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题名一种积累型槽栅超势垒二极管
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作者
许琬
张昕
章文通
乔明
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《电子与封装》
2014年第3期33-36,共4页
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文摘
提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23 V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
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关键词
超势垒二极管
槽栅
开启电压
泄漏电流
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Keywords
super barrier diode
trench gate
onset voltage
leakage current
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分类号
TN312
[电子电信—物理电子学]
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