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质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
被引量：
2
1
作者
谷文萍
张林
+4 位作者
杨鑫
全思
徐小波
杨丽媛
刘盼芝
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期1445-1449,共5页
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射...
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和Si N钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中,屏蔽了绝大部分的辐照损伤,是很有效的辐射加固手段.
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关键词
ALGAN/GAN
HEMT
质子辐照
辐射感生受主缺陷
辐射
加固
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职称材料
题名
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
被引量：
2
1
作者
谷文萍
张林
杨鑫
全思
徐小波
杨丽媛
刘盼芝
机构
长安大学电子与控制工程学院
西安电子科技大学微电子学院
西安理工大学材料科学与工程学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期1445-1449,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61504011
No.51504191)
+8 种基金
中国博士后基金(No.2013M540732
No.2013M542307)
陕西省自然科学基金(No.2014JM6229
No.2014JQ8344
No.2015JM6357)
中央高校基本科研业务费项目(No.310832161002)
西安市科技计划项目(No.CXY1441(9)
No.CXY1438(5))
大学生创新创业训练项目(No.201510710037)
文摘
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和Si N钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中,屏蔽了绝大部分的辐照损伤,是很有效的辐射加固手段.
关键词
ALGAN/GAN
HEMT
质子辐照
辐射感生受主缺陷
辐射
加固
Keywords
AlGaN/GaNHEMT
AlGaN/GaN HEMT
proton-irradiation
irradiation induced acceptor defects
radiation hardness
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
谷文萍
张林
杨鑫
全思
徐小波
杨丽媛
刘盼芝
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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