超晶格半导体材料及其应用(2)

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作者 康昌鹤 《功能材料》 EI CAS 1987年第5期308-311,共4页

三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(～10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现... 三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(～10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现出超晶格结构新的多种物理性质。因为这些物理性质不仅与材料有关,而且还与膜厚等结构参数有很强的依赖关系。因此,对器件设计的自由度很大。外另。 展开更多

关键词 超晶格结构 调制掺杂 量子阱激光器 半导体激光器 能带结构 电子能态 GaAs 仪表材料 超晶格雪崩光电二极管 子能带 超晶格器件 隧道效应 超薄膜 空穴 载流子(半导体) 电子气 势垒层 电离系数

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从船闸阀门的振动问题谈三峡船闸分级的可行性 被引量：1

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作者 阎诗武 《人民长江》 北大核心 1990年第6期32-39,共8页

为探究三峡船闸分级问题,作者根据世界各国船闸建设的情况与发展趋势,分析了船闸廊道阀门的工作状况,提出了影响阀门振动的诸因素。利用大量现有船闸的模型试验与原型观测资料,分为水动力荷载与阀门结构两方面详细地讨论了廊道体型、阀... 为探究三峡船闸分级问题,作者根据世界各国船闸建设的情况与发展趋势,分析了船闸廊道阀门的工作状况,提出了影响阀门振动的诸因素。利用大量现有船闸的模型试验与原型观测资料,分为水动力荷载与阀门结构两方面详细地讨论了廊道体型、阀门体型及阀门结构与启吊杆结构动特性对阀门振动的影响与可能的改善方向。文中还提出了四个方面尚需进一步研究的课题。就阀门振动方面而言,只要对四个方面问题进行深入细致的研究,并取得可靠的方案,三峡船闸目前的分级方案是可行的。 展开更多

关键词 空穴 载流子(半导体) 水闸 船闸 船闸廊道 振动问题

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PIN管的微波特性及其应用 第一讲 PIN管的微波特性 被引量：3

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作者 莫家铭 《现代雷达》 1985年第1期96-118,共23页

PIN管作为一种新型器件,自五十年代问世以来,在微波领域得到了广泛的应用。在微波波段,它可用来作相、幅控制器件(如开关、限幅器、移相器及可变衰减器等)。它是雷达(特别是相控阵雷达)和微波测量设备的重要元件之一。为此,本刊自本期... PIN管作为一种新型器件,自五十年代问世以来,在微波领域得到了广泛的应用。在微波波段,它可用来作相、幅控制器件(如开关、限幅器、移相器及可变衰减器等)。它是雷达(特别是相控阵雷达)和微波测量设备的重要元件之一。为此,本刊自本期起将分四讲登载“PIN管的微波特性及其应用”讲座。第一讲主要介绍PIN管的微波特性,后三讲则着重介绍PIN管在各种器件内的应用及其高功率性能。本讲座对基本原理仅作简要叙述,而在应用部分,除文字叙述外,还给出典型性能曲线,供设计者参考。 展开更多

关键词 PIN 少数载流子 晶体 载流子(半导体) 外层电子 载流子密度 载流子浓度 微波特性

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液氦表面的电子 被引量：1

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作者 Richard Williams 《物理学进展》 1982年第1期1-17,共17页

液氦外表面上的电子层构成一个近理想二维电子系统。通常,固体或液体外面的电子要受到静电镜象力的吸引作用。对于大多数绝缘体和半导体来说,低能电子可以进入该物质的导带而进入物质内部。包括液态的氦、氢和氖在内的少数物质具有负电... 液氦外表面上的电子层构成一个近理想二维电子系统。通常,固体或液体外面的电子要受到静电镜象力的吸引作用。对于大多数绝缘体和半导体来说,低能电子可以进入该物质的导带而进入物质内部。包括液态的氦、氢和氖在内的少数物质具有负电子亲和力,而存在一个阻止电子进入物质内部的势垒。对于液氦,这个势垒为1.0eV。长程吸引电象势和短程排斥势垒结合在一起形成一个势阱。其极小值在表面平面外约76(?)距离处。这就导致了束缚电子态。电子可以平行表面自由运动,但垂直表面的运动则受到势阱的限制。表面电子的这些性质已在理论上和实验上得到广泛的研究。研究氦表面态电子性质的典型实验系统是在RCA实验室发展起来的。此束缚态的电象势和氢原子中电子的库仑吸引势在数学上是类似的,因此表面态电子具有和氢原子相似的基态和一系列激发态。其主要区别是介电体电象力比直接库仑吸引作用要弱得多,所以氢原子的束缚能为13.6eV,而表面态仅有0.65meV。表面态的类氢谱线已由射频辐射的测量从实验上证实。已被研究过的性质有:平行表面运动的电子迁移率,由于电容器的电子静电力引起的液面的变形,由于电子逸出表面引起的表面电子寿命,由于表面电子不是连续带电层而是不连续的点电荷所引起的效应。在温度充分低时。 展开更多

关键词 自由电子 类氢 电子迁移率 载流子(半导体) 电导率 液态氦 液化气体 液氦

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用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度

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作者 余秉才 吴振辉 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS 1981年第1期-,共8页

引言目前常用MOS 器件的C—V 特性测量Si—SiO2界面特性,但是,无论用准静态C—V法或高频C—V 法,都难以测量由陷阱产生少数载流子的特性.为了测量陷阱的少数载流子产生率,曾发展了一些方法,但是,这些实验方法数据处理烦琐,不宜在生产中... 引言目前常用MOS 器件的C—V 特性测量Si—SiO2界面特性,但是,无论用准静态C—V法或高频C—V 法,都难以测量由陷阱产生少数载流子的特性.为了测量陷阱的少数载流子产生率,曾发展了一些方法,但是,这些实验方法数据处理烦琐,不宜在生产中应用.在1977年以后,由J.G.Simmons 等发展了MOS 展开更多

