达林顿管的检测方法 被引量：1

1

作者 吴文民 李俄收 《汽车电器》 2008年第2期67-68,共2页

达林顿管在汽车电子电路中应用很多。从早期的单纯控制电子点火到现在的发动机集中控制，都能看到它的身影。如解放CA1092型汽车6TS2107型点火电子组件、JFT106型电子调节器、汽车前照灯延时控制电路、音响报警装置等用的即为达林顿晶... 达林顿管在汽车电子电路中应用很多。从早期的单纯控制电子点火到现在的发动机集中控制，都能看到它的身影。如解放CA1092型汽车6TS2107型点火电子组件、JFT106型电子调节器、汽车前照灯延时控制电路、音响报警装置等用的即为达林顿晶体管。故认识和学会检测达林顿管对汽车某些电子器件的应用很有帮助。 展开更多

关键词 达林顿管 CA1092型汽车 检测 点火电子组件 延时控制电路 达林顿晶体管 集中控制 电子调节器

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达林顿硅光电晶体管的光放大特性 被引量：1

2

作者 郑云光 张培宁 +2 位作者 郭维廉 李树荣 王海英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期9-11,29,共4页

通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度， 并用１２Ｖ、０２５Ａ 的小灯泡作为输出发光元件， 在２６５μＷ （即９０ｌｘ） 的红光照射下， 器件可输出光电流１００ｍ Ａ 以上， 输出光功率为２０００μＷ 。

关键词 达林顿 硅光电晶体管 光功率增益 DSPT

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三级达林顿GTR体耐压计算机辅助设计 被引量：1

3

作者 王彩琳 李建华 高勇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期57-61,共5页

通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制了样品，测试表明，计算结果与实验结果符合得很好。

关键词 三级达林顿 体耐压 CAD 电力晶体管 GTR

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达林顿晶体管中稳定电阻对电流增益及电流分配的影响行为 被引量：1

4

作者 王培林 杨晶琦 宫立波 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期49-54,共6页

在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化.当稳定电阻很小时会造成电流增益的严重下降。本文对稳定电阻的影响行为进行了定量分析,并提出了电流增益和电流分配不受稳定电阻影响时稳定电... 在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化.当稳定电阻很小时会造成电流增益的严重下降。本文对稳定电阻的影响行为进行了定量分析,并提出了电流增益和电流分配不受稳定电阻影响时稳定电阻间比值P、稳定电阻基本值R、基极电流I_B 之间应满足的公式。文中图示的曲线族可供达林顿晶体管设计参考. 展开更多

关键词 达林顿晶体管 电流增益 电流分配

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基于KPCA与马氏距离的达林顿管故障预测 被引量：1

5

作者 刘强 程进军 +2 位作者 谭洋波 郭文浩 李剑峰 《空军工程大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2018年第5期71-77,共7页

为了对达林顿管进行故障预测,提出了基于KPCA与马氏距离的达林顿管故障预测方法。通过对达林顿管进行失效机理分析,设计了加速退化试验,并获取了集电极导通电流与饱和压降性能退化数据,利用小波包分解与核主成分分析进行数据处理,滤除... 为了对达林顿管进行故障预测,提出了基于KPCA与马氏距离的达林顿管故障预测方法。通过对达林顿管进行失效机理分析,设计了加速退化试验,并获取了集电极导通电流与饱和压降性能退化数据,利用小波包分解与核主成分分析进行数据处理,滤除了原始数据中的干扰信号,得到了退化数据的主成分,结合马氏距离对处理后的数据进行特征融合,得到了可以表征达林顿管健康状态变化的健康因子。使用2种故障预测算法对健康因子进行预测,故障预测结果验证了文中方法的有效性,预测值与真实值的误差均在10%以内。 展开更多

关键词 故障预测 达林顿管 核主成分分析 马氏距离 健康因子

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0.1~6.0 GHz pHEMT达林顿放大器 被引量：1

6

作者 焦芳 陈金远 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第3期169-172,共4页

采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负反馈,并采用了有源偏置。在0.1~6.0 GHz范围内,小信号增益大于23dB,平坦度小于±1 dB,驻波小于2,噪声... 采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负反馈,并采用了有源偏置。在0.1~6.0 GHz范围内,小信号增益大于23dB,平坦度小于±1 dB,驻波小于2,噪声系数小于1.5 dB,输出1 dB压缩点大于21 dBm,输出三阶交调截断点大于34 dBm@1.8 GHz。所设计的共源共栅达林顿放大器具有较好的带宽和一致性等优点,适用于4G、5G通信系统以及雷达收发组件等。 展开更多

关键词 达林顿放大器 共源共栅 增强型pHEMT 宽带

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高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品及其应用 被引量：14

7

作者 万天才 《国外电子元器件》 2001年第2期19-21,共3页

ULN2000、ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品 ,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点 ,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。ULN2003A电路是美国TexasInstruments公司和Sprague公司开发的高压大电... ULN2000、ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品 ,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点 ,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。ULN2003A电路是美国TexasInstruments公司和Sprague公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列电路 ,文中介绍了它的电路构成、特征参数及典型应用。 展开更多

