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采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究
被引量：
2
1
作者
丁尔峰
崔容强
+3 位作者
周之斌
赵亮
于化丛
赵占霞
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期779-783,共5页
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF...
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。
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关键词
超声
雾
化
喷涂
化学
气
相
沉积
(
usp-cvd
)
SnO2:F
SnO2:Sb
NH4F
HF
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职称材料
题名
采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究
被引量：
2
1
作者
丁尔峰
崔容强
周之斌
赵亮
于化丛
赵占霞
机构
上海交通大学物理系太阳能研究所
出处
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期779-783,共5页
文摘
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。
关键词
超声
雾
化
喷涂
化学
气
相
沉积
(
usp-cvd
)
SnO2:F
SnO2:Sb
NH4F
HF
Keywords
ultrasonic spray CVD
SnO2∶F
SnO2∶Sb
NH4F
HF
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究
丁尔峰
崔容强
周之斌
赵亮
于化丛
赵占霞
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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