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大尺寸超高纯锗单晶的生长和性能研究
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作者 赵青松 牛晓东 +1 位作者 顾小英 狄聚青 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第1期34-39,共6页
高纯锗探测器具有分辨率高、探测效率高、稳定性好等优点,应用越来越广泛,但是其关键原材料超高纯锗单晶需要满足极高的纯度和晶体结构要求,制备难度很大。国内超高纯锗单晶制备技术仍不成熟,制备的晶体质量仍不够高。利用直拉法和自制... 高纯锗探测器具有分辨率高、探测效率高、稳定性好等优点,应用越来越广泛,但是其关键原材料超高纯锗单晶需要满足极高的纯度和晶体结构要求,制备难度很大。国内超高纯锗单晶制备技术仍不成熟,制备的晶体质量仍不够高。利用直拉法和自制设备,在氢气气氛下生长了大尺寸的超高纯锗单晶,通过低温霍尔测试、位错测试和深能级杂质测试,对晶体性能进行了分析表征,结果表明其净载流子浓度小于1×10^(10)cm^(-3),深能级杂质浓度小于4.5×10^(9)cm^(-3),位错密度小于5000 cm^(-2),位错线数量小于3条,符合探测器级超高纯锗单晶的要求,最终得到直径85 mm和长度60 mm的合格晶体。 展开更多
关键词 锗探测器 超高纯锗单晶 霍尔测试 净载流子浓度 位错密度 深能级杂质浓度
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超高纯银静态再结晶组织演变规律的研究 被引量:4
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作者 朱晓光 刘书芹 +3 位作者 万小勇 董亭义 王永辉 熊晓东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期97-100,共4页
采用超高纯银(纯度高于99.999%)铸锭,通过轧制变形,结合后续不同热处理工艺,研究了变形量、退火温度及时间对超高纯银回复及再结晶组织的影响.结果表明:超高纯银的再结晶温度非常低,在100℃时保温5 min后即发生再结晶,并且再结晶速... 采用超高纯银(纯度高于99.999%)铸锭,通过轧制变形,结合后续不同热处理工艺,研究了变形量、退火温度及时间对超高纯银回复及再结晶组织的影响.结果表明:超高纯银的再结晶温度非常低,在100℃时保温5 min后即发生再结晶,并且再结晶速度快,在200℃下保温5 min即完成再结晶.随轧制总变形量增加晶粒尺寸变小,均匀性提高,当变形量大于等于85%时,可以得到均匀、细化的再结晶组织;超高纯银的最佳再结晶温度应控制在150℃,时间为1~2 h之间. 展开更多
关键词 超高纯 变形量 退火温度 再结晶
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大气压电离质谱及其用于超高纯气体分析研究进展 被引量:6
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作者 张体强 胡树国 韩桥 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期775-781,共7页
超高纯气体在工业生产中有非常重要的地位,如半导体工业中电子气的质量直接影响半导体器件的性能,百万分之几的微量杂质气体便可导致集成电路中元件存储信息量的减少。越来越高的气体纯度要求对分析方法及仪器的灵敏度提出了很大的挑战... 超高纯气体在工业生产中有非常重要的地位,如半导体工业中电子气的质量直接影响半导体器件的性能,百万分之几的微量杂质气体便可导致集成电路中元件存储信息量的减少。越来越高的气体纯度要求对分析方法及仪器的灵敏度提出了很大的挑战。大气压电离质谱(APIMS)由于可以在大气压条件下对杂质进行电离,并伴随高效的电离方式,因此具有极高的灵敏度,成为超高纯气体杂质分析中极为有效的技术手段,特别适合检测10^-9mol/mol甚至10^-12mol/mol浓度量级的气体杂质。APIMS采用电晕放电及63Ni两种电离源,通常以电晕放电电离源为主,质量分析器常采用四极杆,同时为适应超高纯气体分析,配备了气体进样系统及可将标准气体稀释产生校正气体的稀释系统。