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跳跃电导的一种逾渗模型: 1; 作者辛厚文廖结楼《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期410-413,共4页; 本文用逾渗理论方法,研究了非晶材料中电子跳跃电导率σ与分数维d_f之间的关系,并指出在此电子输运过程中,费米能级附近的电子定域态分布有可能呈分形特征。; 关键词跳跃电导逾渗分数维非晶材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

Zintl相热电材料纳米晶(Mg_(0.97)X_(0.03))_3Sb_2的低温电输运性能: 2; 作者辛红星秦晓英 +3 位作者张宽心宋春军张建朱晓光《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期244-247,243,共5页; 采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶(Mg0.97X0.03)3Sb2(X=Mg、Cr、Cu、Ti),进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。(Mg0.97X0.03)3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻... 展开更多; 关键词机械合金化纳米晶替代电阻率变程跳跃电导; 在线阅读下载PDF 职称材料

(ITO)_x(SiO2)_(1-x)纳米颗粒薄膜的电输运性质: 3; 作者李志青梁志伟《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心 2017年第8期862-867,共6页; 为了理解三维纳米颗粒薄膜体系中电子的跳跃传导行为,采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Sn:In_2O_3(ITO)体积分数的三维(ITO)_x(SiO_2)_(1-x)纳米颗粒薄膜样品,对绝缘性样品在2~300,K温度范围内电导率与温度的关系进行了... 展开更多; 关键词纳米颗粒薄膜电输运性质跳跃电导热涨落诱导隧穿; 在线阅读下载PDF 职称材料

Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理被引量：4: 4; 作者沈效农王弘尚淑霞《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第4期337-340,共4页; Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄... 展开更多; 关键词铁电薄膜 MOCVD技术离子跳跃电导肖特基发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名跳跃电导的一种逾渗模型: 1; 作者辛厚文廖结楼; 机构中国科学技术大学近代化学系结构分析开放实验室; 出处《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期410-413,共4页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文用逾渗理论方法,研究了非晶材料中电子跳跃电导率σ与分数维d_f之间的关系,并指出在此电子输运过程中,费米能级附近的电子定域态分布有可能呈分形特征。; 关键词跳跃电导逾渗分数维非晶材料; Keywords hopping conducting, percolation, fractal dimenson; 分类号 O482.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Zintl相热电材料纳米晶(Mg_(0.97)X_(0.03))_3Sb_2的低温电输运性能: 2; 作者辛红星秦晓英张宽心宋春军张建朱晓光; 机构中科院固体物理研究所材料物理重点实验室; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期244-247,243,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(50701043); 文摘采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶(Mg0.97X0.03)3Sb2(X=Mg、Cr、Cu、Ti),进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。(Mg0.97X0.03)3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻从543Ωcm(Mg3Sb2)下降到137Ωcm((Mg0.97Cr0.03)3Sb2)、121Ωcm((Mg0.97Ti0.03)3Sb2)、109Ωcm((Mg0.97Cu0.03)3Sb2)。替代样品的电阻在低温时为变程跳跃电导。电阻率的降低是由于替代形成的晶格中化学环境变化,原子间结合强度增加所致。; 关键词机械合金化纳米晶替代电阻率变程跳跃电导; Keywords mechanical alloying nanocrystalline substitution electrical resistivity variable range hopping conduction; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(ITO)_x(SiO2)_(1-x)纳米颗粒薄膜的电输运性质: 3; 作者李志青梁志伟; 机构天津大学理学院天津市低维材料物理与制备技术重点实验室; 出处《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心 2017年第8期862-867,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(11174216) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120032110065)~~; 文摘为了理解三维纳米颗粒薄膜体系中电子的跳跃传导行为,采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Sn:In_2O_3(ITO)体积分数的三维(ITO)_x(SiO_2)_(1-x)纳米颗粒薄膜样品,对绝缘性样品在2~300,K温度范围内电导率与温度的关系进行了系统研究.在低温区(<120,K),电导率与温度遵从lnσ■T^(-1/2)的关系,体系的电子输运机制符合Abeles等提出的跳跃传导模型,电子的输运以颗粒间的跳跃为主,颗粒库仑充电能主导着颗粒间电子的输运过程.而在高温区,体系的电子输运机制符合热涨落诱导的隧穿导电模型,热涨落电势主导着颗粒间电子的输运过程.; 关键词纳米颗粒薄膜电输运性质跳跃电导热涨落诱导隧穿; Keywords nanogranular films electronic transport properties hopping conductance thermal fluctuation induced tunneling; 分类号 TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理被引量：4: 4; 作者沈效农王弘尚淑霞; 机构烟台大学; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第4期337-340,共4页; 文摘Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。; 关键词铁电薄膜 MOCVD技术离子跳跃电导肖特基发射; Keywords Ferroelectric Film, MOCVDTechnique, Space Charge Limited Current (SCLC),Ion Hopping Conduction,Schottkey Injection; 分类号 TN304.9 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	跳跃电导的一种逾渗模型	辛厚文廖结楼	《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Zintl相热电材料纳米晶(Mg_(0.97)X_(0.03))_3Sb_2的低温电输运性能	辛红星秦晓英张宽心宋春军张建朱晓光	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	(ITO)_x(SiO2)_(1-x)纳米颗粒薄膜的电输运性质	李志青梁志伟	《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理	沈效农王弘尚淑霞	《功能材料》 EI CAS CSCD	1995	4	在线阅读下载PDF 职称材料