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反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究
1
作者
张兴
石涌泉
黄敞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期41-44,共4页
本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。
关键词
SOI
器件
边缘寄生效应
刻蚀工艺
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职称材料
题名
反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究
1
作者
张兴
石涌泉
黄敞
机构
陕西微电子学研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期41-44,共4页
文摘
本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。
关键词
SOI
器件
边缘寄生效应
刻蚀工艺
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究
张兴
石涌泉
黄敞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
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