关键词 达林顿晶体管阵列 驱动电路 ULN2000系列 ULN28000系列

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隔离型达林顿管静态漏电失效分析

8

作者 王旭 段超 +1 位作者 龚欣 孟猛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期629-632,共4页

分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤... 分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤、过电应力损伤等使用问题导致器件失效的可能性,提出了器件出现异常静态漏电流是因为采用扩散方法制作的pn结深度不足导致的假设,并利用磨角染色法证明了失效芯片隔离岛隔离墙pn结深度不足的假设,并提出了改进意见。 展开更多

关键词 高可靠设备 隔离型达林顿 静态漏电 失效分析 磨角染色法

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基于电学法的达林顿管稳态热阻测量方法研究

9

作者 高成 王怡豪 +1 位作者 张雨琪 黄姣英 《现代电子技术》 北大核心 2019年第1期108-112,共5页

热阻是功率器件一个重要的热性能参数,影响着结温的高低,同时也用于确定器件结温以及功率器件的安全工作温度范围。每只器件热阻值由于工艺问题有一定偏差,由产品手册无法获得精确热阻值。从电学法测量结温原理出发,以达林顿管BDW47G为... 热阻是功率器件一个重要的热性能参数,影响着结温的高低,同时也用于确定器件结温以及功率器件的安全工作温度范围。每只器件热阻值由于工艺问题有一定偏差,由产品手册无法获得精确热阻值。从电学法测量结温原理出发,以达林顿管BDW47G为试验对象,测量并计算得到其温度系数M=-1.835 8 mV/℃。设计测量电路,并对测量中延迟时间造成的误差进行分析修正,得到达林顿管延迟时间为零时精确结温,最终获得达林顿管稳态热阻的测量计算方法。该方法有助于获得器件关键热性能参数,有助于老炼试验等对结温有要求的试验获得精确结温。 展开更多

关键词 电学法 达林顿管 稳态热阻 测量方法 误差修正 结温

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达林顿管瞬态热阻测试方法的研究 被引量：2

10

作者 曲晓文 王振民 《电子产品可靠性与环境试验》 2014年第2期47-50,共4页

达林顿管是一种两级或多级的复合管。功率型的达林顿管的功率级是后极,而后极功率管的δVbe不能直接测量,所以,达林顿管瞬态热阻测量仪器的研发一直是一个的难点。从晶体管的瞬态热阻测量原理出发,研究了达林顿管的热阻测量方法。此方... 达林顿管是一种两级或多级的复合管。功率型的达林顿管的功率级是后极,而后极功率管的δVbe不能直接测量,所以,达林顿管瞬态热阻测量仪器的研发一直是一个的难点。从晶体管的瞬态热阻测量原理出发,研究了达林顿管的热阻测量方法。此方法也可以引申到达林顿管稳态热阻的检测中。 展开更多

关键词 达林顿管热阻 瞬态热阻 检测方法

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0.1～4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块 被引量：4

11

作者 丁华锋 严维敏 +2 位作者 王钟 胡善文 高怀 《电讯技术》 北大核心 2010年第11期80-84,共5页

提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑... 提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应。设计了增益模块的版图,用2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明：在0.14 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm。 展开更多

关键词 发射机 达林顿结构 共射共基 负反馈 放大器 增益模块

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高线性度PHEMT达林顿放大器 被引量：2

12

作者 李晓倩 钱峰 郑远 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期218-221,250,共5页

使用E-PHEMT工艺,结合有源自偏置技术与达林顿放大器技术,制作一种新型E-PHEMT达林顿反馈放大器。相较于传统结构,这种新型结构具有显著的两大优点,采用E-PHEMT的技术使放大器线性度获得较大提高。在0.5~3 GHz的频率范围内,5 V供电电压... 使用E-PHEMT工艺,结合有源自偏置技术与达林顿放大器技术,制作一种新型E-PHEMT达林顿反馈放大器。相较于传统结构,这种新型结构具有显著的两大优点,采用E-PHEMT的技术使放大器线性度获得较大提高。在0.5~3 GHz的频率范围内,5 V供电电压的情况下,新型放大器可以保持21.5 dBm以上的P1dB;8 V情况下,更是能达到23.5 dBm以上的P1dB;采用有源自偏置技术以后,取消了传统结构中的偏置电阻,减少了电压消耗,使电源效率提高了近40%,并且使得偏置电流、增益、IP3和P1dB对温度的敏感度大大降低。 展开更多

关键词 E-PHEMT 达林顿 有源自偏置 宽带 高线性度

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强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理（英文） 被引量：1

13

作者 王乾坤 柴常春 +1 位作者 席晓文 杨银堂 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期67-74,共8页