APIMS对杂质检测的灵敏度与杂质的电离方式密切相关,电荷传递是杂质电离最主要的一种方式,适用于电离能相差较大的底气与杂质,常见的N2、Ar由于电离能较高,其中的大部分杂质均可依靠该方式测定;质子转移反应的应用通常与H2有关,常用于H2中杂质的测定,也可以通过添加H2的方法促进对Ar中N2杂质的检测;运用形成团簇离子的反应尽管较少,但亦有报道,通过监测团簇离子O2^+·H2O,可提高O2中杂质H2O的检测灵敏度。APIMS依据不同的电离反应,可以设计不同杂质的测定方式,实现对痕量、超痕量杂质的检测,检测灵敏度通常比电子轰击电离质谱(EI-MS)高104-106倍,因此目前依然是超高纯气体分析中不可替代的仪器方法,但在某些方面如对腐蚀性电子特气的分析,方法灵敏度有待提高。 展开更多
关键词 大气压电离质谱 电荷传递 质子转移反应 超高纯气体分析 研究进展
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大气压电离质谱在超高纯气体纯度分析中的应用 被引量:5
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作者 张体强 胡树国 韩桥 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期854-858,共5页
超高纯气体在工业领域有着重大的需求,必须有相应的高灵敏度杂质检测技术作为支撑。大气压电离质谱(APIMS)具有非常高的灵敏度,通常比电子轰击质谱(EIMS)高10^4~10^6倍,是分析超高纯气体纯度最有效的方法。该文介绍了APIMS的产... 超高纯气体在工业领域有着重大的需求,必须有相应的高灵敏度杂质检测技术作为支撑。大气压电离质谱(APIMS)具有非常高的灵敏度,通常比电子轰击质谱(EIMS)高10^4~10^6倍,是分析超高纯气体纯度最有效的方法。该文介绍了APIMS的产生、发展及电离原理,并综述了以往APIMS对超高纯气体纯度分析的工作,包括底气、杂质种类、杂质检出限及特殊杂质的检测方法。由于方法灵敏度对超高纯气体纯度分析至关重要,文中侧重总结了文献中报道的不同杂质的检出限。 展开更多
关键词 大气压电离质谱(APIMS) 超高纯气体 杂质 分析
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HEH[EHP]萃取色层分离-原子发射光谱测定超高纯氧化钬、氧化铒中痕量稀土杂质 被引量:1
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作者 李武帅 彭春霖 +3 位作者 袁甫 綦文娣 高明 李丽梅 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期57-60,共4页
本文研究了2-乙基己基膦酸单2-乙基己酯萃取色层分离-原子发射光谱测定超高纯Ho2O3、Er2O3中良量稀土杂质,可用于99.9999%Ho2O3、Er2O3的纯度分析。
关键词 萃取色层 超高纯 氧化钬 氧化铒 稀土杂质 测定
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辉光放电质谱法测定超高纯铜溅射靶材中痕量杂质元素及其相对灵敏度因子的求取 被引量:3
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作者 余琼 连危洁 +2 位作者 温毅博 马兰 李明利 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期1049-1055,共7页
通过选择合适的同位素及分辨率,提出了辉光放电质谱法(GDMS)测定超高纯铜溅射靶材中39种痕量杂质元素的分析方法。对辉光放电过程中的参数进行了优化,条件如下:放电气体流量为450 mL·min^(-1),放电电流为2.00 mA,预溅射时间为20 mi... 通过选择合适的同位素及分辨率,提出了辉光放电质谱法(GDMS)测定超高纯铜溅射靶材中39种痕量杂质元素的分析方法。对辉光放电过程中的参数进行了优化,条件如下:放电气体流量为450 mL·min^(-1),放电电流为2.00 mA,预溅射时间为20 min。