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题名超晶格雪崩光电二极管的结构优化及性能研究
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作者
杜玉杰
邓军
夏伟
牟桐
史衍丽
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
昆明物理研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期1358-1362,共5页
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文摘
基于碰撞离化理论研究了异质材料超晶格结构对载流子离化率的作用,设计得到In_（0.53）Ga_（0.47）As/In_（0.52）Al_（0.48）As超晶格结构的雪崩光电二极管。通过分析不同结构参数对器件性能的影响,得到了低隧道电流、高倍增因子的超晶格结构雪崩层,根据电场分布方程模拟了器件二维电场分布对电荷层厚度及掺杂的依赖关系,并优化了吸收层的结构参数。对优化得到的器件结构进行仿真并实际制作了探测器件,进行光电特性测试,与同结构普通雪崩光电二极管相比,超晶格雪崩光电二极管具有更强的光电流响应,在12.5～20 V的雪崩倍增区,超晶格雪崩光电二极管在具备高倍增因子的同时具有较低的暗电流,提高了器件的信噪比。
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关键词
超晶格雪崩光电二极管
离化率
信噪比
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Keywords
super-lattice avalanche photodiode
Ionization rate
signal to noise ratio
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分类号
TN362
[电子电信—物理电子学]
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题名超晶格半导体材料及其应用(2)
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作者
康昌鹤
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机构
吉林大学电子科学系
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出处
《功能材料》
EI
CAS
1987年第5期308-311,共4页
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文摘
三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(～10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现出超晶格结构新的多种物理性质。因为这些物理性质不仅与材料有关,而且还与膜厚等结构参数有很强的依赖关系。因此,对器件设计的自由度很大。外另。
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关键词
超晶格结构
调制掺杂
量子阱激光器
半导体激光器
能带结构
电子能态
GaAs
仪表材料
超晶格雪崩光电二极管
子能带
超晶格器件
隧道效应
超薄膜
空穴
载流子(半导体)
电子气
势垒层
电离系数
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分类号
G6
[文化科学—教育学]
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