建立了PNP型达林顿管的二维电热模型,对处于有源放大区的达林顿管的集电极注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时的瞬态响应进行了仿真。结果表明:HPM注入下,器件内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",温度升高过程发生在... 建立了PNP型达林顿管的二维电热模型,对处于有源放大区的达林顿管的集电极注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时的瞬态响应进行了仿真。结果表明:HPM注入下,器件内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",温度升高过程发生在信号的正半周,靠近达林顿管发射极的晶体管发射结边缘是最易毁伤处;EMP注入下,其损伤机理与HPM注入时的正半周时相似,器件内部峰值温度一直上升,易毁伤部位与HPM注入时相同。得到了损伤功率阈值和损伤能量阈值与损伤脉宽的关系,这两种干扰注入下的损伤能量阈值-脉宽关系和损伤功率阈值-脉宽关系公式相似,并且在相同脉宽下,HPM注入下的损伤能量阈值大于EMP注入下的损伤能量阈值。 展开更多

关键词 达林顿管 高功率微波 强电磁脉冲 脉宽效应

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电子点火模块达林顿管的功率分析与计算 被引量：2

14

作者 周芳 陈昌巨 黄金火 《汽车技术》 北大核心 1998年第7期9-12,共4页

分析了电子点火模块达林顿管的工作过程及其电压、电流的波形，并对所选典型模块在不同转速、不同负载下的功率损耗进行了分析和计算，从而得出选用达林顿管的依据，使电子点火模块具有良好的工作性能和可靠性。

关键词 电子点火模块 达林顿管 功率 计算

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高增益大功率达林顿晶体管的设计与制造

15

作者 杨晶琦 徐婀丽 王培林 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期59-64,共6页

介绍了ｈｆｅ≥１２０００的两级功率达林顿器件的设计方法及关键技术。并对在１０Ａ比１ｍＡ的条件下实现低饱和压降的几项措施作了较详细的讨论。

关键词 达林顿 电流增益 稳定电阻 晶体管

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用达林顿管制作两阶段全自动恒流充电器

16

作者 杨开 李坚 朱纪五 《电子技术应用》 北大核心 1997年第8期25-26,共2页

利用达林顿管独特的性能研制的一种恒流型，全自动，两阶段大电流充电器，该电路具有结构简单，可靠性高等显著的特点。

关键词 达林顿管 恒流充电 充电器

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无损检测技术在达林顿管筛选中的应用

17

作者 卢富强 张文才 闫德立 《河南科技》 2017年第9期64-65,共2页

达林顿管又称复合管,可以应用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路和驱动小型电机等。本文基于达林顿管的结构,利用DR成像检测法、超声波C扫检测法对达林顿芯片焊接空洞进行分析,来确定达林顿管的检测方法及判别依据。结果表明可以采... 达林顿管又称复合管,可以应用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路和驱动小型电机等。本文基于达林顿管的结构,利用DR成像检测法、超声波C扫检测法对达林顿芯片焊接空洞进行分析,来确定达林顿管的检测方法及判别依据。结果表明可以采用DR成像法对达林顿管进行筛选。 展开更多

关键词 达林顿管 焊接空洞 超声C扫 DR成像检测

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达林顿晶体管的PSpice建模和仿真 被引量：1

18

作者 陶春见 林青 《山西电子技术》 2008年第6期18-19,共2页

达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的,一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIP120仿真的,比如在不同的集电极-射极饱和电压状态下的电流增益(hFE),集电极电流vs,输入级电流,以及集电极-射极饱和电压和集电极电流之间... 达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的,一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIP120仿真的,比如在不同的集电极-射极饱和电压状态下的电流增益(hFE),集电极电流vs,输入级电流,以及集电极-射极饱和电压和集电极电流之间的关系。 展开更多

关键词 PSpice建模 达林顿晶体管 电流增益 集电极电流

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高速高压大电流达林顿管 被引量：2

19

作者 王嘉蓉 《现代电子技术》 2002年第11期56-58,共3页

介绍了高速高压大电流达林顿管的设计及基本工艺

关键词 高速 高压 大电流 达林顿管

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改进达林顿管输出特性的措施 被引量：1

20

作者 任慧敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期29-32,共4页

单片功率达林顿器件既保持了分立器件的高耐压、大电流、高功率容量的优点,又是一种简单的功率集成。为了提高其热稳定性及改善输出特性,R_1及R_2的选取是十分重要的。本文着重介绍了一种方法:采用双次P扩散和对T_1、T_2管隔离的办法,... 单片功率达林顿器件既保持了分立器件的高耐压、大电流、高功率容量的优点,又是一种简单的功率集成。为了提高其热稳定性及改善输出特性,R_1及R_2的选取是十分重要的。本文着重介绍了一种方法:采用双次P扩散和对T_1、T_2管隔离的办法,利用基区薄层电阻作为R_1,从而提供了一种可以独立控制电阻R_1的办法,工艺上很容易实现,R_1的一致性又非常好,全部控制在5kΩ以上,I_c达10A时,I_b注入<0.2mA即可开启。 展开更多

关键词 功率 达林顿管 输出特性 晶体管

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