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Cu-THQ薄膜的可控制备及其载流子迁移率调控
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作者 王龙盛 李朝晖 +6 位作者 何漩 李薇馨 陈辉 王大珩 方伟 杜星 赵雷 《高等学校化学学报》 北大核心 2025年第3期111-120,共10页
利用化学气相沉积(CVD)方法制备了具有不同表面粗糙度的Cu-THQ(THQ=四羟基-1,4-苯醌-水合物)薄膜,并研究了Cu-THQ薄膜的表面粗糙度、分子π-π堆积程度与载流子迁移率之间的内在联系,探索了CVD生长过程中温度对Cu-THQ薄膜载流子迁移率... 利用化学气相沉积(CVD)方法制备了具有不同表面粗糙度的Cu-THQ(THQ=四羟基-1,4-苯醌-水合物)薄膜,并研究了Cu-THQ薄膜的表面粗糙度、分子π-π堆积程度与载流子迁移率之间的内在联系,探索了CVD生长过程中温度对Cu-THQ薄膜载流子迁移率的调控机理.结果表明,热源附近的Cu-THQ-3薄膜中金属离子存在大量不饱和配位,导致层间电荷斥力减弱,形成更紧密的π-π堆积,薄膜表现出更高的表面粗糙度和载流子迁移率,此时,霍尔效应迁移率达到4.10 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1). 展开更多
关键词 导电金属有机框架 化学气相沉积 配位方式 Π-Π堆积 霍尔效应载流子迁移率
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有机光电材料载流子迁移率的研究方法与技术 被引量:3
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作者 黄文波 王剑斌 +1 位作者 刘力千 傅伟文 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2018年第1期45-49,共5页
测量有机光电材料的载流子迁移率,有助于了解载流子在有机光电器件中的传递机制。通过对几种有机光电材料载流子迁移率的测试方法详细的阐述与对比分析,深入理解各种测试技术的原理,有助于学生掌握各种测试技术的实验方法,总结出各种测... 测量有机光电材料的载流子迁移率,有助于了解载流子在有机光电器件中的传递机制。通过对几种有机光电材料载流子迁移率的测试方法详细的阐述与对比分析,深入理解各种测试技术的原理,有助于学生掌握各种测试技术的实验方法,总结出各种测试技术的优劣及适用性,对研究载流子在有机光电材料中的传输特性及有机光电器件的性能具有重要意义。 展开更多
关键词 有机光电材料 有机光电器件 载流子迁移率
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半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟 被引量:1
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作者 罗衡 邓联文 +3 位作者 易图林 黄生祥 胡照文 周克省 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期112-115,共4页
半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料载流子迁移率的玻耳兹曼统计模型,... 半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料载流子迁移率的玻耳兹曼统计模型,计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为vdn=1.1×107cm/s,vdp=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性。 展开更多
关键词 半导体si 载流子迁移率 玻耳兹曼方程 计算模拟
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共价键结合的石墨烯和碳纳米管三维复合材料的载流子迁移率研究 被引量:3
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作者 许南鑫 李典 +1 位作者 高进伟 赵红波 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2015年第5期28-32,共5页
应用密度泛函理论对共价键结合的多孔石墨烯和单壁碳纳米管三维复合材料进行结构优化和能带计算,确定石墨烯和碳纳米管以共价键的形式结合.基于第一性原理计算出石墨烯二维平面上的弹性常数和形变势常数,得到石墨烯电子和空穴迁移率约为... 应用密度泛函理论对共价键结合的多孔石墨烯和单壁碳纳米管三维复合材料进行结构优化和能带计算,确定石墨烯和碳纳米管以共价键的形式结合.基于第一性原理计算出石墨烯二维平面上的弹性常数和形变势常数,得到石墨烯电子和空穴迁移率约为104cm2/(V·s),比完整的单层石墨烯低1个数量级.该模型可以扩展到共价键结合的碳元素三维空间结构,在未来的有机电子学领域具有广阔的发展前景. 展开更多
