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一种大带宽、高增益的高速跨阻放大器芯片设计
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作者 班郁 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第1期35-39,共5页
提出一种可用于高速光接收系统的宽带跨阻放大器(TIA)芯片架构和电路设计。跨阻放大器芯片作为光电探测器后端电路,可对探测器输出的电流信号进行低噪声放大,并使其满足速率和系统灵敏度需求。高速跨阻放大器设计架构由跨阻放大器核心... 提出一种可用于高速光接收系统的宽带跨阻放大器(TIA)芯片架构和电路设计。跨阻放大器芯片作为光电探测器后端电路,可对探测器输出的电流信号进行低噪声放大,并使其满足速率和系统灵敏度需求。高速跨阻放大器设计架构由跨阻放大器核心电路、单端到差分转换电路以及限幅放大器电路3部分组成。在限幅放大器设计中,利用密勒效应引入可调电容平衡高频电路输出电压幅度、带宽和电路稳定性,实现信号宽带接收、限幅放大以及外部驱动等功能,提升高速传输信号的质量。通过在不同工艺角下对芯片进行小信号幅频特性分析、噪声仿真及大信号时域分析,进一步验证了跨阻放大器芯片的带宽、噪声和灵敏度以及传输特性等芯片各项性能指标。 展开更多
关键词 宽带放大器(tia) 高速光收发 密勒效应
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红外探测器中一种电容式反馈跨阻放大器的设计 被引量:1
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作者 白利慧 刘利峰 王成勇 《电子器件》 CAS 2024年第1期62-68,共7页
放大器电路对提高红外成像技术中红外探测器的读出精度,是至关重要的。针对电容式反馈跨阻放大器的设计进行了研究,提出了一种在反馈回路中用晶体管代替反馈电阻的新的拓扑结构。对于所提出的拓扑结构,提出并分析了与系统稳定性相关的... 放大器电路对提高红外成像技术中红外探测器的读出精度,是至关重要的。针对电容式反馈跨阻放大器的设计进行了研究,提出了一种在反馈回路中用晶体管代替反馈电阻的新的拓扑结构。对于所提出的拓扑结构,提出并分析了与系统稳定性相关的诸如截止频率和衰减比等的总体频率响应和设计参数,从而获得高直流输入动态范围。此外,还讨论了在直流反馈回路中加入额外的电容以确保系统的稳定性。分析、仿真和实验结果的良好一致性验证了所提出的CF-TIA方案的有效性,而且所提出的电路设计在正常或低直流输入下的整体噪声性能方面相比于传统的CF-TIA方案更具优势。尽管本文中的电路采用分立元件实现,但提出的频率响应模型和稳定性分析适用于所有CF-TIA应用和CMOS芯片设计。 展开更多
关键词 放大器 电容式反馈 晶体管 直流动态范围 频率响应 稳定性 噪声
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一种采用单运算跨阻放大器实现的模拟乘法器 被引量:1
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作者 李玉琴 余金永 葛动元 《电子器件》 CAS 2024年第2期358-363,共6页
针对广泛应用于核电子技术领域的模拟乘法器进行了研究,提出了一种采用单运算跨阻放大器实现的模拟乘法器。首先基于运算跨阻放大器的基本结构和输入输出关系,提出了基于单OTRA的基本乘法器电路。然后,为了消除OTRA的有限跨阻增益对乘... 针对广泛应用于核电子技术领域的模拟乘法器进行了研究,提出了一种采用单运算跨阻放大器实现的模拟乘法器。首先基于运算跨阻放大器的基本结构和输入输出关系,提出了基于单OTRA的基本乘法器电路。然后,为了消除OTRA的有限跨阻增益对乘法器的影响,提出了在直流偏置下叠加小信号的实现方案和基于MOS的乘法器结构,以实现对高频应用的补偿。还讨论了其作为平方器和振幅调制器的应用。最后通过PSPICE仿真验证了提出的理论设计,表明仿真结果与理论设计吻合得很好。 展开更多
关键词 电子功能部件 运算放大器 模拟乘法器 小信号分析 传输特性 频率响应 应用实例
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155Mb/s光通信用CMOS自动增益控制跨阻前置放大器 被引量:4
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作者 韩鹏 王志功 +2 位作者 孙玲 李伟 高建军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2189-2192,共4页
采用华润上华的0.6μm标准CMOS工艺设计了一种应用于光纤通信系统STM-1速率级别的自动增益控制(AGC)跨阻前置放大器.为了扩展输入动态范围,采用自动增益控制技术监控输入电流中与电流幅度成正比的直流分量的变化.当输入信号过大时,降低... 采用华润上华的0.6μm标准CMOS工艺设计了一种应用于光纤通信系统STM-1速率级别的自动增益控制(AGC)跨阻前置放大器.为了扩展输入动态范围,采用自动增益控制技术监控输入电流中与电流幅度成正比的直流分量的变化.当输入信号过大时,降低电路的跨阻增益,从而避免输出波形出现严重失真.通过分析电路中几个主要元件对等效输入噪声电流的贡献,给出了噪声性能优化的方法.测试结果表明,在5V电源电压下,小信号时电路差分跨阻增益达到91.7dBΩ(38.5kΩ),-3dB带宽125MHz,最大输入光功率0dBm,平均等效输入噪声电流谱密度为4.8pA/Hz^(1/2).功耗为180mW.芯片面积为0.7×0.4mm^2. 展开更多
