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低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响: 1; 作者宋昱杉陈浩 +7 位作者李松杨明超杨松泉杨森周磊簜耿莉郝跃欧阳晓平《人工晶体学报》北大核心 2025年第9期1574-1583,共10页; 先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MP... 展开更多; 关键词低温超临界流体工艺超宽禁带半导体 β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管界面态密度电学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种超结高压肖特基势垒二极管: 2; 作者龚红马奎 +2 位作者傅兴华丁召杨发顺《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期666-670,共5页; 改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一。介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时... 展开更多; 关键词肖特基势垒二极管(SBD) 击穿电压超结结构超结肖特基二极管(sj-sbd) 功率器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）: 3; 作者马奎杨发顺傅兴华《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期134-139,共6页; 在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压... 展开更多; 关键词击穿电压导通电阻肖特基势垒二极管超结; 在线阅读下载PDF 职称材料

对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究被引量：1: 4; 作者张发生李欣然《中南林业科技大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期179-183,共5页; 在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制... 展开更多; 关键词肖特基势垒二极管结终端技术模拟反向耐压工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压4H-SiC肖特基二极管的模拟及研制被引量：3: 5; 作者张发生李欣然《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期47-50,共4页; 结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果... 展开更多; 关键词肖特基势垒二极管结终端扩展模拟击穿耐压实验; 在线阅读下载PDF 职称材料

用透表法研究硅化钯二极管SBD与EBIC法的比较: 6; 作者胡问国肖玲 +7 位作者林一平梁竹关李亚文李萍徐晓华王建周开邻 Rau E I 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期142-143,共2页; 关键词肖特基势垒二极管 IC法硅化 SBD 无损检测方法钯结特性 P型硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试被引量：9: 7; 作者何骏伟陈思哲 +4 位作者任娜柏松陶永洪刘奥盛况《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第17期63-69,共7页; 基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测... 展开更多; 关键词碳化硅肖特基势垒二极管结型场效应晶体管功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制被引量：1: 8; 作者汤益丹李诚瞻 +5 位作者史晶晶白云董升旭彭朝阳王弋宇刘新宇《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期266-273,共8页; 基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提... 展开更多; 关键词 SiC结势垒肖特基(JBS)二极管高温大电流密度反向漏电流可靠性试验; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模: 9; 作者刘芷诫郑英奎 +4 位作者康玄武孙跃吴昊陈晓娟魏珂《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期358-364,381,共8页; 基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去... 展开更多; 关键词 GAN ALGAN/GAN异质结肖特基势垒二极管(SBD) 混合阳极微波输能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响: 1; 作者宋昱杉陈浩李松杨明超杨松泉杨森周磊簜耿莉郝跃欧阳晓平; 机构西安交通大学微电子学院西安电子科技大学微电子学院西北核技术研究所; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第9期1574-1583,共10页; 基金国家重点实验室稳定支持基金(JBSY252800260) 宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室开放基金(2413S121) 国家自然科学基金(62204198)。; 文摘先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MPa的N_(2)O流体,对暴露在空气环境中导致电学性能退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBDs)进行处理,通过电流-电压和电容-电压特性表征,探究低温超临界流体(SCF)处理前、后电学性能退化的SBDs器件导通特性和击穿特性的变化机理。研究结果表明:经SCF处理的SBDs正向饱和电流密度的升高伴随着体电子陷阱的减少和串联电阻的降低;肖特基势垒高度的提高和耗尽层的展宽有效抑制了电子隧穿,进而导致了漏电流的减小。此外,研究表明,退化后的Ni/β-Ga_(2)O_(3)SBDs的金半接触界面态密度未受到SCF处理的显著影响,具有大时间常数的界面缺陷也未对肖特基势垒高度产生明显影响。本研究为低温超临界流体工艺在优化β-Ga_(2)O_(3)基器件性能方面的应用提供了重要的实验依据和理论支持。; 关键词低温超临界流体工艺超宽禁带半导体 β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管界面态密度电学性能; Keywords low-temperature supercritical fluid process ultrawide bandgap semiconductor β-Ga_(2)O_(3) Schottky barrier diode interface state density electrical performance; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学] TN355 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种超结高压肖特基势垒二极管: 2; 作者龚红马奎傅兴华丁召杨发顺; 机构贵州大学人民武装学院贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期666-670,共5页; 基金贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字[2009]3026) 贵州省自然科学技术基金资助项目(黔科合J字[2014]2067) 贵州大学博士基金资助项目(贵大人基合字(2011)01号); 文摘改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一。介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时提高了器件的反向耐压。在工艺上通过4次n型外延和4次选择性p型掺杂实现了超结结构。基于相同的外延层厚度和相同的外延层杂质浓度分别设计和实现了常规SBD和SJ-SBD,测试得到常规SBD的最高反向击穿电压为110 V,SJ-SBD的最高反向击穿电压为229 V。实验结果表明,以超结结构作为SBD的耐压层能保证正向压降等参数不变的同时有效提高击穿电压,且当n柱和p柱中的电荷量相等时SJ-SBD的反向击穿电压最高。; 关键词肖特基势垒二极管(SBD) 击穿电压超结结构超结肖特基二极管(sj-sbd) 功率器件; Keywords Schottky barrier diode（SBD） breakdown voltage super junction structure super junction Schottky barrier diode（sj-sbd） power device; 分类号 TN312 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）: 3; 作者马奎杨发顺傅兴华; 机构贵州大学电子科学系贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期134-139,共6页; 基金 supported by NSFC(61464002) Industrial Research Projects in Guizhou Province(Qian Ke He GY Zi[2009]3026) +1 种基金 Dr.Fund of Guizhou University(Gui Da Ren Ji He Zi(2013)20Hao)~~; 文摘在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。