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超化学计量比氧化铀晶体的研究进展
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作者 徐家跃 李志超 +3 位作者 潘芸芳 周鼎 温丰 马文军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1183-1192,共10页
氧化铀不仅是重要的核材料,也是潜在的多功能材料。UO2晶体具有优异的半导体性能和抗辐照能力,其禁带宽度(1.3 eV)与Si(1.1 eV)相近,塞贝克系数是常用热电材料BiTe的4倍,对太阳光的全吸收使其成为高效的太阳能电池材料,在半导体、太阳... 氧化铀不仅是重要的核材料,也是潜在的多功能材料。UO2晶体具有优异的半导体性能和抗辐照能力,其禁带宽度(1.3 eV)与Si(1.1 eV)相近,塞贝克系数是常用热电材料BiTe的4倍,对太阳光的全吸收使其成为高效的太阳能电池材料,在半导体、太阳能和热电等领域具有巨大的应用潜力。但是UO2随着环境变化会出现从缺氧到过氧的价态变化(UO2±x,x=–0.5~1),即超化学计量比特性,给材料制备和性能控制等方面带来很多问题。本文从相图出发,总结了各种铀氧化物的结构及其稳定性,重点聚焦UO2晶体的研究进展。理想化学计量比UO2被认为是最好的Mott绝缘体,其电导率是相对稳定的;超化学计量比氧化铀则具有半导体特性,其电导率、热导率、扩散系数以及光学性能都与x密切相关。目前,UO2晶体生长主要采用化学气相输运法(CVT)、冷坩埚法、水热法、升华法、助熔剂法等,晶体尺寸和质量还不理想,冷坩埚法和水热法被认为是最有潜力的生长技术。氧化铀单晶生长研究不仅有助于深入了解UO2材料特性,也为其在太阳能电池、热电器件以及未来电子学领域的应用提供可能性。 展开更多
关键词 氧化铀 超化学计量比 晶体生长 半导体 热电
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UO_(2+x)芯块低温烧结的活化机理 被引量:1
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作者 李锐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B08期43-46,共4页
报道了UO2+x芯块低温烧结实验的结果。12组芯块在N2+CO2组成的部分氧化气氛下于立式钼丝炉中低温烧结。UO2芯块要获得密度为10.41g/cm3(94.98%理论密度)需在氢气氛中于2073~2273K下烧结,而UO2+x芯块实现该密度的烧结温度可降低400K以... 报道了UO2+x芯块低温烧结实验的结果。12组芯块在N2+CO2组成的部分氧化气氛下于立式钼丝炉中低温烧结。UO2芯块要获得密度为10.41g/cm3(94.98%理论密度)需在氢气氛中于2073~2273K下烧结,而UO2+x芯块实现该密度的烧结温度可降低400K以上。建立了超氧化铀缺陷模型来研究低温烧结的活化机理。研究发现铀离子扩散系数与气氛中氧分压或是UO2+x中x成正比。利用铀离子的扩散系数,可预测UO2+x芯块在1073、1273、1473和1673K温度下的烧结密度;还可算出x=0.04时,UO2+x芯块在部分氧化气氛下的理论烧成温度。计算所得烧结密度和烧成温度与实验结果符合得很好。 展开更多
关键词 化学计量 低温烧结 扩散系数 烧结温度 烧结密度
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