关键词 石墨烯 单壁碳纳米管 载流子迁移率 形变势理论 密度泛函理论 复合材料
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日本理研等开发出高载流子迁移率的液晶性有机半导体
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《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期115-115,共1页
日本理化学研究所、东京大学和高亮度光科学研究中心(JASRI)成功开发出了载流子迁移率为0.27cm^2/Vs,比此前的最高值还要高10倍的液晶性有机半导体。在室温下呈柔软状态的液晶有机半导体,具有容易制作大面积薄膜的加工成形特性,... 日本理化学研究所、东京大学和高亮度光科学研究中心(JASRI)成功开发出了载流子迁移率为0.27cm^2/Vs,比此前的最高值还要高10倍的液晶性有机半导体。在室温下呈柔软状态的液晶有机半导体,具有容易制作大面积薄膜的加工成形特性,但与结晶性材料相比,也存在着电子传输特性较差的问题。在进行分子结构设计时,东大的研究小组选用了与叶绿素结构类似的“缩环卟啉铜复合体”有机分子。 展开更多
关键词 载流子迁移率 有机半导体 液晶性 开发 日本 电子传输特性 分子结构 化学研究所
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Zr掺杂对氧化铟锡(ITO)靶材载流子迁移率影响的研究
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作者 赵天豪 文浪 +3 位作者 龙神峰 朱归胜 徐华蕊 黄誓成 《功能材料》 2025年第11期11183-11188,共6页
随着显示器件的高性能发展,对ITO靶材的迁移率提出了更高的要求。采用1%的Zr离子掺杂量在烧结温度为1 500℃,保温时间为4 h的条件下制备出载流子迁移率为62.8 cm^(2)/Vs、致密度为99.38%、电阻率为1.778×10^(-4)Ω·cm的高载... 随着显示器件的高性能发展,对ITO靶材的迁移率提出了更高的要求。采用1%的Zr离子掺杂量在烧结温度为1 500℃,保温时间为4 h的条件下制备出载流子迁移率为62.8 cm^(2)/Vs、致密度为99.38%、电阻率为1.778×10^(-4)Ω·cm的高载流子迁移率和高相对密度ITO靶材。研究发现,Zr掺杂过程会引入缺陷,这些缺陷可以使得部分电子被释放出来成为自由载流子,进而提高了载流子浓度,体现在电学性能上为降低了电阻率。同时Zr掺杂有效降低了靶材的烧结温度及烧结时间,极大程度的减少了能耗。 展开更多
关键词 Zr掺杂 载流子迁移率 高致密度 氧化铟锡
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Bi_(2)Te_(3)基热电材料中的载流子工程
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作者 马俊杰 刘志愿 +4 位作者 马妮 李周 巴倩 管希成 夏爱林 《功能材料》 北大核心 2025年第3期3095-3105,共11页
Bi_(2)Te_(3)合金因其较窄带隙和独特的层状晶体结构而具有较高的塞贝克系数和较低的热导率,在低温区热电材料中备受关注。然而由Bi_(2)Te_(3)基合金制造的热电发电或制冷器件转化效率仍较低,因此进一步提升Bi_(2)Te_(3)基材料的无量纲... Bi_(2)Te_(3)合金因其较窄带隙和独特的层状晶体结构而具有较高的塞贝克系数和较低的热导率,在低温区热电材料中备受关注。然而由Bi_(2)Te_(3)基合金制造的热电发电或制冷器件转化效率仍较低,因此进一步提升Bi_(2)Te_(3)基材料的无量纲热电优值zT是关键。通过纳米改性、超晶格结构、纳米复合、掺杂和引入位错阵列等声子工程可以显著降低Bi_(2)Te_(3)基材料的热导率,优化热输运性能从而显著提高其zT值。然而,电输运性能并没有明显的优化。载流子工程是协同优化Bi_(2)Te_(3)基材料电和热输运性能的重要手段之一。主要综述了近年来通过能带工程、载流子能量过滤效应、载流子迁移率和浓度优化等载流子工程提升Bi_(2)Te_(3)基材料电输运性能的主要研究进展。这些载流子工程策略是提高热电材料性能的重要手段,为开发高效热电材料提供了新的研究思路。 展开更多
关键词 Bi_(2)Te_(3)基热电材料 能带工程 载流子迁移率 载流子浓度 热电性能
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高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜 被引量:11
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作者 李喜峰 缪维娜 +3 位作者 张群 黄丽 章壮健 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期142-145,149,共5页