关键词 自动增益控制 前置放大器 结构 噪声性能优化
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一种高增益、大带宽跨阻放大器的设计 被引量:4
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作者 杨赟秀 袁菲 +4 位作者 明鑫 邓世杰 路小龙 景立 呙长冬 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第6期1451-1455,共5页
作为激光近炸引信中探测与目标识别核心元件的光电探测器,其性能取决于光电二极管和相应的放大电路。针对引信、制导应用对光电探测器的要求,提出一种新型高增益、大带宽跨阻放大器设计。该跨阻放大器由两级放大电路构成,第1级由两个对... 作为激光近炸引信中探测与目标识别核心元件的光电探测器,其性能取决于光电二极管和相应的放大电路。针对引信、制导应用对光电探测器的要求,提出一种新型高增益、大带宽跨阻放大器设计。该跨阻放大器由两级放大电路构成,第1级由两个对称的RGC(Regulated Cascode)结构组成,消除光电二极管漏电流对直流工作点影响,隔离光电二极管寄生电容提升工作带宽;第2级放大电路由3个级联的反相放大器构成,是跨阻放大器的主要增益级;最后以射级跟随器输出,为后续系统提供足够的电压摆幅。该电路基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺设计,仿真结果表明:跨阻增益为110.2 dBΩ,带宽为46.7 MHz,40 MHz处的等效输入噪声电流低至1.09 pA/(Hz)^(1/2),带宽内等效输出噪声电压为5.37 mV。测试结果表明,跨阻放大器增益约为109.3 d BΩ,输出电压信号上升时间约为7.8 ns,等效输出噪声电压大小为6.03 mV,功耗约为10 mW,对应芯片面积为1 560μm×810μm。 展开更多
关键词 放大器 高增益 大带宽 RGC 反相放大器
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跨阻放大器S参数与跨阻增益间的关系 被引量:6
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作者 孙玲 王志功 高建军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期85-90,共6页
在等效电路模型基础上,推导了单端输入单端输出和单端输入差分输出情况下跨阻放大器跨阻增益计算公式,探讨了光探测器输出阻抗对跨阻增益的影响,分析了电路S参数与跨阻增益的关系。并且利用ADS仿真工具对理论推导进行了仿真验证,最后通... 在等效电路模型基础上,推导了单端输入单端输出和单端输入差分输出情况下跨阻放大器跨阻增益计算公式,探讨了光探测器输出阻抗对跨阻增益的影响,分析了电路S参数与跨阻增益的关系。并且利用ADS仿真工具对理论推导进行了仿真验证,最后通过实验测量单端输入单端输出跨阻放大器的S参数及数据分析,对理论进行了验证。 展开更多
关键词 光接收机 前置放大器 增益 S参数测量
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带温度补偿和AGC功能的10Gb/s跨阻放大器设计 被引量:2
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作者 陈伟 黄启俊 +3 位作者 何进 王豪 常胜 童志强 《电子技术应用》 北大核心 2017年第4期51-54,共4页
基于0.18μm BiCMOS工艺设计了一个工作速率为10Gb/s的跨阻放大器。为了解决温度变化对放大器性能的影响,引入了与温度变化有关联的电流(温度电流),从而锁存成与温度有关联的电压给跨阻放大器供电,使得放大器增益在频带内平坦和带宽变... 基于0.18μm BiCMOS工艺设计了一个工作速率为10Gb/s的跨阻放大器。为了解决温度变化对放大器性能的影响,引入了与温度变化有关联的电流(温度电流),从而锁存成与温度有关联的电压给跨阻放大器供电,使得放大器增益在频带内平坦和带宽变化减小。为了扩大输入信号的动态范围,引入了可变MOS电阻来实现AGC功能,使得放大器可以工作在较大的输入功率。为了提高增益,引入了两级差分放大电路,同时采用电容简并的方法来进一步扩展带宽。版图后仿真结果表明,跨阻放大器电路差分跨阻增益为9 kΩ,-3dB带宽为8.7GHz,等效输入电流噪声为17 pA/√Hz,灵敏度为-20 dBm,输入饱和光电流为2 mA,功耗为66 mW,电源噪声抑制比为-16 dB,放大器核心电路版图面积为94 mm×63 mm,整体版图面积为937 mm×828 mm,满足商业应用的要求。 展开更多
关键词 温度补偿 温度电流 AGC 放大器 宽动态输入电流 电容简并
