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辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素 被引量:14
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作者 普朝光 肖绍泽 张震 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1997年第4期67-70,共4页
本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限,是鉴定起统金属或半导体材料纯度(8N)的理想手段。
关键词 辉光放电质谱仪 痕量杂质 锗半导体 纯度
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辉光放电质谱仪的历史现状与未来 被引量:3
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作者 杭纬 杨成隆 +3 位作者 苏永选 杨芃原 王小如 黄本立 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期8-14,共7页
本文介绍辉光放电(GlowDischarge,GD)作为质谱仪离子源的发展过程,叙述了多种形式的辉光放电离子源的特性及应用,并就辉光放电质谱仪做为分析手段与其他分析方法进行了比较,对该领域的杰出人士及辉光放电商品仪器... 本文介绍辉光放电(GlowDischarge,GD)作为质谱仪离子源的发展过程,叙述了多种形式的辉光放电离子源的特性及应用,并就辉光放电质谱仪做为分析手段与其他分析方法进行了比较,对该领域的杰出人士及辉光放电商品仪器进行了介绍,最后根据专家们的分析,探讨了辉光放电质谱仪的未来工作方向。 展开更多
关键词 辉光放电质谱仪 离子源 原子谱仪 放电
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辉光放电质谱仪期间核查控制图在实验室质量控制中的应用 被引量:3
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作者 甘建壮 马媛 +1 位作者 李玉萍 杨晓滔 《中国无机分析化学》 CAS 2019年第1期67-70,共4页
仪器设备的期间核查是实验室管理及实验室认证认可的一项基本要求,辉光放电质谱仪主要应用于高纯金属材料的分析,标样研制较为困难,使用高纯标准物质进行质量控制及期间核查的方法难以实现。对用液氮低温冷却离子源型的辉光放电质谱仪,... 仪器设备的期间核查是实验室管理及实验室认证认可的一项基本要求,辉光放电质谱仪主要应用于高纯金属材料的分析,标样研制较为困难,使用高纯标准物质进行质量控制及期间核查的方法难以实现。对用液氮低温冷却离子源型的辉光放电质谱仪,使用纯钽片在进行日常仪器调试信号时得到的钨元素含量数据,用于绘制平均值-极差控制图作为实验室质量控制及期间核查的判定依据,以此评价仪器日常工作的性能状态,以保证检测结果的正确性和可靠性。 展开更多
关键词 辉光放电质谱仪 期间核查 质量控制
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辉光放电质谱(GD-MS)法测定高纯砷中16种杂质元素
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作者 邹琳 栾海光 +1 位作者 王凌燕 徐萌琳 《中国无机分析化学》 北大核心 2025年第4期576-581,共6页
高新技术产业发展迅猛,半导体行业热度也越来越高,对于高纯砷的需求量相应不断增加,对于其纯度的要求也越来越高,尤其是在合成化合物半导体材料时。因此,对于高纯砷中杂质元素的检测也成为不容忽视的一部分。通过对制样方法、样品的处... 高新技术产业发展迅猛,半导体行业热度也越来越高,对于高纯砷的需求量相应不断增加,对于其纯度的要求也越来越高,尤其是在合成化合物半导体材料时。因此,对于高纯砷中杂质元素的检测也成为不容忽视的一部分。通过对制样方法、样品的处理方法、仪器的参数条件、积分时间的选择、优化数据处理以及如何避免污染等方面进行研究,建立了辉光放电质谱(GD-MS)法测定高纯砷中钠、镁、铝、钾、钙、铬、铁、镍等16种杂质元素的方法。通过对辉光放电质谱仪(GD-MS)测定杂质元素特点的研究,最终选择压片法进行样品制备;通过调节氩气流量、电流、电压、积分时间等使仪器达到最佳分析状态;通过建立相对灵敏度因子校正分析结果,并与电感耦合等离子体质谱仪的分析结果进行对比,结果均在误差范围之内。辉光放电质谱法操作便捷,结果准确可靠且精密度高。 展开更多
关键词 辉光放电质谱仪 高纯砷 质谱干扰 相对灵敏度因子
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辉光放电质谱(GDMS)法校正高纯氧化铋中19种元素的相对灵敏度因子 被引量:10
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作者 谭秀珍 李瑶 +2 位作者 陈晶晶 朱刘 邓育宁 《中国无机分析化学》 CAS 2019年第6期63-68,共6页
