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Zn离子掺杂γ-CuI晶体的生长及闪烁性能的研究
1
作者
陈灿
胡祎哲
+2 位作者
张智瑾
潘建国
潘尚可
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第9期1558-1565,共8页
本文采用重结晶法和区域熔炼法提纯γ-CuI原料,使用坩埚下降法生长出了不同Zn离子浓度掺杂的γ-CuI单晶,并对其晶体结构、光致发光、X射线激发发射光谱和荧光寿命进行了详细研究。XRD和SEM测试结果表明,所合成的样品为高纯的γ-CuI,Zn...
本文采用重结晶法和区域熔炼法提纯γ-CuI原料,使用坩埚下降法生长出了不同Zn离子浓度掺杂的γ-CuI单晶,并对其晶体结构、光致发光、X射线激发发射光谱和荧光寿命进行了详细研究。XRD和SEM测试结果表明,所合成的样品为高纯的γ-CuI,Zn离子能掺入γ-CuI单晶中。光致发光光谱和X射线激发光谱结果表明,Zn离子掺杂后自由激子和Cu+空位的发射得到增强,深能级发射被抑制。在Zn离子掺杂浓度为5%时,Cu_(0.95)I:Zn_(0.05)晶体的荧光寿命为0.36 ns,明显优于γ-CuI的0.62 ns。
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关键词
γ-CuI晶体
Zn离子掺杂
重结晶提纯
区域熔炼法
坩埚下降法
超快衰减时间
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职称材料
Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究
2
作者
张蕾
刘小林
+4 位作者
郝书童
顾牡
李乾利
黄世明
张娟楠
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019年第8期1405-1411,1429,共8页
采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶。研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响。通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善。X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:C...
采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶。研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响。通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善。X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:Cl晶体的超快近带边发射得到显著增强,光输出约为PbWO4晶体的89%,深能级发射强度也受到极大抑制。并且快成分的衰减时间达到亚纳秒量级。实验结果均表明γ-CuI:Cl单晶具有较好的结晶性和光学性能,有望应用于超高辐射检测和超快计数率成像领域。
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关键词
γ-CuI单晶
氯掺杂
溶剂蒸发法
X射线激发发光
超快衰减时间
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职称材料
题名
Zn离子掺杂γ-CuI晶体的生长及闪烁性能的研究
1
作者
陈灿
胡祎哲
张智瑾
潘建国
潘尚可
机构
宁波大学材料科学与化学工程学院
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第9期1558-1565,共8页
基金
国家自然科学基金(12375180,61775108)。
文摘
本文采用重结晶法和区域熔炼法提纯γ-CuI原料,使用坩埚下降法生长出了不同Zn离子浓度掺杂的γ-CuI单晶,并对其晶体结构、光致发光、X射线激发发射光谱和荧光寿命进行了详细研究。XRD和SEM测试结果表明,所合成的样品为高纯的γ-CuI,Zn离子能掺入γ-CuI单晶中。光致发光光谱和X射线激发光谱结果表明,Zn离子掺杂后自由激子和Cu+空位的发射得到增强,深能级发射被抑制。在Zn离子掺杂浓度为5%时,Cu_(0.95)I:Zn_(0.05)晶体的荧光寿命为0.36 ns,明显优于γ-CuI的0.62 ns。
关键词
γ-CuI晶体
Zn离子掺杂
重结晶提纯
区域熔炼法
坩埚下降法
超快衰减时间
Keywords
γ-CuI crystal
Zn ion doping
recrystallization purification
zone melting method
Bridgman method
ultrafast decay time
分类号
O73 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究
2
作者
张蕾
刘小林
郝书童
顾牡
李乾利
黄世明
张娟楠
机构
同济大学物理科学与工程学院
上海大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019年第8期1405-1411,1429,共8页
基金
国家自然科学基金(11775160,11375129,11675121)
文摘
采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶。研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响。通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善。X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:Cl晶体的超快近带边发射得到显著增强,光输出约为PbWO4晶体的89%,深能级发射强度也受到极大抑制。并且快成分的衰减时间达到亚纳秒量级。实验结果均表明γ-CuI:Cl单晶具有较好的结晶性和光学性能,有望应用于超高辐射检测和超快计数率成像领域。
关键词
γ-CuI单晶
氯掺杂
溶剂蒸发法
X射线激发发光
超快衰减时间
Keywords
γ-CuI single crystal
chlorine doping
solvent evaporation method
X-ray excited luminescence
ultrafast decay time
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Zn离子掺杂γ-CuI晶体的生长及闪烁性能的研究
陈灿
胡祎哲
张智瑾
潘建国
潘尚可
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究
张蕾
刘小林
郝书童
顾牡
李乾利
黄世明
张娟楠
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019
0
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职称材料
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