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电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
1
作者
冯文修
田浦延
+1 位作者
陈蒲生
刘剑
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期13-17,共5页
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没...
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 。
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关键词
电子隧穿
快速热氮化
晶向硅
超薄二氧化硅膜
遂穿电流
电流传输特性
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职称材料
题名
电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
1
作者
冯文修
田浦延
陈蒲生
刘剑
机构
华南理工大学应用物理系
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期13-17,共5页
基金
广东省自然科学基金资助项目! (95 0 186 )&&
文摘
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 。
关键词
电子隧穿
快速热氮化
晶向硅
超薄二氧化硅膜
遂穿电流
电流传输特性
Keywords
electron tunneling
rapid thermal nitridation
ultrathin SiO 2 films
oriented Si
分类号
O484.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
冯文修
田浦延
陈蒲生
刘剑
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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