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题名一种低附加相位噪声的放大器设计
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作者
王增双
张加程
朱大成
耿栋
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微波学报》
北大核心
2025年第4期67-70,76,共5页
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文摘
文中设计了一款低附加相位噪声的达林顿放大器。文中首先介绍了放大器的噪声系数和附加相位噪声的基本概念,然后通过公式推导的方式阐述了两者的关系,最后通过工艺选择、电路优化等方面来降低放大器的附加相位噪声。该放大器采用GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺进行了设计仿真和流片,芯片尺寸为0.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。测试结果表明,在电源电压为+5 V条件下,该放大器电流为60 mA,工作频率为0.01 GHz~2.00 GHz,P1 dB为19 dBm,噪声系数为2.7 dB,工作频率100 MHz时的附加相位噪声为-162 dBc/Hz@1 kHz、-170 dBc/Hz@10 kHz、-172 dBc/Hz@100 kHz。
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关键词
附加相位噪声
达林顿放大器
噪声系数
GaAs异质结双极晶体管工艺
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Keywords
additional phase noise
Darlington amplifier
noise figure
GaAs heterojunction bipolar transistor technology
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分类号
TN72
[电子电信—电路与系统]
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