用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的... 用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。 展开更多
关键词 IN2O3 载流子迁移率 直流磁控溅射法 Mo 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 结构和性能 IMO 基板温度 低电阻 玻璃基底 可见光区 氧分压 透射 结晶性 cm 散射
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输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响 被引量:1
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作者 瞿述 彭景翠 +2 位作者 张高明 赵楚军 李宏建 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期90-94,共5页
基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触栽流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型.模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的.研究了材料参数Fh,Fe对器... 基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触栽流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型.模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的.研究了材料参数Fh,Fe对器件复合电流密度的影响及空穴输运层厚度和载流子迁移率对器件电场强度和复合电流密度的影响.结果表明:空穴输运层厚度和载流子迁移率引起电场强度的重新分布,进而对复合电流密度产生影响;接触限制电极注入少数载子的器件可以取得比欧姆接触注入多数载流子的器件更高的复合电流. 展开更多
关键词 有机电致发光器件 复合电流密度 输运层厚度 载流子迁移率
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油纸复合绝缘组成类型对电荷输运特性的影响 被引量:1
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作者 高路 徐浩 +2 位作者 吕泽鹏 周峻 吴锴 《高电压技术》 北大核心 2025年第1期309-321,共13页
植物绝缘油作为一种高燃点的环保液体电介质,被认为是矿物绝缘油的良好替代品。为了比较油纸复合绝缘组成类型对电荷输运的影响,选用一种矿物绝缘油、一种植物绝缘油与两种纤维素绝缘纸,制成4种不同组分的油浸纸;以环氧作为阻挡层构造... 植物绝缘油作为一种高燃点的环保液体电介质,被认为是矿物绝缘油的良好替代品。为了比较油纸复合绝缘组成类型对电荷输运的影响,选用一种矿物绝缘油、一种植物绝缘油与两种纤维素绝缘纸,制成4种不同组分的油浸纸;以环氧作为阻挡层构造单侧阻挡结构以及双侧阻挡结构,利用电声脉冲法(pulsed electro-acoustic,PEA)获取其空间电荷分布,得到了不同油浸纸中的正、负极性的注入载流子迁移率。结果表明:绝缘油类型对油浸纸中电荷输运的影响明显大于绝缘纸类型的影响。在测量电场范围内,由同种绝缘油组成的油浸纸,即使浸渍的绝缘纸不同,其电导率以及注入载流子迁移率仍非常接近;而两种植物油浸纸的电导率和载流子迁移率均远高于两种矿物油浸纸。植物油浸纸和矿物油浸纸之间的电导率差距不仅来自于载流子迁移率的区别,还来自于植物油浸纸中更低的注入势垒引起的载流子浓度差异。 展开更多
关键词 油纸绝缘 矿物绝缘油 植物绝缘油 电声脉冲法 空间电荷 载流子迁移率
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基于双极性载流子输运模型的高压直流电缆附件绝缘EPDM/LDPE界面电荷的数值模拟 被引量:15
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作者 李进 梁虎成 +3 位作者 杜伯学 宋鹏先 孔晓晓 李忠磊 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1443-1449,共7页
高压直流塑料电缆是直流输电系统的关键装备,作为其重要连接环节的直流电缆附件由于介质的不连续性,容易产生界面电荷积聚,威胁电缆输电系统安全。为此,通过设置界面特性相关的表面态、界面势垒和载流子迁移率等参数,利用双极性载流子... 高压直流塑料电缆是直流输电系统的关键装备,作为其重要连接环节的直流电缆附件由于介质的不连续性,容易产生界面电荷积聚,威胁电缆输电系统安全。为此,通过设置界面特性相关的表面态、界面势垒和载流子迁移率等参数,利用双极性载流子输运模型仿真研究了不同界面条件下空间电荷在乙丙橡胶(EPDM)/低密度聚乙烯(LDPE)双层介质中的注入和输运特性,并分析了界面电荷累积对复合绝缘系统电场分布的影响。仿真与实验结果证明材料表层的深陷阱能级、较高的界面势垒以及两种介质间较大的载流子迁移率差异均能造成界面电荷密度的增大,同时界面电荷积累也使电场分布畸变更加严重。因此可以从改善材料表面态分布,降低界面势垒和提高载流子迁移率匹配程度等方法出发,以解决高压直流电缆附件绝缘界面电荷积累问题。 展开更多