采用标准溶液加入法往高纯氧化铋中加入混合标准溶液,烘干并研磨均匀,制备了5个高纯氧化铋的控制样品。再挑取适量的粉末样品压在高纯铟薄片上,建立了辉光放电质谱(GDMS)法校正高纯氧化铋中的Mg、Al、Ca等19种元素相对灵敏度因子的方法... 采用标准溶液加入法往高纯氧化铋中加入混合标准溶液,烘干并研磨均匀,制备了5个高纯氧化铋的控制样品。再挑取适量的粉末样品压在高纯铟薄片上,建立了辉光放电质谱(GDMS)法校正高纯氧化铋中的Mg、Al、Ca等19种元素相对灵敏度因子的方法。实验考察了放电参数和制样面积对基体信号强度和稳定性的影响,优化后的辉光放电电流为1.8 mA,放电电压为950 V,压在铟薄片上的高纯氧化铋直径约为6~8 mm。通过选择合适的同位素,在4000的中分辨率下测定即可消除质谱干扰。为了验证加标回收的准确性,采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法对控制样品进行测定,所有元素的加标回收率都在80%以上。采用GDMS法测定5个控制样品并结合ICP-MS法的测定值建立工作曲线,大部分元素的线性均达到0.995以上;除Al、Ga、Sb外,大部分元素的校准相对灵敏度因子(calRSF)和仪器自带的标准相对灵敏度因子(stdRSF)的比值都在1/2~2之间,说明GDMS的半定量分析不会有数量级的差别。但对于某些需要准确测定纯度的定量分析,则必须采用基体相匹配的RSF值进行校正。 展开更多
关键词 辉光放电质谱仪(GDMS) 高纯氧化铋 控制样品 相对灵敏度因子
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直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al 2 O 3颗粒中16种杂质元素 被引量:4
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作者 谭秀珍 李江霖 +2 位作者 李瑶 邓育宁 朱刘 《中国无机分析化学》 CAS 北大核心 2023年第7期755-760,共6页
采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2... 采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2 mm左右大小的α-Al_(2)O_(3)颗粒用Ga包裹,在1.6 mA/950 V的放电参数下,基体27 Al信号稳定,强度为3.2×10^(8) cps,Al、Ga的信号比约为1∶270。采用实验方法对α-Al_(2)O_(3)颗粒独立测定5次,相对标准偏差均在30%以内。为了验证Ga对α-Al_(2)O_(3)颗粒测定结果的影响,分别采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)和dc-GDMS法对易于消解的γ-Al_(2)O_(3)粉进行测定。对于dc-GDMS法,选择压在Ga上的γ-Al_(2)O_(3)粉直径约为4~5 mm,在同样的放电参数下,27 Al的信号强度为3.0×10^(9) cps,Al、Ga的信号比约为1∶29。γ-Al_(2)O_(3)粉的GDMS测定结果和ICP-OES基本一致。采用Ga作辅助电极测定α-Al_(2)O_(3)颗粒和γ-Al_(2)O_(3)粉的检出限均可达ng/g。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱仪(dc-GDMS) 高纯Ga 高纯α-Al 2 O 3颗粒 杂质元素
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光谱分析与光谱测量
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《中国光学》 EI CAS 1998年第1期13-15,共3页
O433.4 98010083辉光放电质谱仪直接测定超纯镉中的痕量杂质元素=Determination of trace element in ultra-highpurity cadmium by GDMS[刊,中]/普朝光,张震,肖绍泽(昆明物理研究所.云南,昆明(650223))//红外与激光工程.-1997,26(3).-4... O433.4 98010083辉光放电质谱仪直接测定超纯镉中的痕量杂质元素=Determination of trace element in ultra-highpurity cadmium by GDMS[刊,中]/普朝光,张震,肖绍泽(昆明物理研究所.云南,昆明(650223))//红外与激光工程.-1997,26(3).-40-43用辉光放电质谱仪VG9000直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的技术参数。 展开更多
关键词 辉光放电质谱仪 痕量杂质元素 配合物 物理研究所 物理性质 技术参数 开放研究实验室 中科院
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