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跨阻放大器的带宽扩展技术 被引量:1
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作者 韩良 张兴宝 +1 位作者 王新胜 赵富菊 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第12期41-44,共4页
提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)~(1/2),该... 提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)~(1/2),该电路的功耗仅为15.4mW. 展开更多
关键词 CMOS RGC 放大器 容性退化
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基于InGaAs/InP SHBT技术的10Gb/s单片跨阻放大器研究 被引量:1
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作者 蔡道民 李献杰 +3 位作者 赵永林 曾庆明 刘跳 郝跃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期701-703,共3页
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在Ic=10mA,Vce=2V时,fT和fmax分别为60、75GHz,电流密度为100kA/cm2,... 介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在Ic=10mA,Vce=2V时,fT和fmax分别为60、75GHz,电流密度为100kA/cm2,击穿电压大于3V;跨阻放大器的跨阻增益为58dBΩ,灵敏度为-23dBm,3dB带宽为8.2GHz。该单片跨阻放大器可广泛应用于光纤通信。 展开更多
关键词 单异质结双极性晶体管 发射极-基极自对准 隔离基极压点 放大器
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光接收机中前置跨阻放大器的设计 被引量:1
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作者 窦建华 刘贺挺 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-28,65,共4页
利用0.6μm CMOS工艺设计了一种用于光纤通信的跨阻前置放大器。电路采用推-挽反相器级联形式的结构,本身能够自偏压,不需设计偏压电路,减少了芯片面积,同时它的输出可以端到端地满摆幅工作,而且只要放大部分的2个MOS管都处在饱和区,就... 利用0.6μm CMOS工艺设计了一种用于光纤通信的跨阻前置放大器。电路采用推-挽反相器级联形式的结构,本身能够自偏压,不需设计偏压电路,减少了芯片面积,同时它的输出可以端到端地满摆幅工作,而且只要放大部分的2个MOS管都处在饱和区,就能得到最大的电压增益;利用SmartSpice软件对电路进行仿真,结果表明在+5 V电源电压作用下,该放大器的增益为78.9 dbΩ,3 db带宽为540 MHz。 展开更多
关键词 光接收机 前置放大器 放大器 CMOS工艺
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2.5Gb/s CMOS低噪声有源电感反馈跨阻放大器 被引量:1
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作者 韩良 刘晓宁 +1 位作者 白涛 李华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期415-419,454,共6页
分析各种结构前置放大器性能的基础上,给出了一个应用于2.5 Gbit/s光纤通信系统的,基于CMOS工艺的共栅结构跨阻放大器。为了减小输入等效噪声电流和提高带宽,采用了有源反馈和有源电感代替传统结构中的电阻反馈。测试结果表明,该电路具... 分析各种结构前置放大器性能的基础上,给出了一个应用于2.5 Gbit/s光纤通信系统的,基于CMOS工艺的共栅结构跨阻放大器。为了减小输入等效噪声电流和提高带宽,采用了有源反馈和有源电感代替传统结构中的电阻反馈。测试结果表明,该电路具有61.8 dB的跨阻增益,2.01 GHz的带宽,输入等效噪声电流为9.5 pA/Hz~(1/2),核心电路功耗仅为3.02 mW。 展开更多
关键词 互补型金属氧化物半导体 放大器 有源电感 低噪声
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基于负阻抗电路的跨阻放大器的设计 被引量:3
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作者 李言胜 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期103-105,共3页
