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基于STM32四轴飞行器的设计
被引量：
11
1
作者
周建阳
陈家乐
+1 位作者
薛斌
刘渊
《钦州学院学报》
2015年第2期30-33,共4页
四轴飞行器作为一个小型飞行器平台,其用途非常广泛,该设计采用性价比高、片内外设丰富、功能强大的STM32单片机作为控制系统的核心,以NRF24L01无线模块、无刷电子调速器、陀螺仪、加速度传感器、地磁传感器、气压传感器为辅助器件,采...
四轴飞行器作为一个小型飞行器平台,其用途非常广泛,该设计采用性价比高、片内外设丰富、功能强大的STM32单片机作为控制系统的核心,以NRF24L01无线模块、无刷电子调速器、陀螺仪、加速度传感器、地磁传感器、气压传感器为辅助器件,采用融合滤波算法对传感器采集的数据进行滤波处理,同时运用PID算法对飞机飞行的控制进行计算,设计了一个小型遥控式的四轴飞行器。调试飞行表明,四轴飞行器实际飞行时,其平衡度难以控制。
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关键词
四轴飞行器
STM32
辅助器件
平衡度
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职称材料
纳米级应变硅MOSFET的有限元与TCAD模拟研究
2
作者
张庆东
周东
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期40-43,共4页
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的...
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的影响越显著。另一方面,采用TCAD工具Sentaurus通过工艺级仿真生成了栅长为50 nm的SiGe源/漏结构的PMOSFET模型,计算所得饱和驱动电流与实际制作的器件相差仅约20μA/μm。研究表明有限元法与TCAD两种模拟技术可有效地用于纳米级应变硅器件的设计与优化。
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关键词
应变硅
金属氧化物半导体场效应管
有限元分析
工艺与
器件
的计算机
辅助
设计
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职称材料
题名
基于STM32四轴飞行器的设计
被引量：
11
1
作者
周建阳
陈家乐
薛斌
刘渊
机构
钦州学院物理与电子工程学院
出处
《钦州学院学报》
2015年第2期30-33,共4页
基金
钦州学院校级立项项目:多因素激励下甘蔗收获机切割系统振动性能的研究(2014XJKY-25B)
文摘
四轴飞行器作为一个小型飞行器平台,其用途非常广泛,该设计采用性价比高、片内外设丰富、功能强大的STM32单片机作为控制系统的核心,以NRF24L01无线模块、无刷电子调速器、陀螺仪、加速度传感器、地磁传感器、气压传感器为辅助器件,采用融合滤波算法对传感器采集的数据进行滤波处理,同时运用PID算法对飞机飞行的控制进行计算,设计了一个小型遥控式的四轴飞行器。调试飞行表明,四轴飞行器实际飞行时,其平衡度难以控制。
关键词
四轴飞行器
STM32
辅助器件
平衡度
Keywords
four axis aircraft
STM32
auxiliary devices
balance
分类号
V249 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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职称材料
题名
纳米级应变硅MOSFET的有限元与TCAD模拟研究
2
作者
张庆东
周东
顾晓峰
机构
江南大学信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期40-43,共4页
基金
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484)
教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890)
江南大学自主科研计划资助(JUSRP20914)
文摘
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的影响越显著。另一方面,采用TCAD工具Sentaurus通过工艺级仿真生成了栅长为50 nm的SiGe源/漏结构的PMOSFET模型,计算所得饱和驱动电流与实际制作的器件相差仅约20μA/μm。研究表明有限元法与TCAD两种模拟技术可有效地用于纳米级应变硅器件的设计与优化。
关键词
应变硅
金属氧化物半导体场效应管
有限元分析
工艺与
器件
的计算机
辅助
设计
Keywords
strained silicon
MOSFET
finite element analysis
TCAD
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于STM32四轴飞行器的设计
周建阳
陈家乐
薛斌
刘渊
《钦州学院学报》
2015
11
在线阅读
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职称材料
2
纳米级应变硅MOSFET的有限元与TCAD模拟研究
张庆东
周东
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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参考文献
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