由于高纯铜的GDMS标准样品极难获得,为提高痕量杂质元素的检测准确度,在现有的标准样品条件下,利用高纯铜标准样品只获得了与基体匹配的21种杂质元素的相对灵敏度因子(RSF),其余18种杂质元素的RSF只能按照仪器自带的标准RSF进行计算。参照美国材料与试验协会的标准ASTM F1593-08(2016)的TypeⅢ中的第2种方法计算33种杂质元素的检出限,而其他6种主要杂质元素因其含量高于仪器噪声水平而无法用此法得到检出限。用GDMS对超高纯铜溅射靶材样品进行了检测,主要杂质元素为硅、磷、硫、氯、铁、银,检出量为0.015~0.082μg·g^(-1),杂质总量小于1μg·g^(-1)。除锌、碲、金的检出限在10 ng·g^(-1)级外,其余元素的检出限能够达到ng·g^(-1)级,其中钍、铀的检出限甚至达到了0.1 ng·g^(-1)级,说明方法能够满足GB/T 26017-2010中的6N(99.9999%)超高纯铜溅射靶材的检测要求。 展开更多
关键词 辉光放电质谱法 超高纯 杂质元素 相对灵敏度因子
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地下浓缩海水苦卤中提取超高纯镁砂方法的研究 被引量:1
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作者 徐丽君 周仲怀 刘兴俊 《海洋与湖沼》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期109-113,共5页
本文报道了1986年10月至1989年9月,采用氨沉淀法从莱州湾沿岸地下浓缩海水制盐后的苦卤中提取超高纯镁砂(高温煅烧后的MgO)的方法研究,重点解决了Mg(OH)_2的沉降、过滤、降钙去硼及洗涤等问题。研制的超高纯镁砂纯度达到:MgO,99.95%;Ca... 本文报道了1986年10月至1989年9月,采用氨沉淀法从莱州湾沿岸地下浓缩海水制盐后的苦卤中提取超高纯镁砂(高温煅烧后的MgO)的方法研究,重点解决了Mg(OH)_2的沉降、过滤、降钙去硼及洗涤等问题。研制的超高纯镁砂纯度达到:MgO,99.95%;CaO,0.05%;B_2O_3未检出。 展开更多
关键词 地下浓缩海水 苦卤 超高纯镁砂 提取方法 氨沉淀法
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高纯钨酸铵溶液结晶制取超高纯APT的研究 被引量:1
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作者 万林生 习雪康 +1 位作者 严永海 章小兵 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期6-9,20,共5页
通过控制不同的APT(仲钨酸铵)结晶率、结晶温度以及钨酸铵溶液中WO3初始浓度等条件进行蒸发结晶实验,研究了P、Mo、S、Fe等杂质在高纯钨酸铵溶液蒸发结晶中的析出规律。实验结果表明:降低APT结晶率和提高钨酸铵溶液中WO3浓度均能不同程... 通过控制不同的APT(仲钨酸铵)结晶率、结晶温度以及钨酸铵溶液中WO3初始浓度等条件进行蒸发结晶实验,研究了P、Mo、S、Fe等杂质在高纯钨酸铵溶液蒸发结晶中的析出规律。实验结果表明:降低APT结晶率和提高钨酸铵溶液中WO3浓度均能不同程度地降低P、Mo、S、Fe等杂质在APT中的含量;提高结晶温度对于减少APT中S含量效果最好,且P、Mo、S、Fe含量的下降幅度S>P>Mo>Fe。 展开更多
关键词 超高纯APT 钨酸铵溶液 蒸发结晶 P MO S FE 杂质析出
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壳聚糖-超高纯单壁碳纳米管修饰电极检测Pb^2+ 被引量:8
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作者 利健文 黄象金 韦寿莲 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期813-818,共6页
