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新型T形边缘场致发射器件的静电分析
1
作者
汪琛
赵宏卫
+2 位作者
尹涵春
王保平
童林夙
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1998年第3期313-319,共7页
对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法，由于所取坐标轴与边界重合，所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体．文中...
对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法，由于所取坐标轴与边界重合，所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体．文中给出了场强及发射电流与几何结构因子的关系曲线、轨迹图及ＩＶ特性曲线。
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关键词
静电分析
边缘场致发射
体
T形
平板显示器
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职称材料
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
2
作者
赵宏卫
汪琛
+2 位作者
黄仲平
王保平
童林夙
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997年第5期340-344,共5页
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点...
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。
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关键词
场
致发射
阵列
边缘场致发射
多晶硅
平板显示器
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职称材料
题名
新型T形边缘场致发射器件的静电分析
1
作者
汪琛
赵宏卫
尹涵春
王保平
童林夙
机构
东南大学
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1998年第3期313-319,共7页
文摘
对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法，由于所取坐标轴与边界重合，所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体．文中给出了场强及发射电流与几何结构因子的关系曲线、轨迹图及ＩＶ特性曲线。
关键词
静电分析
边缘场致发射
体
T形
平板显示器
Keywords
electrostatic analysis, disk edge field emitter, finite difference method, non orthogonal curvilinear coordinate system, coordinate transformation technique
分类号
TN873.91 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
2
作者
赵宏卫
汪琛
黄仲平
王保平
童林夙
机构
南京电子器件研究所
东南大学电子研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997年第5期340-344,共5页
文摘
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。
关键词
场
致发射
阵列
边缘场致发射
多晶硅
平板显示器
Keywords
Field emitter array, Edge field emission, Isotropic etching, Electrostatic field analysis
分类号
TN873.91 [电子电信—信息与通信工程]
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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1
新型T形边缘场致发射器件的静电分析
汪琛
赵宏卫
尹涵春
王保平
童林夙
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1998
0
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职称材料
2
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
赵宏卫
汪琛
黄仲平
王保平
童林夙
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
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