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GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势
被引量：
6
1
作者
李方直
胡磊
+6 位作者
田爱琴
江灵荣
张立群
李德尧
池田昌夫
刘建平
杨辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期1996-2012,共17页
氮化镓(GaN)基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域具有重要的应用前景与广泛的市场需求。本文着重介绍了GaN基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案。在GaN基蓝光与绿光激光器中,就制备高质量InG...
氮化镓(GaN)基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域具有重要的应用前景与广泛的市场需求。本文着重介绍了GaN基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案。在GaN基蓝光与绿光激光器中,就制备高质量InGaN/GaN多量子阱、减少内部光学损耗、增加空穴注入效率等方面分别介绍了一些结构与工艺方面的优化方法。简要介绍了垂直腔面发射激光器(VCSEL)、分布式反馈激光器(DFB)的研究现状。
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关键词
半导体激光器
氮化镓
热退化
In偏析
内部光学损耗
载流子注入效率
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职称材料
p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性
被引量：
1
2
作者
姚楚君
杨国锋
+3 位作者
孙锐
许桂婷
李月靖
蔡乐晟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期820-824,839,共6页
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超...
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED。通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面Ga N基LED具有潜在的应用前景。
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关键词
N面GaN
发光二极管
极化效应
InGaN/GaN超晶格
载流子注入效率
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职称材料
发光与发光器件
3
《中国光学》
EI
CAS
2000年第5期4-4,共1页
TN383.1 2000053022有机电致发光器件载流子注入效率的研究=Study ofcarrier injection efficiency of OEL devices[刊,中]/王丽辉,徐征,孙力,陈小红(北京交通大学光电子技术研究所.北京(100044))//半导体光电.—1999,20(6).—409-412,...
TN383.1 2000053022有机电致发光器件载流子注入效率的研究=Study ofcarrier injection efficiency of OEL devices[刊,中]/王丽辉,徐征,孙力,陈小红(北京交通大学光电子技术研究所.北京(100044))//半导体光电.—1999,20(6).—409-412,415从电极材料、结构、处理方法等角度出发。
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关键词
有机电致发光器件
载流子注入效率
发光强度
电极材料
处理方法
交通大学
光电子学
技术研究所
交流电致发光
半导体
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职称材料
题名
GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势
被引量：
6
1
作者
李方直
胡磊
田爱琴
江灵荣
张立群
李德尧
池田昌夫
刘建平
杨辉
机构
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期1996-2012,共17页
基金
国家重点研发计划(2016YFB0401803,2017YFE0131500,2017YFB0405000)
国家自然科学基金(61834008,61574160,61804164,61704184)
+1 种基金
中国博士后科学基金(2018M630619)
江苏省自然科学基金(BK20180254)。
文摘
氮化镓(GaN)基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域具有重要的应用前景与广泛的市场需求。本文着重介绍了GaN基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案。在GaN基蓝光与绿光激光器中,就制备高质量InGaN/GaN多量子阱、减少内部光学损耗、增加空穴注入效率等方面分别介绍了一些结构与工艺方面的优化方法。简要介绍了垂直腔面发射激光器(VCSEL)、分布式反馈激光器(DFB)的研究现状。
关键词
半导体激光器
氮化镓
热退化
In偏析
内部光学损耗
载流子注入效率
Keywords
semiconductor laser diode
GaN
thermal degradation
In segregation
internal optical loss
carrier injection
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性
被引量：
1
2
作者
姚楚君
杨国锋
孙锐
许桂婷
李月靖
蔡乐晟
机构
江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期820-824,839,共6页
基金
中国博士后科学基金资助项目(2014M561623
2014M551559)
+2 种基金
江苏省博士后科研资助计划(1401013B)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP11408
JUSRP51517)
文摘
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED。通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面Ga N基LED具有潜在的应用前景。
关键词
N面GaN
发光二极管
极化效应
InGaN/GaN超晶格
载流子注入效率
Keywords
N-face GaN
light-emitting diode（LED）
polarization effect
InGaN/GaN superlattice
carrier injection efficiency
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
发光与发光器件
3
出处
《中国光学》
EI
CAS
2000年第5期4-4,共1页
文摘
TN383.1 2000053022有机电致发光器件载流子注入效率的研究=Study ofcarrier injection efficiency of OEL devices[刊,中]/王丽辉,徐征,孙力,陈小红(北京交通大学光电子技术研究所.北京(100044))//半导体光电.—1999,20(6).—409-412,415从电极材料、结构、处理方法等角度出发。
关键词
有机电致发光器件
载流子注入效率
发光强度
电极材料
处理方法
交通大学
光电子学
技术研究所
交流电致发光
半导体
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势
李方直
胡磊
田爱琴
江灵荣
张立群
李德尧
池田昌夫
刘建平
杨辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
6
在线阅读
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职称材料
2
p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性
姚楚君
杨国锋
孙锐
许桂婷
李月靖
蔡乐晟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
发光与发光器件
《中国光学》
EI
CAS
2000
0
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职称材料
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