基于壳聚糖(chitosan,CS)独特的吸附、螯合性能以及超高纯单壁碳纳米管(ultra-high purity single wall carbon nanotube,uhp-SWCNT)大的比表面积和高的电催化活性构建一种灵敏检测Pb^2+的电化学传感器。通过超声法制备壳聚糖-超高纯单... 基于壳聚糖(chitosan,CS)独特的吸附、螯合性能以及超高纯单壁碳纳米管(ultra-high purity single wall carbon nanotube,uhp-SWCNT)大的比表面积和高的电催化活性构建一种灵敏检测Pb^2+的电化学传感器。通过超声法制备壳聚糖-超高纯单壁碳纳米管纳米复合材料用于修饰玻碳电极。采用电化学阻抗(EIS)和微分脉冲溶出伏安法(DPSV)表征了CS/uhp-SWCNT纳米复合材料修饰玻碳电极的电化学行为。结果发现,CS和uhp-SWCNT具有良好的协同作用,能显著提电流响应。在优化的实验条件下,采用DPSV法检测Pb^2+,溶出峰电流与其浓度在0.5~30μg·L^-1和30~60μg·L^-1范围内呈良好线性关系,检出限为0.1μg·L^-1(S/N=3)。构建的传感器成功用于检测水样中Pb^2+,测定结果与石墨炉原子吸收光谱法几乎一致。 展开更多
关键词 壳聚糖 超高纯单壁碳纳米管 铅离子 微分脉冲溶出伏安法
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仲辛醇-HF-H_2SO_4体系制取超高纯氧化钽和超高纯氧化铌 被引量:4
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作者 匡国珍 周火根 +3 位作者 张浩 段勤拯 万国顺 杨继红 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2005年第2期1-3,8,共4页
研究了超高纯氧化钽和超高纯氧化铌试验与生产的工艺技术条件,进行了超高纯氧化钽和超高纯氧化铌的基础试验、中试和工业性生产试验,介绍了项目产品的技术指标和用户使用情况。
关键词 萃取分离 超高纯氧化钽 超高纯氧化铌 技术指标
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超高纯铝在动态塑性变形过程中的微观组织演化 被引量:1
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作者 陈艳丽 杨晓芳 刘庆 《电子显微学报》 CAS CSCD 2012年第5期437-441,共5页
利用金相显微镜和EBSD技术对超高纯铝(99.999%)在动态塑性变形(dynamic plastic deformation,DPD)过程中的微观组织及取向差进行了表征,分析了超高纯铝在DPD变形方式下组织的演变规律。
关键词 超高纯 DPD EBSD 微观组织
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PandaX-4T超高纯氙去除氪低温精馏系统运行分析
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作者 严锐 王舟 +5 位作者 崔祥仪 巨永林 沙海东 李帅杰 黄沛尧 王秀丽 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期834-841,共8页
PandaX-4T实验组通过McCabe-Thiele(M-T)方法及质量、能量守恒,设计研制出将商业氙中氪的摩尔分数由5×10^(-7)降低至1×10^(-14)的高效低温精馏系统.该超高纯氪氙低温精馏系统已完成离线提纯运行,现需要对其运行状态进行深入分... PandaX-4T实验组通过McCabe-Thiele(M-T)方法及质量、能量守恒,设计研制出将商业氙中氪的摩尔分数由5×10^(-7)降低至1×10^(-14)的高效低温精馏系统.该超高纯氪氙低温精馏系统已完成离线提纯运行,现需要对其运行状态进行深入分析.通过对系统各个运行阶段的温度、压力、流量及产品氙的摩尔分数等参数进行分析,研究该超高纯氪氙低温精馏系统的稳定性和提纯性能.该低温精馏系统在回收率为99%、提纯速率为10 kg/h的条件下稳定运行1.5 m,共提纯5.75 t氙.实验数据表明,系统在各运行阶段状态稳定、安全可靠,产品氙中氪的摩尔分数小于7.99×10^(-12).PandaX-4T超高纯氪氙低温精馏系统的运行分析具有理论研究价值和工程实际意义,同时也是优化下一阶段精馏提纯运行非常重要的参考依据. 展开更多
关键词 低温精馏 超高纯 暗物质探测
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萃淋树脂法制备超高纯氯化钕工艺研究 被引量:3
