 迁移势垒 NEB方法
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Diffusion mechanisms in the Fe_3Si alloys 被引量:2
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作者 CHENYong-chong ZHANGYong-gang +1 位作者 WEIBing-chen CHENChang-qi 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期143-148,共6页
In this paper, the possible reasons for the high thermal vacancy concentration and the low migration barriers for the Fe atom diffusion in the stoichiometric D0 3 structure Fe 3Si have been discussed. The high thermal... In this paper, the possible reasons for the high thermal vacancy concentration and the low migration barriers for the Fe atom diffusion in the stoichiometric D0 3 structure Fe 3Si have been discussed. The high thermal vacancy concentration was attributed to the compression of Fe-Fe atomic pairs and the tension of Fe-Si atomic pairs in Fe 75 Si 25 . The deformations (compression or tension) of the atompairs increase the interatomic potentials and thus decrease the enthalpies of vacancy formation. The low migration barriers for the Fe atom diffusion in Fe 75 Si 25 were related to the symmetric property of the triangular barriers. Additionally, it was considered that the Si atoms in Fe 3Si could probably migrate via nearest neighbour jumps without disturbing the long range order of atomic arrangements, provided that during the diffusion process the residence time on the antistructure sites is very short. 展开更多
关键词 Fe2Si合金 铁硅合金 自扩散 空穴 结构 迁移势垒
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