大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管 被引量：3

1

作者 王飞飞 李新坤 +2 位作者 梁德春 金鹏 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期706-710,共5页

为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29mW,中心波长为880nm,光谱半高宽为20.3nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法... 为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29mW,中心波长为880nm,光谱半高宽为20.3nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺对超辐射发光管器件性能的影响。在1.6A脉冲电流注入下,湿法腐蚀制备的器件峰值输出功率仅为7mW。与湿法腐蚀相比,干法刻蚀可以精确控制波导形状和参数,降低波导损耗,有效增大器件输出功率。 展开更多

关键词 超辐射发光管 自组织量子点 干法刻蚀

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量子点超辐射发光管研究进展 被引量：2

2

作者 吕雪芹 王佐才 +1 位作者 金鹏 王占国 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第8期449-456,共8页

简要回顾了超辐射发光管(SLD)的发展历史、量子点SLD的提出及优点,介绍了SLD的工作原理、器件结构及表征参数,详细分析了近年来国内外各研究小组在提高量子点SLD性能方面的研究进展。基于自组织量子点的尺寸非均匀分布特征、优化的有源... 简要回顾了超辐射发光管(SLD)的发展历史、量子点SLD的提出及优点,介绍了SLD的工作原理、器件结构及表征参数,详细分析了近年来国内外各研究小组在提高量子点SLD性能方面的研究进展。基于自组织量子点的尺寸非均匀分布特征、优化的有源区结构设计以及高的光学质量,量子点SLD目前的研究水平已远远超过量子阱SLD。例如,量子点SLD的输出光谱宽度可达到150nm以上,输出功率可达到百mW量级。简要介绍了SLD在光纤陀螺仪、光学相干断层成像术、光纤通信、宽带外腔可调谐激光器等方面的应用,讨论了量子点SLD研制中存在的问题、解决方法和发展趋势。量子点SLD在展宽光谱和提高输出功率上展示了巨大的潜力,它的成功有力地推动了其他宽增益谱器件的研制。 展开更多

关键词 超辐射发光管 自组织量子点 尺寸非均匀性 宽光谱 大功率

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阳极氧化法制备超辐射发光管实验研究

3

作者 高欣 薄报学 +2 位作者 张晶 李辉 曲轶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期822-825,共4页

采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs/AlGaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作,研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电流条件下获得了10 mW以上的超辐射光输出,光谱宽度约为18 nm.

关键词 半导体技术 阳极氧化 非均匀阱宽 量子阱 脊形波导 超辐射发光管

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量子点超辐射发光管研究进展(续)

4

作者 吕雪芹 王佐才 +1 位作者 金鹏 王占国 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期513-517,共5页

关键词 超辐射发光管 量子点 光纤陀螺仪 光时域反射计 可调谐激光器 时间相干性 性能要求 耦合效率

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长波长1．3μm超辐射发光管的制备

5

作者 鲍海飞 石家纬 +2 位作者 刘明大 金恩顺 李淑文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期25-28,共4页

对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。

关键词 超辐射发光管 减反射膜 剩余反射率

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双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟

6

作者 陈红梅 安琪 +6 位作者 吴艳华 王飞飞 胡发杰 李新坤 金鹏 吴巨 王占国 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第5期286-296,共11页

数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减... 数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱。超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小。放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小。为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据。 展开更多

关键词 超辐射发光管(sld) 量子点(QD) 双注入区结构 器件模型 结构参数

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脉冲PIV测试仪及其在超辐射发光管热特性研究中的应用

7

作者 唐明星 王定理 +2 位作者 李传文 印新达 江山 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2004年第8期49-50,共2页

针对超辐射发光管(SLED)的热特性,进行了仿真分析;通过研制的脉冲PIV测试仪对SLED发光区的温度进行了测试,验证了仿真分析结果。

关键词 超辐射发光管 热特性 脉冲P-I-V测试仪

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超辐射发光二极管的应用 被引量：11

8

作者 王佐才 吕雪芹 +1 位作者 金鹏 王占国 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第5期297-303,共7页

超辐射发光二极管(superluminescent diode简称SLD)具有光谱宽、功率大等优点。作为一种特殊光源,SLD已经被广泛应用。简要介绍了SLD的主要特征、主要表征参数和发展现状,详细阐述了SLD在干涉式光纤陀螺仪、光学相干断层成像技术、波分... 超辐射发光二极管(superluminescent diode简称SLD)具有光谱宽、功率大等优点。作为一种特殊光源,SLD已经被广泛应用。简要介绍了SLD的主要特征、主要表征参数和发展现状,详细阐述了SLD在干涉式光纤陀螺仪、光学相干断层成像技术、波分复用技术、光时域反射仪、可调谐外腔激光器、光纤传感器和光纤测试等领域中的应用。 展开更多

关键词 超辐射发光管 干涉式光纤陀螺仪 光学相干断层成像技术 波分复用 光时域反射仪 可调谐外腔激光器

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中红外量子级联超辐射发光二极管的研制

9

作者 孙家林 陈红梅 +5 位作者 侯春彩 张锦川 卓宁 宁吉强 刘峰奇 张子旸 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第11期852-856,882,共6页

