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超晶格半导体材料及其应用(2)
1
作者
康昌鹤
《功能材料》
EI
CAS
1987年第5期308-311,共4页
三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(～10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现...
三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(～10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现出超晶格结构新的多种物理性质。因为这些物理性质不仅与材料有关,而且还与膜厚等结构参数有很强的依赖关系。因此,对器件设计的自由度很大。外另。
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关键词
超晶
格
结构
调制掺杂
量子阱激光器
半导体激光器
能带结构
电子能态
GaAs
仪表材料
超晶
格
雪崩光电二极管
子能带
超晶格器件
隧道效应
超薄膜
空穴
载流子(半导体)
电子气
势垒层
电离系数
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职称材料
介绍几种高新技术
2
作者
陈洪国
《发光快报》
CSCD
1993年第4期49-52,共4页
关键词
超晶格器件
半导体激光器
激光器
在线阅读
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职称材料
题名
超晶格半导体材料及其应用(2)
1
作者
康昌鹤
机构
吉林大学电子科学系
出处
《功能材料》
EI
CAS
1987年第5期308-311,共4页
文摘
三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(～10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现出超晶格结构新的多种物理性质。因为这些物理性质不仅与材料有关,而且还与膜厚等结构参数有很强的依赖关系。因此,对器件设计的自由度很大。外另。
关键词
超晶
格
结构
调制掺杂
量子阱激光器
半导体激光器
能带结构
电子能态
GaAs
仪表材料
超晶
格
雪崩光电二极管
子能带
超晶格器件
隧道效应
超薄膜
空穴
载流子(半导体)
电子气
势垒层
电离系数
分类号
G6 [文化科学—教育学]
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职称材料
题名
介绍几种高新技术
2
作者
陈洪国
出处
《发光快报》
CSCD
1993年第4期49-52,共4页
关键词
超晶格器件
半导体激光器
激光器
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
超晶格半导体材料及其应用(2)
康昌鹤
《功能材料》
EI
CAS
1987
0
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职称材料
2
介绍几种高新技术
陈洪国
《发光快报》
CSCD
1993
0
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