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作者 蓝桥发 邱小英 +1 位作者 柯兆华 黄金 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2021年第10期42-49,共8页
以单一盐酸溶液为淋洗剂,采用萃淋树脂法制备超高纯氯化钕溶液。研究了CL-P507、CL-P204、001×7、001×8、D113、D900、DH100等7种树脂对RE3+、Al3+的吸附、解吸、分离性能,遴选CL-P507为分离树脂、DH100为除铝树脂。单因素条... 以单一盐酸溶液为淋洗剂,采用萃淋树脂法制备超高纯氯化钕溶液。研究了CL-P507、CL-P204、001×7、001×8、D113、D900、DH100等7种树脂对RE3+、Al3+的吸附、解吸、分离性能,遴选CL-P507为分离树脂、DH100为除铝树脂。单因素条件试验发现,加液方式、料液浓度、淋洗酸浓度、柱径比对流出液稀土纯度影响不显著,高料液浓度、高淋洗酸浓度、低柱径比可以获得较高浓度的超高纯氯化钕溶液,以正吸附方式加料、料液浓度30.89g/L、淋洗酸浓度0.3mol/L、柱径比20∶1为最优工艺条件,制备了纯度>99.999%的超高纯氯化钕溶液。工艺不使用任何延缓离子,从源头控制非稀土杂质的引入,为超高纯稀土溶液的制备提供了技术参考。 展开更多
关键词 氯化钕 萃淋树脂法 超高纯
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超高纯级氢氧化铈生产工艺及产业化研究 被引量:2
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作者 张兰生 方中心 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2010年第9期38-40,共3页
以硝酸铈(Ⅲ)为原料,双氧水为氧化剂,批量生产出满足薄膜电晶体液晶显示器(TFT-LCD)、有机发光二极管(OLED)、反射式液晶显示器(LCOS)、汽车尾气净化剂及IT行业要求,并具有良好溶解性的超高纯级高品质氢氧化铈。研究并攻克了实现该产品... 以硝酸铈(Ⅲ)为原料,双氧水为氧化剂,批量生产出满足薄膜电晶体液晶显示器(TFT-LCD)、有机发光二极管(OLED)、反射式液晶显示器(LCOS)、汽车尾气净化剂及IT行业要求,并具有良好溶解性的超高纯级高品质氢氧化铈。研究并攻克了实现该产品产业化生产的关键技术问题,氢氧化铈产品品质达到国际先进水平。 展开更多
关键词 稀土 高溶解性 超高纯 氢氧化铈
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调整价态萃取-陶瓷膜过滤联合除锑制取超高纯氧化铌 被引量:1
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作者 张何鹏 孙思聪 +1 位作者 梅龙宝 梁粱 《有色金属科学与工程》 CAS 2020年第2期71-75,共5页
萃取分离是制取高纯氧化铌主要方法,在一定条件下,可以达到制取高纯氧化铌目的,但随着原料杂质复杂化,尤其是难分离杂质Sb的超标,单纯依靠萃取制取高纯氧化铌变得尤其困难,需要运用新的方法加以解决Sb超标问题。为此联合运用调整价态萃... 萃取分离是制取高纯氧化铌主要方法,在一定条件下,可以达到制取高纯氧化铌目的,但随着原料杂质复杂化,尤其是难分离杂质Sb的超标,单纯依靠萃取制取高纯氧化铌变得尤其困难,需要运用新的方法加以解决Sb超标问题。为此联合运用调整价态萃取与陶瓷膜过滤法,通过调整价态萃取最大限度降低Sb含量,再利用Nb与Sb在一定条件下溶解度各不相同原理,通过特种溶解试剂溶解、陶瓷膜过滤除Sb,可以最大限度地过滤分离Nb与Sb,达到制取超高纯氧化铌(ω(Sb)<5×10^-6,即5 ppm)的目的。 展开更多
关键词 萃取 SB 试剂溶解 陶瓷膜过滤 超高纯氧化铌
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超高纯单壁碳纳米管氧化铜修饰电极灵敏测定壬基酚
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作者 黄东 严梁杰 +1 位作者 韦寿莲 黄象金 《化学研究与应用》 CAS 北大核心 2023年第5期1139-1145,共7页