关键词 器件 非平衡 扫描电压 SiO2 电荷数目 少数载流子 载流子(半导体) 反型电荷 静电计 耗尽层 准平衡 热力学平衡 栅压 准静态

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关于金属XPS的Gadzuk-unji线型

6

作者 刘古 何丕模 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS 1987年第1期-,共4页

本文用数值计算分析了金属X射线光电子谱的Gadzuk-Sunjic线型,将它同Doniach-Sunjic线型作了比较,指出了它的若干不合理之处。

关键词 峰位 空穴 载流子(半导体) XPS unji Gadzuk 光电子发射 外光电效应 金属 金属材料

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电子注中的束缚电子对

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作者 叶伦炎 《应用科学学报》 CAS 1986年第2期132-138,共7页

本文对自由电子受激辐射器件与电子直线加速器中的电子注与电磁场的相互作用进行了量子力学分析,认为电子注的电子结构应由束缚电子对组成.电子对的自旋为零,具有Bose子性质.

关键词 电子注 器件 电磁场 电子直线加速器 电磁学 束缚电子对 载流子(半导体) 自由电子

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同步旋进电磁场在纵向均匀磁场自由电子激光中的作用和性质

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作者 程干箴 《应用科学学报》 CAS 1986年第2期105-110,共6页

本文为“纵向均匀磁场自由电子激光运行原理”能够在实际中有效地获得实现,提出同步螺旋准静电磁场和同步螺旋谐振腔电磁场作为纵向均匀磁场自由电子激光的两种能量补偿形式,提出同步螺旋静电场作为电子束起旋和解旋的形式,简明地论述... 本文为“纵向均匀磁场自由电子激光运行原理”能够在实际中有效地获得实现,提出同步螺旋准静电磁场和同步螺旋谐振腔电磁场作为纵向均匀磁场自由电子激光的两种能量补偿形式,提出同步螺旋静电场作为电子束起旋和解旋的形式,简明地论述了它们的作用、性质及其现实性. 展开更多

关键词 自由电子 载流子(半导体) 激光 电磁场 电磁学

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光学材料 光电功能材料

9

《中国光学与应用光学》 2007年第5期92-94,共3页

关键词 光学材料 空穴 量子点 GaAs INAS 纳米棒 CDSE 载流子(半导体) 量子阱 光电功能材料

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晶体三極管的物理基础

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作者 G.布蓝肯布尔格 张謹 《电信科学》 1956年第1期15-22,共8页

前言晶体三極管的主要成分是一种半導体的小塊晶体,也就是这样一种物質,它的導电能力顯然要比金屬來得差些,而比绝缘体又來得好些。所有这些物質都是由包含若干电子的原子組成的。如果我們要想判断,这一类叫做晶体的原子的一定組合倒底... 前言晶体三極管的主要成分是一种半導体的小塊晶体,也就是这样一种物質,它的導电能力顯然要比金屬來得差些,而比绝缘体又來得好些。所有这些物質都是由包含若干电子的原子組成的。如果我們要想判断,这一类叫做晶体的原子的一定組合倒底具有金屬特性、半導体特性或绝缘体特性,我們必須根据其中电子的能态,才可以作出結論。因此为了要了解晶体三極管的王作狀态,就必須通曉关於电子能态的智识,特別是对晶体三極管作用起决定性影响的那一部分智識。因而我們首先打算討論一下半导体物理的基本概念,然后根据所謂阻擋層的作用來解釋晶体三極管内的一般現象。 展开更多

关键词 载流子 电压 通流 阻流 受主 施主 区域内 原子数 外来原子 电子电荷 晶体 负电荷 阴电荷 空穴 载流子(半导体) 费密

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空间分辨率改善了的光敏列阵

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作者 Theodorei Kemins. +1 位作者 Godfrey T. Fong 柳圭如 《红外技术》 1979年第3期1-11,共11页

纵然人们使光学系统的各光组最优化,散射光亦被减少,成象用的光敏列阵所能获得的空间分辨率还会受到光生载流子在均匀掺杂半导体中扩散的限制。一种旨在改善极限空间分辨率的技术已经研究成熟;此项技术在于加入一个准表面电场,这个电场... 纵然人们使光学系统的各光组最优化,散射光亦被减少,成象用的光敏列阵所能获得的空间分辨率还会受到光生载流子在均匀掺杂半导体中扩散的限制。一种旨在改善极限空间分辨率的技术已经研究成熟;此项技术在于加入一个准表面电场,这个电场使光生载流子要么加速趋向表面,要么加速离开表面,从而防止了载流子向远处的光敏元件扩散。在光敏列阵结构中掺入浓度梯度适当的杂质便获得了准表面电场。在已经制成的一种结构中,准表面场是由加在一片轻掺杂衬底上的一个重掺杂埋入层和一个轻掺杂外延层来产生的,而且它们的导电类型都相同。这种结构与在同一单片衬底上加入一些别的半导体器件的结构类似。该项技术已在一种硅集成电路里的光二极管列阵中应用。但其原理可以直接应用于其他类型的光敏列阵和半导体材料,例如电荷耦合器件(CCD)。 展开更多

关键词 表面电场 归一化 光生载流子 光电流 光敏面 载流子产生 串光 少数载流子 载流子(半导体) 空间分辨率 空间分辨力

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