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Complexation and Fluorescence Enhancement of Bay-site Carboxyl Modified Perylene Dimide with Calcium Ion 被引量:2
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作者 GU Dandan ZHAO Haoru +4 位作者 JIANG Xiaoze QI Haohan LIAO Zuogui CHEN Jia SUN Bin 《发光学报》 北大核心 2025年第3期474-485,共12页
Bay-site carboxyl functionalized perylene diimide derivative 1,7-COOH-PDI-C_(12)(PDI-COOH)was synthesized and distinct enhanced fluorescence was observed through combining with calcium ion(Ca^(2+))in THF/H_(2)O soluti... Bay-site carboxyl functionalized perylene diimide derivative 1,7-COOH-PDI-C_(12)(PDI-COOH)was synthesized and distinct enhanced fluorescence was observed through combining with calcium ion(Ca^(2+))in THF/H_(2)O solution.The assembly and fluorescence behavior of PDI-COOH/Ca^(2+)were studied in detail by changing hydration state with different concentrations.Based on the differences in assembly morphology and stoichiometric ratios of PDICOOH/Ca^(2+),we proposed the fluorescence emission mechanism of PDI-COOH/Ca^(2+)in THF/H_(2)O and THF,respectively.This work reveals a novel strategy of aggregated state fluorescence enhancement and reminds us of the important role of water in molecular fluorescence emission and assembly. 展开更多
关键词 carboxyl functionalized fluorescence behavior perylene diimide photoinduced electron transfer effect calcium ion
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高压ns光电导开关及其击穿特性研究 被引量:6
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作者 刘红 屈光辉 +4 位作者 王馨梅 田立强 刘峥 徐鸣 施卫 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期59-63,共5页
对GaAs光电导开关的电极进行刻蚀处理,可极大地分散电极处的电场强度,有效避免局部电场的过于集中,从而增大开关的耐压和通流能力,为有效应用这一技术,用有限元方法模拟分析了不同角度刻蚀方案对电极处电场分布的影响,研制了32 kV、峰... 对GaAs光电导开关的电极进行刻蚀处理,可极大地分散电极处的电场强度,有效避免局部电场的过于集中,从而增大开关的耐压和通流能力,为有效应用这一技术,用有限元方法模拟分析了不同角度刻蚀方案对电极处电场分布的影响,研制了32 kV、峰值电流3.7 kA的高压纳秒GaAs光电导开关。根据实验结果分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出开关击穿主要由开关体负阻效应在开关阳极产生的空间电荷累积所导致的开关阳极电场剧增引起的;同时,基于转移电子效应对开关击穿电压进行了理论计算,计算结果与实验相吻合。 展开更多
关键词 砷化镓 光电导开关 击穿 脉冲功率 转移电子效应 陷阱填充电导模型
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GaAs光导开关损伤机理研究 被引量:1
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作者 孙飞翔 何晓雄 +1 位作者 常润发 奚野 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第4期497-501,共5页
光导开关(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的损伤分为热击穿和电击穿,2种击穿的原因都由开关基底材料陷阱特性决定,因此对芯片击穿机理与开关制作工艺关系的研究非常重要。文章依据开关芯片的材料特性和半导体工艺知识,... 光导开关(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的损伤分为热击穿和电击穿,2种击穿的原因都由开关基底材料陷阱特性决定,因此对芯片击穿机理与开关制作工艺关系的研究非常重要。文章依据开关芯片的材料特性和半导体工艺知识,研究和分析了光导开关的击穿机理以及开关击穿可能存在的工艺问题。 展开更多
关键词 光导开关(PCSS) 热击穿 电击穿 电子俘获效应 转移电子效应
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