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2～26GHzGaAs单片功率放大器
被引量：
5
1
作者
陈雪军
高建峰
+1 位作者
陈效建
林金庭
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期140-142,共3页
报道了一个具有低噪声性能的 2～ 2 6GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果 ,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程 .放大器采用分布式设计 ,在超宽带频率范围内增益为 6 5± 0 5dB ,输入输出驻波比小于 2 0 .在 2～ 2 ...
报道了一个具有低噪声性能的 2～ 2 6GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果 ,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程 .放大器采用分布式设计 ,在超宽带频率范围内增益为 6 5± 0 5dB ,输入输出驻波比小于 2 0 .在 2～ 2 0GHz内测得输出功率大于 30 0mW ,噪声系数为 3 5～ 5 5dB .单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路 ,芯片面积为 3 2mm× 1 2 75mm× 0 1mm .
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关键词
微波单片集成电路
超宽带功率放大器
砷化镓
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职称材料
题名
2～26GHzGaAs单片功率放大器
被引量：
5
1
作者
陈雪军
高建峰
陈效建
林金庭
机构
南京电子器件研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期140-142,共3页
文摘
报道了一个具有低噪声性能的 2～ 2 6GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果 ,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程 .放大器采用分布式设计 ,在超宽带频率范围内增益为 6 5± 0 5dB ,输入输出驻波比小于 2 0 .在 2～ 2 0GHz内测得输出功率大于 30 0mW ,噪声系数为 3 5～ 5 5dB .单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路 ,芯片面积为 3 2mm× 1 2 75mm× 0 1mm .
关键词
微波单片集成电路
超宽带功率放大器
砷化镓
Keywords
MMIC
distributed power amplifier
PHEMT
low noise
HP Root model
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
2～26GHzGaAs单片功率放大器
陈雪军
高建峰
陈效建
林金庭
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
5
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参考文献
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