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半导体超薄层微结构的外延生长技术 被引量:7
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作者 彭英才 王英民 +1 位作者 李星文 傅广生 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第3期185-192,共8页
半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了... 半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了这些外延工艺的生长机理及其研究进展。 展开更多
关键词 超晶格微结构 超薄层 外延 生长机理 半导体
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光电功能材料
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《中国光学》 EI CAS 1999年第3期87-89,共3页
O471.3 99032009半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征=Intensityrelationship between excitation and the steadystate photoluminescence of free excitons insemiconductor quantum wells[刊,中]/金世荣,郑燕兰,林春,钟金权,李爱珍(... O471.3 99032009半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征=Intensityrelationship between excitation and the steadystate photoluminescence of free excitons insemiconductor quantum wells[刊,中]/金世荣,郑燕兰,林春,钟金权,李爱珍(中科院上海冶金研究所.信息功能材料国家重点实验室.上海(200050))//物理学报.—1998,47(1). 展开更多
关键词 国家重点实验室 光电功能材料 自由激子 物理学报 中科院 超晶格微结构 半导体量子阱 荧光特征 大学自然科学学报 梯度功能材料
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