基于超高纯单壁碳纳米管(uhp-SWCNTs)的大比表面积和高导电性及氧化铜(CuO)的良好电催化活性,构建了一种用于快速、灵敏测定壬基酚的电化学传感器。通过扫描电镜(SEM)表征了合成的CuO的表面形貌,发现CuO呈花状形貌,表面存在大量的孔隙... 基于超高纯单壁碳纳米管(uhp-SWCNTs)的大比表面积和高导电性及氧化铜(CuO)的良好电催化活性,构建了一种用于快速、灵敏测定壬基酚的电化学传感器。通过扫描电镜(SEM)表征了合成的CuO的表面形貌,发现CuO呈花状形貌,表面存在大量的孔隙。采用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)研究了传感器的电化学性能。同时考察了pH值、CuO和uhp-SWCNTs的修饰量、富集电位、富集时间及搅拌速度等实验参数对传感器响应的影响。结果表明,CuO和uhp-SWCNTs具有良好的协同作用,其修饰电极对壬基酚的催化效果优于单独的CuO或uhp-SWCNT修饰电极。壬基酚在修饰电极上的电化学氧化反应是一个单质子、单电子的反应,同时是一个不可逆的吸附控制电极过程。壬基酚的氧化峰电流与其浓度在0.025~3.2μmol·L^(-1)范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为1.8 nmol·L^(-1)。该传感器具有良好的选择性、重现性和稳定性,应用于测定水样和土壤中壬基酚,加标回收率为85.2~102%。 展开更多
关键词 壬基酚 氧化铜 超高纯单壁碳纳米管 电化学传感器
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超高纯铜的生产及其高技术应用 被引量:1
17
作者 白明辉 《稀有金属快报》 CSCD 1996年第7期7-8,共2页
关键词 超高纯 生产 应用
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超高纯铟的实验研究 被引量:8
18
作者 伍祥武 黄小珂 李玮隆 《江西有色金属》 2010年第3期109-111,共3页
介绍超高纯铟的用途,探讨超高纯铟的制备方法,进行小试和扩大试验研究,试验表明,经过一次电解、真空蒸馏精炼、二次电解精炼等联合提纯工艺可产出99.9999%的超高纯铟,铟直收率在99%以上.流程所用设备简单,操作简便,适用于工业化生产.
关键词 超高纯 联合提 实验
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超高纯Ti-45Al合金的力学性能 被引量:1
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作者 闫蕴琪 《稀有金属快报》 CSCD 2002年第9期26-26,共1页
关键词 超高纯Ti-45Al合金 力学性能 钛合金
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超高纯水溶性胶体二氧化硅
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作者 陶道敏 《无机盐工业》 CAS 2004年第6期60-60,共1页
日本Fuso Chemical公司开发成功一种水溶性超高纯胶体二氧化硅,其SiO2含量较现有产品高出3倍。到目前为止,水溶性胶体二氧化硅的最高含量为12%。该公司通过优化溶胶-凝胶法合成工艺,使产品SiO:含量高达40%。该公司合成的超高纯胶... 日本Fuso Chemical公司开发成功一种水溶性超高纯胶体二氧化硅,其SiO2含量较现有产品高出3倍。到目前为止,水溶性胶体二氧化硅的最高含量为12%。该公司通过优化溶胶-凝胶法合成工艺,使产品SiO:含量高达40%。该公司合成的超高纯胶体二氧化硅占有世界硅片抛光剂市场的80%的份额。胶体二氧化硅在半导体生产中用作化学机械抛光(CMP-Chemical mechanical polishing)工序中的抛光剂已引起注视。从产品纯度考虑。 展开更多
关键词 日本Fuso Chemical公司 水溶性 超高纯胶体 二氧化硅胶体 溶胶-凝胶法
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