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基于逻辑的软件体系结构共享注入点检测方法 被引量:2
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作者 叶鹏 倪友聪 杜欣 《计算机科学与探索》 CSCD 2014年第2期234-248,共15页
已有的方面交互分析方法大多未考虑共享注入点的检测,从而影响了它们的实际应用。针对这一问题,基于面向方面软件体系结构描述语言AC2-ADL,提出了一种基于逻辑的软件体系结构层共享注入点检测方法。首先基于一阶逻辑,给出了软件体系结... 已有的方面交互分析方法大多未考虑共享注入点的检测,从而影响了它们的实际应用。针对这一问题,基于面向方面软件体系结构描述语言AC2-ADL,提出了一种基于逻辑的软件体系结构层共享注入点检测方法。首先基于一阶逻辑,给出了软件体系结构层注入点和切点指示器(pointcut designator,PCD)的形式化描述方法。在此基础上,应用一阶逻辑公式的合一思想,提出了软件体系结构层共享注入点的相关定义及定理,并进一步设计出软件体系结构层共享注入点的检测算法。该研究成果可为在其他面向方面软件体系结构描述语言定义的体系结构中检测共享注入点提供借鉴和参考。 展开更多
关键词 共享注入 方面交互 面向方面软件体系结构描述语言 面向方面软件体系结构
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基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
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作者 廖明月 何敏 +2 位作者 陈平 张巧明 雷衍连 《发光学报》 北大核心 2025年第7期1262-1270,共9页
量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空... 量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空穴注入层,绿色CdSe/ZnS量子点作为发光层,结合不同空穴传输层(Hole transport layer,简写为HTL),如PVK和Poly-TPD,通过溶液加工工艺制备了绿色QLED器件,并对比分析了交流驱动与直流驱动下器件的光电性能。研究发现,CuSCN与PVK之间的能级势垒导致界面电荷束缚,降低了器件性能;而引入poly-TPD后,由于其更高的空穴迁移率和更浅的HOMO能级,有效减少了界面电荷束缚,显著提高了器件的发光亮度和电流效率,最大发光亮度和最大电流效率分别为132 075 cd/m^(2)和15.6 cd/A。本研究揭示了CuSCN/HTL界面电荷束缚对QLED性能的影响机制,为无机CuSCN在高效溶液加工QLED中的应用提供了理论支持和实践指导。 展开更多
关键词 硫氰酸亚铜 量子发光二极管 空穴注入 束缚电荷 交流驱动
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壳层生长速率调控实现高效率蓝光量子点
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作者 沈昭泽 黄菲 +4 位作者 李家伟 余彬彬 王俊峰 宁甲甲 田建军 《发光学报》 北大核心 2025年第7期1151-1159,共9页
量子点(QDs)具有高荧光量子产率(PLQY)、高色纯度和可溶液加工等优点,广泛应用于发光显示领域,但是实现高效率稳定蓝光QDs及其器件仍面临巨大挑战。为此,本文以蓝光CdZnS/ZnS核壳结构QDs为研究对象,以辛硫醇(OT)作为壳层生长的S前驱体,... 量子点(QDs)具有高荧光量子产率(PLQY)、高色纯度和可溶液加工等优点,广泛应用于发光显示领域,但是实现高效率稳定蓝光QDs及其器件仍面临巨大挑战。为此,本文以蓝光CdZnS/ZnS核壳结构QDs为研究对象,以辛硫醇(OT)作为壳层生长的S前驱体,通过控制OT的注入速率来调控壳层生长速率,实现壳层的可控外延生长。通过透射电子显微镜、瞬态/稳态荧光光谱等手段,系统研究了壳层生长速率对CdZnS/ZnS QDs的壳层质量及发光性能的影响。结果表明,适度降低生长速率可以有效促进壳层的均匀生长,实现98%的高PLQY和22 nm的窄半峰宽(FWHM)。然而,过慢的生长速率则会导致壳层各向异性生长,且伴随柯肯达尔效应,产生大量晶格缺陷,显著降低发光性能。本研究深化了对生长速率影响QDs壳层生长质量的认识。 展开更多
关键词 CdZnS/ZnS量子 前驱体注入速率 生长动力学 发光性能
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面向方面的体系结构描述语言AC2-ADL 被引量:3
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作者 文静 应时 +1 位作者 张琳琳 倪友聪 《计算机科学》 CSCD 北大核心 2009年第8期126-132,共7页
体系结构描述语言(ADL)是基于体系结构的软件开发的基础,传统的ADL由于缺乏对混杂与分散在软件体系结构多个单元中的各种设计决策的描述能力,导致软件体系结构设计方案难以理解、难以演化和难以重用。通过设计面向方面的软件体系结构描... 体系结构描述语言(ADL)是基于体系结构的软件开发的基础,传统的ADL由于缺乏对混杂与分散在软件体系结构多个单元中的各种设计决策的描述能力,导致软件体系结构设计方案难以理解、难以演化和难以重用。通过设计面向方面的软件体系结构描述语言AC2-ADL,使用方面组件明确地描述系统的横切关注点;并引入方面连接件以及抽象出软件体系结构语境中的注入点,呈现结构之间复杂的交互,以解决不同关注点的分散和交织等问题,试图为设计和描述面向方面的软件系统的软件体系结构提供一种有效的解决方案。研究结合电子商务领域的网上拍卖系统,讨论了该语言的主要应用过程,具有一定的参考作用。 展开更多
关键词 面向方面的软件体系结构 软件体系结构描述语言 方面组件 方面连接件 软件体系结构层注入点
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量子点发光二极管功能层厚度确定方法 被引量:2
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作者 陈雯柏 叶继兴 +1 位作者 马航 李邓化 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期8-14,共7页