量子级联(QC)超辐射发光二极管(SLD)已经成为众多应用领域(如生物成像、气体探测和红外对抗等)理想的中红外(MIR)宽光谱光源。然而,QC材料基于子带间跃迁的发光模式使其自发辐射效率较低,要获得高功率、宽光谱、可满足实际应用需求的MIR... 量子级联(QC)超辐射发光二极管(SLD)已经成为众多应用领域(如生物成像、气体探测和红外对抗等)理想的中红外(MIR)宽光谱光源。然而,QC材料基于子带间跃迁的发光模式使其自发辐射效率较低,要获得高功率、宽光谱、可满足实际应用需求的MIR SLD具有非常大的挑战。基于四阱耦合和双声子共振结构的QC材料,并结合仿真模拟设计出新颖的紧凑型分段式波导结构,提高了自发辐射效率,成功研制了发光波长约为5μm的SLD。所制备的器件工作温度达到273 K,光谱半高宽约为485 nm,同时紧凑的波导结构亦有利于形成阵列结构器件来进一步提高其输出功率,为MIR宽光谱光源的实际应用提供参考。 展开更多

关键词 超辐射发光二极管(sld) 中红外(MIR) 量子级联(QC) 光学相干层析成像 电致发光光谱

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超辐射激光二极管的研究与应用 被引量：7

10

作者 韦文生 张春熹 +3 位作者 马静 米剑 周克足 王天民 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期409-411,共3页

分析了超辐射激光二极管(Super-LuminescentDiode,SLD)SLD管芯的有源区、后端吸收区以及出光端面的增透膜对光谱的影响。介绍了SLD组件的封装(SLD的温度控制、SLD管芯与尾纤的耦合)。讨论了在干涉型光纤陀螺仪、光时域反射计、医学相干... 分析了超辐射激光二极管(Super-LuminescentDiode,SLD)SLD管芯的有源区、后端吸收区以及出光端面的增透膜对光谱的影响。介绍了SLD组件的封装(SLD的温度控制、SLD管芯与尾纤的耦合)。讨论了在干涉型光纤陀螺仪、光时域反射计、医学相干检测技术、波分复用技术中对SLD的要求。 展开更多

关键词 超辐射激光二极管 sld 光纤陀螺仪 光时域反射计 光相干检测 波分复用

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一种新型半导体超辐射集成光源

11

作者 赵永生 杜国同 +4 位作者 姜秀英 韩伟华 李雪梅 宋俊峰 高鼎三 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第1期5-7,共3页

为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这... 为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率，有望成为新一代大功率超辐射光源。 展开更多

关键词 超辐射发光管 集成光源 半导体光电器件

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1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

12

作者 唐道远 李晓良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期543-545,共3页

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42... 台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。 展开更多

关键词 应变补偿多量子阱 超辐射发光管 台面 湿法腐蚀 感应耦合等离子体

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光纤陀螺光源数字温度控制技术 被引量：7

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作者 姚琼 刘阳 +2 位作者 宋章启 谢元平 胡永明 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期17-18,共2页

分析了光纤陀螺SLD光源的温度特性 ,设计了SLD数字非线性温度控制方法 ,在宽温度范围内实现了SLD温度的稳定控制 ,并且能实现迅速启动 ,温度过冲控制在± 1K的范围。实验测得温控稳定性达到 0 .0 5K ,启动时间短于 1 2s。通过控制... 分析了光纤陀螺SLD光源的温度特性 ,设计了SLD数字非线性温度控制方法 ,在宽温度范围内实现了SLD温度的稳定控制 ,并且能实现迅速启动 ,温度过冲控制在± 1K的范围。实验测得温控稳定性达到 0 .0 5K ,启动时间短于 1 2s。通过控制参数的设定 。 展开更多

关键词 光纤陀螺 sld光源 温度控制 超辐射二极管 半导体激光器 数字控制

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智能控制在光纤陀螺光源稳定控制中的应用 被引量：2

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作者 侯军辉 郑颖楠 顾和荣 《现代防御技术》 2002年第6期22-26,共5页

根据光纤陀螺(FOG)对超辐射发光二极管(SLD)光源输出光功率的稳定性要求,针对目前SLD光源一致性差的特点,提出Fuzzy PID控制的光控实现方案。经验证,该智能光功率闭环控制能灵活调整SLD期望输出光功率值,不仅能实现SLD在宽温度范围内保... 根据光纤陀螺(FOG)对超辐射发光二极管(SLD)光源输出光功率的稳定性要求,针对目前SLD光源一致性差的特点,提出Fuzzy PID控制的光控实现方案。经验证,该智能光功率闭环控制能灵活调整SLD期望输出光功率值,不仅能实现SLD在宽温度范围内保持较高的光功率稳定性,且系统具有较强的鲁棒性。 展开更多

关键词 智能控制 光纤陀螺 光源稳定控制 超辐射发光二极管 sld 光功率 光控 FUZZY-PID控制

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