关键词 高压直流电缆附件 界面电荷 双极性载流子输运模型 表面态 界面势垒 载流子迁移率 电场分布
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基于ITO/Al/ITO结构的红外-可见光兼容隐身薄膜制备与性能研究
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作者 谷东 董玲 +4 位作者 杨季薇 李海平 李杰 朱归胜 徐华蕊 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1607-1613,共7页
红外-可见光兼容隐身材料因突破单波段隐身材料的局限,能够应对多波段侦察技术而备受关注。本文利用直流磁控溅射制备了具有不同厚度Al间隔层的ITO/Al/ITO复合薄膜。通过多膜层间的表面和界面效应及多波段光学耦合等光学效应协同作用,... 红外-可见光兼容隐身材料因突破单波段隐身材料的局限,能够应对多波段侦察技术而备受关注。本文利用直流磁控溅射制备了具有不同厚度Al间隔层的ITO/Al/ITO复合薄膜。通过多膜层间的表面和界面效应及多波段光学耦合等光学效应协同作用,获得了一种可见光高透过与红外高反射的ITO/Al/ITO复合薄膜。XRD表征结果显示,Al层的插入改善了ITO薄膜的结晶性。良好的晶体结构有助于载流子的运动,与载流子迁移率为11.1 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)的双层ITO薄膜相比,复合薄膜的载流子迁移率提升到24.2 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。Al层溅射时间9和12 s的复合薄膜的可见光透过率和红外光反射率均大于80%。 展开更多
关键词 ITO/Al/ITO复合薄膜 磁控溅射 红外-可见光兼容隐身 高透过 载流子迁移率
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调节散射机制提高Ho掺杂Mg_(3.0)Sb_(1.5)Bi_(0.5)热电性能的研究
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作者 康泽鹏 陈少平 樊文浩 《热加工工艺》 北大核心 2025年第8期34-39,47,共7页
Mg_(3)(Sb,Bi)_(2)基热电材料具有高性能、环保、经济等优点,已引起广泛关注,但在实际应用中,其热电性能仍有待提高。通过对晶粒尺寸的调节实现电输运性能和热输运性能的优化。结果表明:通过载流子浓度的调节以及对晶界散射的抑制,当烧... Mg_(3)(Sb,Bi)_(2)基热电材料具有高性能、环保、经济等优点,已引起广泛关注,但在实际应用中,其热电性能仍有待提高。通过对晶粒尺寸的调节实现电输运性能和热输运性能的优化。结果表明:通过载流子浓度的调节以及对晶界散射的抑制,当烧结温度为1073 K时,Mg_(3.22)Ho_(0.03)Sb_(1.5)Bi_(0.5)材料在600 K时的功率因子高达19.38μW·cm^(-1)·K^(-2),平均功率因子约为17.4μW·cm^(-1)·K^(-2)。另一方面,掺杂引起的点缺陷对降低晶格热导率也会有帮助。在750 K时,这些点缺陷使晶格热导率降低至0.47 W·m^(-1)·K^(-1)。综合电性能和热性能的调节,Mg_(3.22)Ho_(0.03)Sb_(1.5)Bi_(0.5)的ZT值可达1.7。 展开更多
关键词 Mg_(3)Sb_(2) 散射机制 晶界散射 载流子迁移率
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As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究
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作者 周文政 代娴 +2 位作者 林铁 徐庆庆 褚君浩 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期821-826,共6页
用液相外延(LPE)方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最... 用液相外延(LPE)方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合(MEPMS+MCF)的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS+MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。 展开更多
关键词 HG1-XCDXTE 磁输运 载流子浓度 载流子迁移率
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GaSe/ZnS异质结的结构和界面性质的第一性原理研究 被引量:2
