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题名超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响
被引量：1
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作者
谭思昊
李昱东
徐烨峰
闫江
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机构
中国科学院微电子研究所
微电子器件与集成技术重点实验室
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出处
《东北石油大学学报》
CAS
北大核心
2017年第1期117-122,共6页
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基金
国家科技重大专项(2013ZX02303-001-001)
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文摘
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器件背栅偏压对器件性能和短沟道效应的影响。仿真结果表明,减薄BOX厚度使FDSOI器件的性能和短沟道效应大幅提升,薄BOX衬底背栅偏压对FDSOI器件具有明显的阈值电压调制作用,6.00V的背栅偏压变化产生0.73V的阈值电压调制。在适当的背栅偏压下,FDSOI器件的短沟道特性(包括DIBL性能等)得到优化。实验结果表明,25nm厚BOX的FDSOI器件比145nm厚BOX的FDSOI器件关断电流减小近50%,DIBL减小近20%。
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关键词
FDSOI
超薄埋氧层
仿真研究
短沟道效应
背栅偏压
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Keywords
FDSOI
Ultra-thin BOX(UTB)
Simulation
Short-channel effect(SCE)
Back-gate bias
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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