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硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究
被引量：
2
1
作者
彭超
雷志锋
+2 位作者
张鸿
张战刚
何玉娟
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期2187-2194,共8页
本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于...
本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于辐射诱生缺陷导致的复合电流增加。最后,基于深能级瞬态谱开展了NPN晶体管发射结的缺陷测试,发现辐射会导致缺陷密度的增加和缺陷能级的改变。
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关键词
双极晶体管
总剂量效应
深能级瞬态谱
辐射损伤缺陷
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职称材料
题名
硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究
被引量：
2
1
作者
彭超
雷志锋
张鸿
张战刚
何玉娟
机构
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期2187-2194,共8页
文摘
本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于辐射诱生缺陷导致的复合电流增加。最后,基于深能级瞬态谱开展了NPN晶体管发射结的缺陷测试,发现辐射会导致缺陷密度的增加和缺陷能级的改变。
关键词
双极晶体管
总剂量效应
深能级瞬态谱
辐射损伤缺陷
Keywords
bipolar transistor
total ionize dose effect
deep level transient spectrum
irradiation damage
分类号
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究
彭超
雷志锋
张鸿
张战刚
何玉娟
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
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