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作者 鲍爱达 马永强 郭鑫 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期669-675,共7页
本文设计了一种GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构(vdWH),并用第一性原理计算系统地分析了该异质结构的几何、电子、输运性质。通过结合能、声子谱、从头算分子动力学(AIMD)模拟验证了所构建GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构的稳定性。详细计算了Ga... 本文设计了一种GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构(vdWH),并用第一性原理计算系统地分析了该异质结构的几何、电子、输运性质。通过结合能、声子谱、从头算分子动力学(AIMD)模拟验证了所构建GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构的稳定性。详细计算了GaSe/ZnS vdWH界面性质中的平面平均电子密度差和平均静电势。结果表明,GaSe/ZnS vdWH是一种直接带隙为2.19 eV,载流子迁移率较高的异质结构。其中,沿x方向的电子迁移率可达1394.63 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),而沿y方向的电子迁移率可达1913.18 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),性能优异,有望应用于电子纳米器件。 展开更多
关键词 第一性原理 密度泛函理论 GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构 声子色散谱 载流子迁移率
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不同功率O2或N2等离子处理TiNx阳极表面对硅基OLED发光性能的影响
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作者 李祥 刘海 +1 位作者 魏斌 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期934-943,共10页
硅基有机发光二极管是微显示领域的一个重要研究方向。本文以硅基微显示器件中阳极与有机层关键界面材料氮化钛为研究对象,通过研究不同条件的等离子处理引起的表面微结构形貌、功函数、载流子浓度、载流子迁移率、反射率以及X射线光电... 硅基有机发光二极管是微显示领域的一个重要研究方向。本文以硅基微显示器件中阳极与有机层关键界面材料氮化钛为研究对象,通过研究不同条件的等离子处理引起的表面微结构形貌、功函数、载流子浓度、载流子迁移率、反射率以及X射线光电子能谱变化,探究有机发光性能的表面处理方法。结果显示,合适功率的等离子处理(O_(2):60 W或N_(2):80 W)能够显著提升硅基显示器件的发光亮度(O_(2):70%,N_(2):128%);同时,电流效率和功率效率分别提高了35%和58%。通过比较各个参数,等离子处理改变的Ti和N元素的价态被认为可提高界面载流子浓度和迁移率从而优化发光性能。该研究细化了一种新颖的硅基显示器件性能提升方法,为相关研究提供了方向。 展开更多
关键词 等离子处理 硅基OLED 氮化钛 载流子浓度及迁移
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p型PbSe热电材料研究进展:从中温区发电到近室温制冷 被引量:2
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作者 刘世博 邱玉婷 +1 位作者 秦炳超 赵立东 《航空材料学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期117-128,共12页
热电材料能够实现电能和热能高效且清洁的相互转化,在余热回收和电子制冷方面具有重要的应用前景。碲化铅(PbTe)材料已经应用于深空探测领域的温差发电电源,硒化铅(PbSe)材料作为PbTe的同族类似物,有望作为其更为储量丰富、价格低廉的... 热电材料能够实现电能和热能高效且清洁的相互转化,在余热回收和电子制冷方面具有重要的应用前景。碲化铅(PbTe)材料已经应用于深空探测领域的温差发电电源,硒化铅(PbSe)材料作为PbTe的同族类似物,有望作为其更为储量丰富、价格低廉的替代品,在中温区温差发电中展现出重要应用前景。近年来,对无Te热电冷却材料和器件需求不断增长,PbSe的研究方向逐渐从中温区发电转向近室温制冷。本文回顾了p型PbSe材料研究进程中所采用的典型优化策略,概述了基于该材料的热电发电和制冷器件的关键研究进展,展示了这一材料重要的发展前景。最后,对未来如何实现p型PbSe材料近室温热电性能的充分开发以及高性能热电制冷器件的制造进行了总结展望,包括整合各种优化策略,优化器件组装技术,确定合适的接触材料,以及开发基于PbSe的无Te热电器件,以推进其在深空探测、激光制冷等关键领域的实际应用。 展开更多
