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微米超晶格的概念、效应和应用: 1; 作者闵乃本《物理学进展》 CSCD 北大核心 1993年第1期26-37,共12页; 通过固体微结构的调制,使晶体材料的物性常数得到调制,若调制波长为微米数量级,可与光波、超声波波长比拟,将会出现一系列新颖的非线性光学、光学、声学效应,并在光电子学和声电子学中得到应用。我们将这类人工微结构材料称之为微米超... 展开更多; 关键词微米超晶格超晶格半导体光学效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格: 2; 作者彭中灵袁诗鑫《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期53-58,共6页; 提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅＭＢＥ生长的影响。; 关键词分子束外延红外材料超晶格半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱结构红外探测器最新进展: 3; 作者汪艺桦《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期18-24,12,共8页; 半导体超晶格量子阱作为新一代微电子器件材料而迅速堀起,亦为寻求品质优异、具有特殊性能的红外探测器材料开拓了一个全新的能带工程领域。本文综述了国外发展很快的Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱红外器件,着重介绍近两年的新成果。; 关键词红外探测器超晶格半导体量子阱; 全文增补中

用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构被引量：2: 4; 作者杨艳薛晨阳 +1 位作者张斌珍张文栋《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-107,共3页; 用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料... 展开更多; 关键词分子束外延超晶格半导体 X射线双晶衍射; 在线阅读下载PDF 职称材料

新颖的红外焦平面阵列技术被引量：2: 5; 作者程开富《红外与激光技术》 CSCD 1993年第2期1-5,共5页; 本文主要介绍新颖的GeSi/Si异质结势垒内光电发射长波红外探测器阵列和AlGaAs/GaAs量子阱红外光电探测器阵列的现状、工作原理、典型结构、制备技术及其性能。; 关键词异质结超晶格半导体红外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微米超晶格的概念、效应和应用: 1; 作者闵乃本; 机构南京大学固体微结构物理国家重点实验室; 出处《物理学进展》 CSCD 北大核心 1993年第1期26-37,共12页; 基金国家自然科学基金委的重大项目国家科委攀登计划基础性研究重大关键项目的资助; 文摘通过固体微结构的调制,使晶体材料的物性常数得到调制,若调制波长为微米数量级,可与光波、超声波波长比拟,将会出现一系列新颖的非线性光学、光学、声学效应,并在光电子学和声电子学中得到应用。我们将这类人工微结构材料称之为微米超晶格或光学超晶格和声学超晶格,“微米超晶格”概念是“聚片多畴”概念的发展。本文将评述本实验室在冯端教授指导下在关于微米超晶格理论与实验方面所完成的系统的工作。; 关键词微米超晶格超晶格半导体光学效应; 分类号 O734.1 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格: 2; 作者彭中灵袁诗鑫; 机构中国科学院上海技术物理研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期53-58,共6页; 文摘提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅＭＢＥ生长的影响。; 关键词分子束外延红外材料超晶格半导体; Keywords molecular beam epitaxy superlattice infrared materials; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱结构红外探测器最新进展: 3; 作者汪艺桦; 机构中科院上海技术物理所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期18-24,12,共8页; 文摘半导体超晶格量子阱作为新一代微电子器件材料而迅速堀起,亦为寻求品质优异、具有特殊性能的红外探测器材料开拓了一个全新的能带工程领域。本文综述了国外发展很快的Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱红外器件,着重介绍近两年的新成果。; 关键词红外探测器超晶格半导体量子阱; Keywords semiconductor superlattice and quantum well structures. infrared detectors, band-gap engineering; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 全文增补中

题名用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构被引量：2: 4; 作者杨艳薛晨阳张斌珍张文栋; 机构中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-107,共3页; 基金国家自然基金项目(50375050 50405025); 文摘用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现缘进行了理论分析。; 关键词分子束外延超晶格半导体 X射线双晶衍射; Keywords MBE superlattice X-ray double crystal diffraction; 分类号 O434.1 [机械工程—光学工程] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新颖的红外焦平面阵列技术被引量：2: 5; 作者程开富; 机构重庆光电技术研究所; 出处《红外与激光技术》 CSCD 1993年第2期1-5,共5页; 文摘本文主要介绍新颖的GeSi/Si异质结势垒内光电发射长波红外探测器阵列和AlGaAs/GaAs量子阱红外光电探测器阵列的现状、工作原理、典型结构、制备技术及其性能。; 关键词异质结超晶格半导体红外探测器; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	微米超晶格的概念、效应和应用	闵乃本	《物理学进展》 CSCD 北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格	彭中灵袁诗鑫	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱结构红外探测器最新进展	汪艺桦	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	1992	0	全文增补中
4	用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构	杨艳薛晨阳张斌珍张文栋	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	新颖的红外焦平面阵列技术	程开富	《红外与激光技术》 CSCD	1993	2	在线阅读下载PDF 职称材料