为改善量子点发光二极管器件载流子注入平衡,提出一种量子点发光二极管各功能层厚度的确定方法.首先选定量子点发光层厚度,基于隧穿模型进行仿真分析确定电子传输层厚度;然后采用空间电荷限制电流模型进行仿真分析确定空穴传输层厚度.采... 为改善量子点发光二极管器件载流子注入平衡,提出一种量子点发光二极管各功能层厚度的确定方法.首先选定量子点发光层厚度,基于隧穿模型进行仿真分析确定电子传输层厚度;然后采用空间电荷限制电流模型进行仿真分析确定空穴传输层厚度.采用CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层、Alq_3作为电子传输层,按照该方法仿真分析得到各功能层厚度进行旋涂-蒸镀法实物器件制备.对比实验结果表明:当poly-TPD、QDs及Alq_3厚度分别为45nm、25nm及35nm时,获得了较高的发光效率及色纯度,器件性能最好.该方法确定的各功能层厚度有助于减少载流子在发光界面积累,获得载流子的注入平衡,从而改善QLEDs发光性能. 展开更多
关键词 量子发光二极管 载流子注入平衡 空穴传输 发光 电子传输 隧穿模型 空间电荷限制电流模型
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基于共价有机聚合物空穴注入层的钙钛矿发光二极管 被引量:4
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作者 王益飞 相恒阳 +7 位作者 周怡辉 李雪丽 王润 徐勃 刘君 李伟金 向中华 曾海波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期1574-1582,共9页
卤化物钙钛矿(ABX)量子点及其发光器件具有色纯度高、外量子效率高以及在可见光范围内可调等特点,近年来在照明、显示等领域中展现出巨大潜力。然而,钙钛矿量子点发光二极管(PeQLEDs)的稳定性正成为制约其商业应用的最大障碍,除了钙钛... 卤化物钙钛矿(ABX)量子点及其发光器件具有色纯度高、外量子效率高以及在可见光范围内可调等特点,近年来在照明、显示等领域中展现出巨大潜力。然而,钙钛矿量子点发光二极管(PeQLEDs)的稳定性正成为制约其商业应用的最大障碍,除了钙钛矿发光层本身的稳定性问题之外,传输层的水氧稳定性问题也不可忽略。为了解决这一发展过程中的难题,我们提出了基于氮唑类单体构筑共价有机聚合物材料(COP-N)替代传统的PEDOT∶PSS作为空穴注入层材料的新型PeQLEDs。我们发现COP-N具有本征的水氧稳定性,且与PVK之间的空穴注入势垒更小。这些特性使得基于COP-N的PeQLED在取得比PEDOT∶PSS更好发光效率的同时实现了近2倍的稳定性提升。我们认为,这种共价有机聚合物有望成为新型的空穴注入材料,实现高效稳定的钙钛矿电致发光,促进钙钛矿发光器件的发展。 展开更多
关键词 共价有机聚合物 空穴注入 钙钛矿量子 发光二极管
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LiCl掺杂PEDOT∶PSS提高蓝光量子点发光二极管的性能
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作者 王艳林 曹松 +2 位作者 余春燕 周利通 翟光美 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期771-780,共10页
基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率... 基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率、透光性以及所制备QLEDs器件性能的影响规律。实验结果表明,Li Cl的掺杂浓度(质量分数)为2%时蓝光QLED器件性能的提升效果最佳,这主要归因于Li Cl掺杂后的PEDOT∶PSS薄膜导电率和透光性的增强以及器件中空穴注入效率的提高。相较于未掺杂的PEDOT∶PSS基QLED器件,基于Li Cl掺杂的蓝光QLED器件的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率分别从5 083 cd·m^(-2)、0.91 cd·A^(-1)、0.59 lm·W^(-1)和2.31%提升到7 451 cd·m^(-2)、1.38 cd·A^(-1)、0.89 lm·W^(-1)和3.51%。结果表明,采用Li Cl掺杂PEDOT∶PSS空穴注入层是提高蓝光QLED性能的一种有效策略。 展开更多
关键词 蓝光量子发光二极管 PEDOT∶PSS LiCl掺杂 空穴注入 空穴注入
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单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展
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作者 刘俊朋 杜希文 +1 位作者 孙景 鲁颖炜 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期225-226,229,共3页
单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法,包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等;并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型,包括量子限制效应模... 单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法,包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等;并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型,包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等;另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 半导体量子 光致发光性能 元素 研究进展 射频磁控溅射技术 化学气相沉积法 离子注入技术 溶胶-凝胶法 量子限制效应 光电集成 制备方法 机理模型 效应模型 激子效应 复合发光 发光中心 发展前景 界面
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