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支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究
1
作者
王勇
冯震
张志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期49-51,56,共4页
报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA。对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件。同时对器件进行了微...
报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA。对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件。同时对器件进行了微波小信号测试,推导出截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为18.5GHz和46GHz。
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关键词
ALGAN/GAN
高电子迁移率晶体管
跨导特性
直流
特性
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职称材料
题名
支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究
1
作者
王勇
冯震
张志国
机构
中电科集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期49-51,56,共4页
基金
国家973项目(51327030201
51327030402)
文摘
报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA。对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件。同时对器件进行了微波小信号测试,推导出截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为18.5GHz和46GHz。
关键词
ALGAN/GAN
高电子迁移率晶体管
跨导特性
直流
特性
Keywords
AlGaN/GaN
HEMT
transconductance characteristics
DC characteristics
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究
王勇
冯震
张志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
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