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扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展
被引量：
1
1
作者
陈芳
魏志鹏
+6 位作者
刘国军
唐吉龙
房丹
方铉
高娴
赵海峰
王双鹏
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第23期28-33,共6页
半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因...
半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。
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关键词
扫描近场光学显微技术
半导体材料
超高空间高分辨率
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职称材料
题名
扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展
被引量：
1
1
作者
陈芳
魏志鹏
刘国军
唐吉龙
房丹
方铉
高娴
赵海峰
王双鹏
机构
长春理工大学光电工程学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第23期28-33,共6页
基金
国家自然科学基金(61076039
61204065
+2 种基金
61205193
61307045)
高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C-031115)
文摘
半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。
关键词
扫描近场光学显微技术
半导体材料
超高空间高分辨率
Keywords
scanning near-field optical microscopy
semiconductor material
super-high spatial resolution
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O472.1 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展
陈芳
魏志鹏
刘国军
唐吉龙
房丹
方铉
高娴
赵海峰
王双鹏
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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