对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真.仿真结果表明,在具有相同的跨阻增益条件下,基于0.18μm CMOS工艺下shunt-feedback型跨阻放大器无负阻抗电路时,其-3 dB带宽约为3.1 GHz,而具有负阻抗电路时,其-3dB带... 对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真.仿真结果表明,在具有相同的跨阻增益条件下,基于0.18μm CMOS工艺下shunt-feedback型跨阻放大器无负阻抗电路时,其-3 dB带宽约为3.1 GHz,而具有负阻抗电路时,其-3dB带宽约为4.3GHz,两者相比带宽性能约提高了40%.该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积,在实践上具有一定的可行性. 展开更多
关键词 光互连 放大器 抗电路 带宽
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开关电容阵列中高带宽跨阻前置放大器设计
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作者 王科 王铮 +3 位作者 刘振安 魏微 陆卫国 Gary Varner 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1307-1309,1330,共4页
为了放大高能粒子物理实验中高精度定时信号,使其适用于开关电容阵列电路的采集范围与幅度,设计高带宽RGC型跨阻前置放大器。此放大器具有低输入阻抗,高带宽,高跨导的特点。采用TSMC 0.25μmCMOS工艺,2.5V单电源供电。仿真结果表明,该... 为了放大高能粒子物理实验中高精度定时信号,使其适用于开关电容阵列电路的采集范围与幅度,设计高带宽RGC型跨阻前置放大器。此放大器具有低输入阻抗,高带宽,高跨导的特点。采用TSMC 0.25μmCMOS工艺,2.5V单电源供电。仿真结果表明,该前置放大器跨阻增益为5K欧姆,一3dB带宽为953MHz,探测器输入电容在一定范围变化对带宽影响不大。 展开更多
关键词 调整型共源共栅 开关电容阵列 前置放大器 高带宽
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制造工艺低相关的AGC跨阻放大器
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作者 蒋湘 邹雪城 +2 位作者 杜明鲜 余国义 付先成 《光通信研究》 北大核心 2006年第2期65-67,共3页
文章提出了一种速率为622Mbit/s的带自动增益控制(AGC)和自动偏移补偿(AOC)的光通信用跨阻集成放大器电路。本设计采用了中芯国际0.25μm 1P3M的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺。HSPICE仿真结果表明,在各种偏差最大的工... 文章提出了一种速率为622Mbit/s的带自动增益控制(AGC)和自动偏移补偿(AOC)的光通信用跨阻集成放大器电路。本设计采用了中芯国际0.25μm 1P3M的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺。HSPICE仿真结果表明,在各种偏差最大的工艺条件下。跨阻放大器初始增益的浮动区间为-10.2%-9.7%,而AGC的初始偏置电压的浮动区间为-0.384%-0.307%。 展开更多
关键词 模拟电路 放大器 光通信 互补金属氧化物半导体
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一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现 被引量:9
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作者 唐立田 张海英 +2 位作者 黄清华 李潇 尹军舰 《电子器件》 CAS 2009年第3期566-569,共4页
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标... 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)~(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。 展开更多
关键词 放大器 RGC结构 等效输入噪声电流谱密度 0.18μm CMOS工艺
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应用于MEMS谐振器的跨阻放大器设计及实现 被引量:2
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作者 谢勇 来强涛 +3 位作者 陈华 郭江飞 郭桂良 阎跃鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期335-340,共6页
