针对目前带探头补偿的平面近远场变换中,探头H面方向图对远区副瓣引入较大误差的情况,结合国内传统的E面电场法和K.T.Selvan提出的边缘电流逼近法各自的优点,利用混合算法研究了一种新的探头方向图逼近公式,并将其应用于平面近场测试中...针对目前带探头补偿的平面近远场变换中,探头H面方向图对远区副瓣引入较大误差的情况,结合国内传统的E面电场法和K.T.Selvan提出的边缘电流逼近法各自的优点,利用混合算法研究了一种新的探头方向图逼近公式,并将其应用于平面近场测试中。通过在某大型微波暗室对一频段阵列天线进行实际测量,分别用E面电场法、边缘电流逼近法以及新的方法进行带探头补偿的近远场变换。最后,将各种方法与实际测试结果进行比较,求得其误差曲线,并在全域的角度分析各种方法的-50 d B超低副瓣精度。结果表明,此方法集合了前两种方法的优点,相比E面电场法,远区副瓣精度提高了8.2 d B,整个角域内副瓣精度提高了1.13 d B;相比边缘电流逼近法,近区副瓣精度提高了0.89d B,整个角域内副瓣精度提高了0.87d B。展开更多
文摘针对目前带探头补偿的平面近远场变换中,探头H面方向图对远区副瓣引入较大误差的情况,结合国内传统的E面电场法和K.T.Selvan提出的边缘电流逼近法各自的优点,利用混合算法研究了一种新的探头方向图逼近公式,并将其应用于平面近场测试中。通过在某大型微波暗室对一频段阵列天线进行实际测量,分别用E面电场法、边缘电流逼近法以及新的方法进行带探头补偿的近远场变换。最后,将各种方法与实际测试结果进行比较,求得其误差曲线,并在全域的角度分析各种方法的-50 d B超低副瓣精度。结果表明,此方法集合了前两种方法的优点,相比E面电场法,远区副瓣精度提高了8.2 d B,整个角域内副瓣精度提高了1.13 d B;相比边缘电流逼近法,近区副瓣精度提高了0.89d B,整个角域内副瓣精度提高了0.87d B。
