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硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究
1
作者
王金良
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期1-4,共4页
过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注 ,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性 .因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业 .对硅衬底上蒸发的Cr、F...
过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注 ,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性 .因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业 .对硅衬底上蒸发的Cr、Fe、Mn薄膜进行热处理 ,通过固相反应法 (SPR)制备过渡金属硅化物薄膜 ,即经过对过渡金属硅化物 (薄膜 ) Si系统进行各种温度、不同时间的热处理 ,制备出各种过渡金属硅化物薄膜 .对于制成的各种硅化物薄膜 ,用X射线衍射法 (XRD)和软X射线发射分光光谱法 (SXES)对它们的组成成分进行了分析和确认 .并且 ,由这两种分析方法表明
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关键词
固相反应
硅化物
薄膜生长
x
射线
衍射
软x射线发射光谱
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职称材料
题名
硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究
1
作者
王金良
机构
北京航空航天大学理学院
出处
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期1-4,共4页
文摘
过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注 ,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性 .因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业 .对硅衬底上蒸发的Cr、Fe、Mn薄膜进行热处理 ,通过固相反应法 (SPR)制备过渡金属硅化物薄膜 ,即经过对过渡金属硅化物 (薄膜 ) Si系统进行各种温度、不同时间的热处理 ,制备出各种过渡金属硅化物薄膜 .对于制成的各种硅化物薄膜 ,用X射线衍射法 (XRD)和软X射线发射分光光谱法 (SXES)对它们的组成成分进行了分析和确认 .并且 ,由这两种分析方法表明
关键词
固相反应
硅化物
薄膜生长
x
射线
衍射
软x射线发射光谱
Keywords
Applications
Emission spectroscopy
Epita
x
ial growth
Reliability
Silicon
Silicones
Transition metals
x
ray diffraction
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.5 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
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1
硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究
王金良
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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