基于微机械系统(MEMS)圆盘谐振器工作时阻抗大、振荡频率高以及寄生电容大的特点,设计实现了一款用于驱动MEMS圆盘谐振器的宽带高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。该放大器引入低功耗宽带电流预放大和电流电压转换级输入技术,实现了... 基于微机械系统(MEMS)圆盘谐振器工作时阻抗大、振荡频率高以及寄生电容大的特点,设计实现了一款用于驱动MEMS圆盘谐振器的宽带高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。该放大器引入低功耗宽带电流预放大和电流电压转换级输入技术,实现了宽带低功耗下低噪声性能。并结合改进型Cherry-Hooper反相器电压放大的电路结构以获得高增益带宽积,采用4~16译码控制电流、电压偏置技术,提高调试通过率及成品率。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺流片后,测试结果表明,跨阻增益高达73 d BΩ,-3 d B带宽为163 MHz,功耗为21.6 m W,等效输入噪声电流谱密度为14 p A/Hz,芯片面积为1 538μm×680μm。 展开更多
关键词 微机械圆盘谐振器 放大器 电流预放大 Cherry-Hooper放大器 CMOS工艺
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DC~1.5GHz GaAs单片集成跨阻放大器
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作者 袁明文 王淑君 +1 位作者 王福兴 梁广军 《半导体情报》 1995年第1期21-23,共3页
介绍一种采用8个砷化镓FET和7个二极管的单片集成跨阻放大器,其结果良好,频率为DC~1.5GHz,增益Ga≥18dB,噪声系数Fn≤4.3dB(f=400MHz,Rs=R_L=50Ω)。
关键词 单片集成电路 砷化镓 放大器
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高速跨阻放大器设计综述 被引量:4
18
作者 赵萌 李雪 +1 位作者 韩波 高建军 《电子器件》 CAS 2009年第3期570-573,共4页
介绍了高速光纤系统中超宽带跨阻型前置放大器所采用的工艺以及最新研究进展。利用仿真技术对高速跨阻放大器设计中常采用的各种高性能技术包括峰化技术和匹配网络技术进行了详细的对比分析。最后总结了目前流行的基于CMOS工艺设计的高... 介绍了高速光纤系统中超宽带跨阻型前置放大器所采用的工艺以及最新研究进展。利用仿真技术对高速跨阻放大器设计中常采用的各种高性能技术包括峰化技术和匹配网络技术进行了详细的对比分析。最后总结了目前流行的基于CMOS工艺设计的高速跨阻放大器电路结构并展望了高速跨阻放大器的发展趋势。 展开更多
关键词 高速电路 放大器 仿真技术 光接收机 匹配技术
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一种跨阻放大器的设计 被引量:3
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作者 杨朋博 罗萍 +1 位作者 李世文 王荣 《电子器件》 CAS 北大核心 2016年第5期1073-1075,共3页
利用调节型共源共栅电路结构(RGC)可以使跨阻放大器得到较高的带宽,并且通过级联并联-并联负反馈电路可以使增益得到提高。采用0.5μm的标准互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,仿真。测试结果表明,该电路具有69.93 d B的跨阻增... 利用调节型共源共栅电路结构(RGC)可以使跨阻放大器得到较高的带宽,并且通过级联并联-并联负反馈电路可以使增益得到提高。采用0.5μm的标准互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,仿真。测试结果表明,该电路具有69.93 d B的跨阻增益,830 MHz的-3 dB带宽。在输入电流为1μA时,其输出电压的动态摆幅达到4.5 mV,在5 V电源电压下功耗仅为63.16 mW。 展开更多
关键词 放大器 高增益 高带宽 RGC CMOS
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基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计 被引量:2
20
作者 薛喆 何进 +4 位作者 陈婷 王豪 常胜 黄启俊 许仕龙 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期892-895,917,共5页
采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现... 采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性。电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声。仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBΩ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW。 展开更多
关键词 放大器 25 Gbit/s 伪差分输入 电容简并 SiGe双极CMOS(BiCMOS)
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