; 关键词击穿电压导通电阻肖特基势垒二极管超结; Keywords breakdown voltage conduction resistance Schottky barrier diodes super-junction; 分类号 TN311.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究被引量：1: 4; 作者张发生李欣然; 机构中南林业科技大学计算机与信息工程学院湖南大学电气与信息工程学院; 出处《中南林业科技大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期179-183,共5页; 基金湖南省高等学校科学研究项目(08C942) 湖南省科技厅科技项目(2008FJ3102); 文摘在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了4H—SiC肖特基势垒二极管。实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测器件反向耐压值已达到1 800 V。; 关键词肖特基势垒二极管结终端技术模拟反向耐压工艺; Keywords SBD JTT simulation reverse-voltage process; 分类号 TN311 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压4H-SiC肖特基二极管的模拟及研制被引量：3: 5; 作者张发生李欣然; 机构湖南大学电气与信息工程学院中南林业科技大学计算机与信息工程学院; 出处《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期47-50,共4页; 基金湖南省高等学校科学研究资助项目(08C942) 湖南省科技厅科技资助项目(2008FJ3102); 文摘结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2.; 关键词肖特基势垒二极管结终端扩展模拟击穿耐压实验; Keywords schottky barrier diodes junction termination extension simulation breakdown voltage experiment; 分类号 TN311 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用透表法研究硅化钯二极管SBD与EBIC法的比较: 6; 作者胡问国肖玲林一平梁竹关李亚文李萍徐晓华王建周开邻 Rau E I; 机构云南大学物理技术学院云南大学信息学院昆明物理研究所莫斯科大学; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期142-143,共2页; 基金国家自然科学基金NSFC资助项目(No.60227102) 国家科学技术部973前期项目资助; 关键词肖特基势垒二极管 IC法硅化 SBD 无损检测方法钯结特性 P型硅; 分类号 TN315 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试被引量：9: 7; 作者何骏伟陈思哲任娜柏松陶永洪刘奥盛况; 机构浙江大学电气工程学院南京电子器件研究所; 出处《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第17期63-69,共7页; 基金中央高校基本科研业务费专项资金(2014FZA4014) 浙江省教育厅科研项目(Y201329864)资助; 文摘基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测试结果表明,制备模块具备了相应的电流导通和电压阻断能力,同时开关特性良好,模块的容量是目前国内已报道的最高水平。; 关键词碳化硅肖特基势垒二极管结型场效应晶体管功率模块; Keywords SiC Schottky barrier diode junction field effect transistor power module; 分类号 TN30 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制被引量：1: 8; 作者汤益丹李诚瞻史晶晶白云董升旭彭朝阳王弋宇刘新宇; 机构中国科学院微电子研究所高频高压器件研发中心中国科学院大学株洲中车时代电气股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期266-273,共8页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601); 文摘基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力。测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm^2（以芯片面积计算）。在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA。动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好。器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏（H3TRB）和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性。器件的成品率达70%以上。; 关键词 SiC结势垒肖特基(JBS)二极管高温大电流密度反向漏电流可靠性试验; Keywords SiC junction barrier Schottky （JBS） diode high temperature high current density reverse leakage current reliability test; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学] TN313.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模: 9; 作者刘芷诫郑英奎康玄武孙跃吴昊陈晓娟魏珂; 机构中国科学院大学中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期358-364,381,共8页; 基金国家自然科学基金资助项目(61804172) 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000) 广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。; 文摘基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数。综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度。结果表明,在0.1~10 GHz内,回波损耗相对误差小于4.1%,插入损耗相对误差小于3.7%,验证了所提出模型的可行性和准确性。; 关键词 GAN ALGAN/GAN异质结肖特基势垒二极管(SBD) 混合阳极微波输能; Keywords GaN AlGaN/GaN heterojunction Schottky barrier diode(SBD) hybrid anode microwave power transmission; 分类号 TN313.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响	宋昱杉陈浩李松杨明超杨松泉杨森周磊簜耿莉郝跃欧阳晓平	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种超结高压肖特基势垒二极管	龚红马奎傅兴华丁召杨发顺	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）	马奎杨发顺傅兴华	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究	张发生李欣然	《中南林业科技大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高压4H-SiC肖特基二极管的模拟及研制	张发生李欣然	《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	用透表法研究硅化钯二极管SBD与EBIC法的比较	胡问国肖玲林一平梁竹关李亚文李萍徐晓华王建周开邻 Rau E I	《电子显微学报》 CAS CSCD	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试	何骏伟陈思哲任娜柏松陶永洪刘奥盛况	《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心	2015	9	在线阅读下载PDF 职称材料
8	1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制	汤益丹李诚瞻史晶晶白云董升旭彭朝阳王弋宇刘新宇	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模	刘芷诫郑英奎康玄武孙跃吴昊陈晓娟魏珂	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料