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题名MEMS电容型器件边缘效应研究
被引量：3
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作者
胡钧铭
戴强
刘军
徐江
宋丹路
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机构
制造过程测试技术教育部重点实验室
电子科技大学通信抗干扰国家级重点实验室
中国电科芯片技术研究院
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2023年第2期76-82,共7页
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基金
国家重点研发计划(2020YFB1807700)
中国电子科技集团2021产业资金(C211)项目资助
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文摘
MEMS电容型器件在工作过程中,其电容通常情况下为非正对的极板,边缘效应不容忽视。为解决此问题,基于保角映射变换和复变函数相关理论,通过继承传统模型并加以修正,得出电容极板在非正对情况下的边缘效应模型。经过与有限元仿真、传统Heerens模型、Huang模型的对比,表明当电容极板从正对到完全移开的过程中,本文模型与有限元仿真的误差在10%~20%之间,优于传统Heerens模型与Huang模型。进一步,根据本文模型,当极板重合度低于40%时,边缘效应呈快速增长,此时其电容值可用本文模型进行计算。以上结论均得到了MEMS阵列电容数字式实验验证。研究对电容型MEMS器件的设计与性能分析具参考作用。
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关键词
边缘效应模型
MEMS电容型器件
保角映射变换
有限元仿真
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Keywords
MEMS capacitive device
fringing effect model
conformal mapping transformation
finite element simulation
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分类号
TN401
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TH701
[机械工程—精密仪器及机械]
TM53
[电气工程—电器]
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