关键词 热电材料 p型PbSe 热电器件 载流子迁移率 热电优值
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基于n型柔性半导体的有机晶体管及其电子-离子双响应特性 被引量:1
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作者 蒋浩 钟岳桁 +1 位作者 王刚 王宏志 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期39-44,共6页
为了研究n型有机混合离子电子导体电子-离子双响应特性及分子量对载流子迁移率的影响,采用具有平面刚性的梯形分子链结构的高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备高性能有机电化学晶体管,并对晶体管紫外可见吸收光谱和晶体管器件电气... 为了研究n型有机混合离子电子导体电子-离子双响应特性及分子量对载流子迁移率的影响,采用具有平面刚性的梯形分子链结构的高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备高性能有机电化学晶体管,并对晶体管紫外可见吸收光谱和晶体管器件电气性能进行表征。结果表明,利用高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备的n型有机电化学晶体管表现出极高的响应速度(0.034 s)、高载流子迁移率(4.72×10^(-3) cm^(2)/(V·s)),以及在水系电解液中优异的稳定性(稳定运行超过120次脉冲循环)。 展开更多
关键词 有机晶体管 n型柔性半导体 电子-离子双响应特性 聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮 载流子迁移率
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二维6H-SiC光学特性的应变调控 被引量:1
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作者 薛丽丽 高静 +3 位作者 司志泽 王卓群 王衍营 张雨 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第1期15-21,共7页
为了减小6H-SiC的带隙、提高对可见光的吸收效率和载流子迁移速率,采用第一性原理研究了应变对6H-SiC的能带结构、光学吸收系数、载流子迁移率以及光催化特性的影响.结果表明:应变能够降低6H-SiC的导带底,但对价带顶没有影响,导致带隙减... 为了减小6H-SiC的带隙、提高对可见光的吸收效率和载流子迁移速率,采用第一性原理研究了应变对6H-SiC的能带结构、光学吸收系数、载流子迁移率以及光催化特性的影响.结果表明:应变能够降低6H-SiC的导带底,但对价带顶没有影响,导致带隙减小.随着应变的增加,吸收曲线向低能级方向移动,即发生红移,有利于可见光的吸收.施加应变后空穴的载流子迁移率提高,有利于载流子移动,且空穴的载流子迁移率是电子的2.5倍,有利于空穴和电子的分离.综合应变对带隙大小、带边位置的影响可知,应变在±2%、±4%时对可见光的吸收以及光催化制氢最有效.综上所述,应变能够对6H-SiC的光学吸收和光催化特性有很好的调控作用. 展开更多
关键词 6H-SIC 能带结构 载流子迁移率 光学吸收系数 光催化特性
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碳纳米管场效应晶体管制备的新进展:可降解聚合物包裹技术
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作者 燕春晖(摘译) 《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期126-126,共1页
随着传统硅基技术接近物理极限,寻找新型半导体材料成为了研究热点。碳纳米管(CNTs),特别是半导体型碳纳米管(s-CNTs),因其卓越的载流子迁移率和低本征电容,被认为是未来高性能电子器件的理想材料。然而,传统聚合物包裹技术虽然能有效... 随着传统硅基技术接近物理极限,寻找新型半导体材料成为了研究热点。碳纳米管(CNTs),特别是半导体型碳纳米管(s-CNTs),因其卓越的载流子迁移率和低本征电容,被认为是未来高性能电子器件的理想材料。然而,传统聚合物包裹技术虽然能有效分离半导体碳纳米管(s-CNTs),但用于包裹的残留聚合物会严重影响器件性能。最近,北京大学彭练矛院士的研究团队开发了一种使用可降解聚合物对碳纳米管进行高纯度分离的技术,并可高效去除聚合物,相关研究成果发表于《ACS Nano》杂志上。 展开更多
关键词 半导体碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 可降解聚合物 载流子迁移率 新型半导体 团队开发 物理极限 半导体型
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